正しいのはどれか。
1: ベース接地は高入力インピーダンスが必要な場合に使われる。
2: 電界効果トランジスタ(FET)は低入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。
3: トランジスタのコレクタ電流はベース電流とほぼ等しい。
4: n型半導体の多数キャリアは電子である。
5: p型半導体の多数キャリアは陽子である。
導体A、B、Cが図のように配置されている。導体Aに正電荷を付与するとき、正しいのはどれか。ただし、各導体間は絶縁されている。
a: 導体Cに静電誘導が生じる。
b: 導体C内に電界が生じる。
c: 導体Bの表面に負の電荷が誘起される。
d: 導体Cの電位が変化しても導体Bの電位は変化しない。
e: 導体Cを接地すると導体Bが静電シールドされる。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
図のように真空中で、2本の平行な無限に長い線状導線1,2に大きさが等しく、反対方向にI[A]の電流が流れているとき、P点での磁界[T]はどれか。ただし、P点は各導線から等しくr[m]離れている。また、μ0は真空の透磁率である。(電気工学)
1: 0
2: $\frac{\mu_0I}{4\pi{r}}$
3: $\frac{\mu_0I}{2\pi{r}}$
4: $\frac{\mu_0I}{\pi{r}}$
5: $\frac{{2\mu}_0I}{\pi{r}}$
誤っているのはどれか。
1: 金属棒の抵抗は断面積に反比例する。
2: 金属棒の抵抗は金属の抵抗率に比例する。
3: 抵抗率の単位として[Ω・m]が使われる。
4: 導電率は抵抗率の逆数である。
5: 導電率の単位として[S]が使われる。
帯電している導体球が真空中におかれている。正しいのはどれか。ただし、導体には電流は流れておらず、すべての電荷が静止しているものとする。
1: 導体表面は等電位面である。
2: 導体内部には一様な電荷が存在する。
3: 導体内部には同心円状に電界が存在する。
4: 導体内部から放射状に電気力線が出入りする。
5: 導体球に帯電体を近づけると導体内部に電位差が生じる。
全く帯電していない完全導体を一様な電界の中に置いた。正しいのはどれか。
a: 電気力線は導体を置く前と置いた後では異なる。
b: 導体の表面には電磁誘導によって負の電荷が現れる。
c: 導体表面の電位は一様ではない。
d: 導体の内部に静電誘導によって負の電荷が現れる。
e: 導体の電荷の総和は0に保たれる。
図のように誘電体を挟んだ平行平板導体に電圧を加えた。正しいのはどれか。
a: 平行導体板間の静電容量は100μFである。
b: 誘電体中に分極が生じる。
c: 誘電体を取り除くと静電容量は1/5になる。
d: 誘電体中の電界の強さは1000V/mである。
e: 誘電体を取り除いたときの電界の強さは500V/mである。
1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e
電気メスについて正しいのはどれか。
a: 高周波電流を使用する。
b: ジュール熱で凝固や切開を行う。
c: 電流は対極板を通じて本体に環流する。
d: 図Aは切閉に使用される電流波形である。
e: 図Bは凝固に使用される電流波形である。
a: 導線に電流を流したとき、その周りの磁界には影響を及ぼさない。
b: 平行な2本の導線に逆方向の電流が流れると導線間には反発力が生じる。
c: 発電機では磁界中で導体を動かすことにより起電力を発生させている。
d: 棒磁石を直線電流と平行に置いたとき、棒磁石は力を受けない。
e: 電子が直線電流の近くを同方向に走行していると直線電流に向かう力を受ける。
a: 切開には連続正弦波が用いられる。
b: 対極板接触面積の増加は熱傷の原因である。
c: 出力回路には抵抗が挿入されている。
d: スプリット型対極板は接触インピーダンスを測定する。
e: バイポーラ電極は挟まれた部位を凝固する。
a: CMOS回路は消費電力が少ない。
b: LEDはpn接合の構造をもつ。
c: FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。
d: 接合型FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。
e: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。
生体用金属電極で誤っているのはどれか。
1: 電極インピーダンスは周波数の増加とともに減少する。
2: 生体との接触面は金属でなければならない。
3: 接触インピーダンスは接触面積が大きいほど小さい。
4: 電極電位の差を少なくするために同じ金属の電極を使用する。
5: 電極インピーダンスは電気化学反応による。
生体組織の受動的な電気特性で誤っているのはどれか。(生体物性材料工学)
1: 細胞内外液中のイオンが関係している。
2: 組織によって異なった値を示す。
3: 分散特性がある。
4: 薄い細胞膜は細胞が大きな静電容量をもつ主因である。
5: 周波数の増加に従い導電率は減少する。
1: 磁界中の電流が受ける力の大きさは電流に比例する。
2: 直線電流の付近では放射状の磁界が発生する。
3: 磁界中を磁界の方向と直角に走行する電子は力を受けない。
4: 2本の平行導線に同方向に電流が流れていると両者の間に力は働かない。
5: 直線電流に平行に置かれた棒磁石は力を受けない。
a: 対極板の接触面積は10cm前後である。
b: ゲルパッド型は静電結合である。
c: 導電結合型対極板は、静電結合型よりも接触インピーダンスが高い。
d: 高周波漏れ電流の測定には200Ωの無誘導抵抗を使用する。
e: アクティブ電極と生体接触部のインピーダンスは400Ω前後である。
a: バイポーラ電極は対極板が必要である。
b: 凝固にはバースト波を用いる。
c: 身体の部分同士の接触が分流熱傷の原因となる。
d: ペースメーカ障害の原因となる。
e: 出力電力の増加に伴い対極板の必要面積は減少する。
トランジスタについて誤っているのはどれか。(電子工学)
1: インピーダンス変換回路はコレクタ接地で作ることができる。
2: FETは高入力インピーダンスの回路を実現できる。
3: FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。
4: MOSFETは金属一酸化膜一半導体の構造をもつ。
5: FETはユニポーラトランジスタともいう。
電源回路について誤っているのはどれか。
1: リップル率は全波整流回路の方が半波整流回路より小さい。
2: 回路構成は定電圧回路を平滑回路の前に置く。
3: 平滑回路はコンデンサの充放電を利用して交流成分を取り除く。
4: 定電圧回路にはツェナーダイオードが用いられる。
5: 出力電圧の変動は入力電圧と出力電流との変動により起こる。
1: 直線電流の近くでは、電流と平行に磁界が発生する。
2: 円形コイルに電流を流すと、コイル面内で中心に向かう磁界が発生する。
3: 一様な磁界中に棒磁石を磁界と直角に置くと、磁石は力を受けない。
4: 磁界中を磁界と直角方向に走行する電子は力を受けない。
5: 2本の平行導線に同方向に電流が流れていると、両者の間に力が働く。
正しい組合せはどれか。
a: 光電脈波計 ――― CdS ―――------ 電気抵抗
b: サーモグラフ ―― HgCdTe ―-―---- 電気抵抗
c: シンチグラフ ―― NaI ―――-------- 光
d: 心磁計 ――---- ホール素子 ―----― 静電容量
e: pHメータ ―----- アンチモン電極 ―― 静電容量
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