第28回国試午前53問の類似問題

国試第24回午前:第58問

半導体メモリで正しいのはどれか。(医用電気電子工学)

1: ROMは演算の途中結果を記憶する。

2: ROMは電源を切ると書き込まれていた内容が消える。

3: SRAMの記憶素子はコンデンサである。

4: DRAMはリフレッシュが必要である。

5: RAMは読み取り専用の記憶素子である。

国試第10回午後:第12問

電子素子について正しいのはどれか。

a: サーミスタは温度変化に対して抵抗値の変化が大きい。

b: バリスタは加える電圧により抵抗値が変化する。

c: 硫化カドミウム(CdS)は光の強さに応じて起電力が変化する。

d: ホトダイオードは磁気‐電気変換素子である。

e: 発光ダイオード(LED)は電気‐光変換素子である。

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第2回午後:第20問

差動増幅器について誤っているのはどれか。

1: 周囲の温度変化に対して比較的安定している。

2: 2個以上のトランジスタやFETを用いて構成されている。

3: 電源電圧の変動に対しては比較的強い。

4: 二つの入力端子があり、一つの端子にのみ信号を加えてもよい。

5: CMRR(同相弁別比)は小さい方がよい。

国試第12回午後:第12問

正しいのはどれか。

a: 金属中を流れる電流は正負2種類の電荷で構成される。

b: 半導体の導電率は温度が高くなると増加する。

c: 半導体の導電率は含まれる不純物元素の種類や量に依存する。

d: 金属の導電率は温度が低くなると減少する。

e: 半導体の導電率は周波数とは無関係である。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e