正しいのはどれか。
a: CMOS回路は消費電力が少ない。
b: LEDはpn接合の構造をもつ。
c: FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。
d: 接合型FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。
e: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。
1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e
a: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。
b: ユニポーラトランジスタは電流制御素子である。
c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
d: 接合型 FET の n 形チャネルの多数キャリアは電子である。
e: CMOS 回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
a: 理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。
b: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。
d: FETのnチャネルの多数キャリアは電子である。
e: CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。
d: FET のn形チャネルの多数キャリアは電子である。
a: バイポーラトランジスタを用いて信号の増幅が行える。
b: FETを用いて論理回路は構成できない。
c: 演算増幅器は論理演算回路を集積して作られている。
d: 論理回路と抵抗、コンデンサを用いて能動フィルタを構成する。
e: C-MOS論理回路の特徴の一つは消費電力が小さいことである。
電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。
a: MOS-FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。
b: FETはユニポーラトランジスタである。
c: FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。
d: FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。
e: FETは高入カインピーダンス素子である。
誤っているのはどれか。
1: 不純物を含まない半導体を真性半導体という。
2: シリコン(Si)にリン(P)を加えるとn形半導体になる。
3: ユニポーラトランジスタにはpチャネルとnチャネルの2種類がある。
4: ユニポーラトランジスタは電圧制御形である。
5: MOSトランジスタはバイポーラトランジスタの一種である。
