図の構造を持つ電子デバイスはどれか。
1: バイポーラトランジスタ
2: MOS-FET
3: 接合形FET
4: サイリスタ
5: フォトダイオード
トランスデューサと基本原理の組合せについて誤っているのはどれか。
1: ISFET -- ペルチェ効果
2: SQUID -- ジョセフソン効果
3: フォトダイオード -- 光起電力効果
4: 熱電対 -- ゼーベック効果
5: PZT -- 圧電効果
正しいのはどれか。
a: バイポーラトランジスタを用いて信号の増幅が行える。
b: FETを用いて論理回路は構成できない。
c: 演算増幅器は論理演算回路を集積して作られている。
d: 論理回路と抵抗、コンデンサを用いて能動フィルタを構成する。
e: C-MOS論理回路の特徴の一つは消費電力が小さいことである。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
a: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
b: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流れる。
c: p形半導体の多数牛ヤリアは電子である。
d: MOSFETの入力インピ-ダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
e: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。
バイポーラトランジスタについて正しいのはどれか。
a: n形とp形の半導体によって構成される。
b: 電界効果トランジスタより入力インピーダンスが高い。
c: エミッタ接地電流増幅率は1より小さい。
d: 正負2種類の電荷が動作に寄与している。
e: アナログ増幅にもスイッチングにも用いられる。
1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e
1: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
2: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流
3: p 形半導体の多数キャリアは電子である。
4: MOSFET の入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
5: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。
半導体について誤っているのはどれか。
1: 金属と絶縁体の中間の電気抵抗を示す。
2: p型半導体とn型半導体を接合させると整流現象を示す。
3: 温度が上昇すると導電率は減少する。
4: ゲルマニウムに3価の不純物を添加した半導体は正孔が電気伝導をになう。
5: 電流と直角に磁場をかけると両者に直交する方向に起電力を生ずる。
1: 真性半導体は4個の価電子が共有結合したものである。
2: n形半導体は真性半導体にドナーを加えたものである。
3: アクセプタとは3価の不純物を指す。
4: 正孔とは価電子の抜けた状態を指す。
5: p形半導体の多数キャリアは自由電子である。
電子部品について正しいのはどれか。
a: ピエゾ素子は磁束密度を検出する。
b: CdSは光を受けると起電力が発生する。
c: フォトダイオードは受光量に関係なく一定電流が流れる。
d: オペアンプは多数のトランジスタで構成されている。
e: ツェナーダイオードは一定の電圧を得るために用いる。
図に示す回路について正しいのはどれか。
a: エミッタ接地トランジスタ増幅回路である。
b: 直流増幅回路である。
c: FET増幅回路である。
d: 電源電圧VDDとして負電圧を加える。
e: R2は増幅素子保護のための抵抗である。
1: 主に4価の元素が材料として使われる。
2: 抵抗率は導体より大きい。
3: 真性半導体では温度が高くなると導電率が増加する。
4: 同一電界中での電子の平均速度は銅線中よりも遅い。
5: キャリアとして電子と正孔がある。
ダイオードについて誤っているのはどれか。
1: p形とn形の半導体が接合した構造である。
2: 順バイアス時には印加電圧の増加とともに電流が指数関数的に増加する。
3: 逆バイアス時には印加電圧の増加とともに電流が減少する。
4: 逆バイアス電圧によって空乏層容量を変えることができる。
5: 逆バイアス電圧が大きいと降伏現象を生じる。
1: 半導体の抵抗は温度とともに高くなる。
2: p形半導体の多数キャリアは電子である。
3: シリコンにリンを加えるとp形半導体になる。
4: トランジスタは能動素子である。
5: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。
電気メスについて誤っているのはどれか。
1: フローティング型でも分流熱傷は発生しうる。
2: バイポーラ電極を用いるとモニタ障害が避けられる。
3: 一人の患者に複数台の電気メスを使用できる。
4: ジュール熱を利用している。
5: 心臓ペースメーカのデマンド機能誤作動を誘発する可能性がある。
図に示したトランジスタ回路について正しいのはどれか。
a: エミッタフォロワと呼ばれる。
b: 出力信号電圧は入力信号電圧とほぼ等しい。
c: インピーダンス変換回路として用いられる。
d: 入力信号電流より大きな出力信号電流を取り出すことはできない。
e: 信号の電力増幅を行うことはできない。
a: 金属中を流れる電流は正負2種類の電荷で構成される。
b: 半導体の導電率は温度が高くなると増加する。
c: 半導体の導電率は含まれる不純物元素の種類や量に依存する。
d: 金属の導電率は温度が低くなると減少する。
e: 半導体の導電率は周波数とは無関係である。
電気メスについて正しいのはどれか。
a: スプリット形対極板により電極の接触不良を監視する。
b: 凝固には断続波を用いる。
c: 発振器にはマグネトロンを用いる。
d: 静電結合型対極板の接触抵抗は導電型よりも低い。
e: 対極板面積の安全範囲は出力に依存する。
エミッタフォロアについて正しいのはどれか。
a: インピーダンス変換のために用いられる。
b: エミッタが接地されている。
c: 入力と出力との位相関係は逆相である。
d: 電流増幅度は1以上とならない。
e: 電圧増幅度は1以上とならない。
誤っているのはどれか。
1: 電気力線の密度は電界の強さに比例する。
2: 電気力線は正電荷からはじまって負電荷で終わる。
3: 電位の変化が急激な部分では等電位線の密度が高くなる。
4: 等電位線は交わらない。
5: 電気力線と等電位線は平行である。
a: 切開には連続正弦波が用いられる。
b: 対極板接触面積の増加は熱傷の原因である。
c: 出力回路には抵抗が挿入されている。
d: スプリット型対極板は接触インピーダンスを測定する。
e: バイポーラ電極は挟まれた部位を凝固する。
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