第28回国試午前53問の類似問題

正しいのはどれか。

a: n型半導体の多数キャリアは正孔(ホール)である。

b: ダイオードの端子電圧と電流の関係は直線的な比例特性を示す。

c: バイポーラトランジスタの三つの端子はソース、ベース、コレクタである。

d: バイポーラトランジスタでは電流が正孔と電子によって運ばれている。

e: 金属酸化物電界効果トランジスタではゲートには電流はほとんど流れない。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

1: npn形バイポーラトランジスタでは、ベース電位がエミッタに対して負のときコレクタ・エミッタ間が導通する。

2: コレクタ接地のトランジスタは低い入力インピーダンスを必要とする場合に用いられる。

3: ジャンクション形FETを用いてインピーダンス変換回路は構成できない。

4: MOS‐FETを用いて論理回路は構成できない。

5: MOS‐FETは高入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。

図の構造を持つ電子デバイスはどれか。

1: バイポーラトランジスタ

2: MOS-FET

3: 接合形FET

4: サイリスタ

5: フォトダイオード

正しいのはどれか。（医用電気電子工学）

1: 理想ダイオード゛の順方向抵抗は無限大である。

2: ダイオード゛に順方向の電圧を加えるとpn接合部に空乏層が生じる。

3: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

4: FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。

5: バイポーラトランジスタはp形半導体のみで作られる。

正しいのはどれか。

a: pnpn接合のサイリスタは、pn接合ダイオードに比べて整流特性が2倍向上している。

b: CCDはMOS構造における空乏層に電荷を蓄える素子である。

c: LEDの材料として、電子と正孔とが直接的に再結合しやすい半導体が適する。

d: エキシマレーザの波長はYAGレーザの波長より長い。

e: 光ファイバのクラッドの屈折率はコアの屈折率より大きい。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: 液晶は表示装置に用いられる。

b: CCD(電荷結合素子)は表示装置に用いられる。

c: CRTは受光素子である。

d: サイリスタは電源回路に用いられる。

e: 光電子増倍管は受光素子である。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

電子部品について正しいのはどれか。 

a: ピエゾ素子は磁束密度を検出する。 

b: CdSは光を受けると起電力が発生する。 

c: フォトダイオードは受光量に関係なく一定電流が流れる。 

d: オペアンプは多数のトランジスタで構成されている。 

e: ツェナーダイオードは一定の電圧を得るために用いる。  

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

バイポーラトランジスタについて正しいのはどれか。

a: n形とp形の半導体によって構成される。

b: 電界効果トランジスタより入力インピーダンスが高い。

c: エミッタ接地電流増幅率は1より小さい。

d: 正負2種類の電荷が動作に寄与している。

e: アナログ増幅にもスイッチングにも用いられる。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

正しいのはどれか。

1: 太陽電池は発光素子の一種である。

2: フォト・トランジスタを用いて電気信号を光信号に変えることができる。

3: 半導体レーザは光の伝送素子の一種である。

4: 光ファイバは半導体レーザの一種である。

5: 光電子増倍管を用いて光信号を電気信号に変えることができる。

正しいのはどれか。

a: 電荷結合素子(CCD)は電子内視鏡に用いられている。

b: 液晶は発光素子である。

c: 硫化カドミウム(CdS)素子は赤外線センサである。

d: 光電子増倍管はシンチレーションカウンタに用いられている。

e: ホトダイオードは光通信に用いられている。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

正しいのはどれか。

a: 液晶は表示装置に利用される。

b: CCDは撮像装置に利用される。

c: サイリスタはアナログ増幅素子である。

d: 硫化カドミウム(CdS)セルは超音波素子である。

e: ホトトランジスタは発光素子である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

半導体素子について正しいのはどれか。

a: 半導体レーザは主に紫外域の光を発する。

b: ホトダイオードの原理はCDS素子と同じである。

c: バイポーラトランジスタは電流で電流をコントロールする増幅素子である。

d: 半導体のホール素子は磁気検出に用いられる。

e: 熱電対は半導体素子である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

1: 半導体の抵抗は温度とともに高くなる。

2: p形半導体の多数キャリアは電子である。

3: シリコンにリンを加えるとp形半導体になる。

4: トランジスタは能動素子である。

5: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。

正しいのはどれか。

a: 電荷結合素子(CCD)は電子内視鏡に用いられている。

b: 液晶は発光素子である。

c: ツェナーダイオードは可視光センサである。

d: 光電子増倍管はシンチレーションカウンタに用いられている。

e: ホトダイオードは光通信に用いられている。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

誤っているのはどれか。

1: 不純物を含まない半導体を真性半導体という。

2: シリコン(Si)にリン(P)を加えるとn形半導体になる。

3: ユニポーラトランジスタにはpチャネルとnチャネルの2種類がある。

4: ユニポーラトランジスタは電圧制御形である。

5: MOSトランジスタはバイポーラトランジスタの一種である。

正しいのはどれか。

a: LEDの発光強度は加えた電圧に比例する。

b: LEDの発光波長は流した電流に比例する。

c: LEDの順方向電圧は整流用ダイオードよりも高い。

d: フォトダイオードの出力電流はアノードから流出する方向に流れる。

e: フォトダイオードの出力電流は入射光が強くなると増加する。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

半導体について誤っているのはどれか。

1: 金属と絶縁体の中間の電気抵抗を示す。

2: p型半導体とn型半導体を接合させると整流現象を示す。

3: 温度が上昇すると導電率は減少する。

4: ゲルマニウムに3価の不純物を添加した半導体は正孔が電気伝導をになう。

5: 電流と直角に磁場をかけると両者に直交する方向に起電力を生ずる。

図に示す回路について正しいのはどれか。

a: エミッタ接地トランジスタ増幅回路である。

b: 直流増幅回路である。

c: FET増幅回路である。

d: 電源電圧VDDとして負電圧を加える。

e: R2は増幅素子保護のための抵抗である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

光エレクトロニクスについて正しいのはどれか。

1: 光ファイバは発光する線維の一種である。

2: 半導体レーザは発光素子の一種である。

3: CCDは光の波長を区別して三原色を検出する。

4: 発光ダイオードはレーザメスに用いられる。

5: 太陽電池は主に熱を電気に変換する。

半導体について誤っているのはどれか。

1: 真性半導体は4個の価電子が共有結合したものである。

2: n形半導体は真性半導体にドナーを加えたものである。

3: アクセプタとは3価の不純物を指す。

4: 正孔とは価電子の抜けた状態を指す。

5: p形半導体の多数キャリアは自由電子である。