第31回国試午前52問の類似問題

図の回路でスイッチSを閉じた。正しいのはどれか。（電気工学）

1: 直後にコイルにかかる電圧はEに近い。

2: 直後に流れる電流はE/Rに近い。

3: 時間が十分に経過すると抵抗にかかる電圧は0に近づく。

4: 時定数はR/Lである。

5: 抵抗で消費される電力は時間の経過に関係なく一定である。

正しいのはどれか。

a: 生体電気信号の導出には単極誘導と双極誘導とがある。

b: 金属と電解質との接触面の静止電位は材質にかかわらず一定である。

c: 皮膚インピーダンスは抵抗と電気容量との直列回路で近似される。

d: ArAgCl電極は不分極電極として生体用電極に用いられる。

e: 電極接触インピーダンスは周波数依存性を示す。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

断面積S、長さlの導体の長さ方向に一定電圧が加えられているとき正しいのはどれか。

a: 導体の抵抗はSとlの積に比例する。

b: 導体の抵抗はlに比例してSに反比例する。

c: 1が2倍になると流れる電流は0.5倍になる。

d: Sが2倍になると流れる電流は4倍になる。

e: Sが小さくなると電流によって発生する熱は増加する。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図のように誘電体を挟んだ平行平板導体に電圧を加えた。正しいのはどれか。

a: 平行導体板間の静電容量は100μFである。

b: 誘電体中に分極が生じる。

c: 誘電体を取り除くと静電容量は1/5になる。

d: 誘電体中の電界の強さは1000V/mである。

e: 誘電体を取り除いたときの電界の強さは500V/mである。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

正しいのはどれか。

1: 直線電流の近くでは、電流と平行に磁界が発生する。

2: 円形コイルに電流を流すと、コイル面内で中心に向かう磁界が発生する。

3: 一様な磁界中に棒磁石を磁界と直角に置くと、磁石は力を受けない。

4: 磁界中を磁界と直角方向に走行する電子は力を受けない。

5: 2本の平行導線に同方向に電流が流れていると、両者の間に力が働く。

正しいのはどれか。

1: ベース接地は高入力インピーダンスが必要な場合に使われる。

2: 電界効果トランジスタ(FET)は低入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。

3: トランジスタのコレクタ電流はベース電流とほぼ等しい。

4: n型半導体の多数キャリアは電子である。

5: p型半導体の多数キャリアは陽子である。

静電界中の導体について誤っているのはどれか。

a: 導体内部に電界が存在する。

b: 導体表面に電荷が存在する。

c: 電気力線は導体表面に垂直である。

d: 導体の表面は等電位面である。

e: 導体にうず電流が流れる。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図のような電気系と機械系で電圧と力とを対応させたとき、その他の量の対応関係で誤っている組合せはどれか。

1: 電流 ―――――――― 速度

2: 電荷 ―――――――― 変位

3: 抵抗 ―――――――― 加速度

4: インダクタンス ―――-- 質量

5: キャパシタンス ―――-- バネ定数の逆数

正しいのはどれか。

a: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

b: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流れる。

c: p形半導体の多数牛ヤリアは電子である。

d: MOSFETの入力インピ-ダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

e: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

真空中に 1 C（クーロン）の点電荷 A と 2 C の点電荷 B が 1 m の距離で存在する。正しいのはどれか。

1: B の受ける力は、A の受ける力の 2 倍である。

2: B の受ける力の方向は、A、B を結ぶ直線に垂直である。

3: A、B 間の距離を 0．5 m にすると、B の受ける力は 2 倍になる。

4: A の電荷量を 2 倍にすると、A 及び B の受ける力は 2 倍になる。

5: A 及び B の電荷量を両方とも 2 倍にしても、A の受ける力は変わらない。

真空中に1C（クーロン）の点電荷Aと2C（クーロン）の点電荷Bが距離1cm離れて存在する。正しいのはどれか。

a: Bが受ける力はAの受ける力の2倍である。

b: A及びBの電荷量をいずれも2倍にすればAの受ける力は変わらない。

c: Aの電荷量を2倍にすると、A及びBの受ける力はいずれも2倍になる。

d: A、B間の距離を0.5cmにするとBの受ける力は4倍になる。

e: Bが受ける力の方向は、A、Bを結ぶ直線に垂直である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図のような一様電界中の点Aに+q〔C〕の電荷がある。この電荷をAからBへ動かすときの仕事〔J〕はどれか。ただし、電界の強さをE〔V/m〕、BC間の距離をx〔m〕、CA間の距離をy〔m〕とする。（電気工学）

1: qEx

2: qEy

3: qEx+qEy

4: qEx/sinθ

5: qEx/cosθ

正しいのはどれか。

a: 図1に示す電極板間の電界の強さは$\frac{V}{S}$である。

b: 図2に示す電極板間の電界の強さは$\frac{Qd}{S}$である。

c: 図1に示す電極板間に比誘電率εrの誘電体を狭むと電界の強さは$\frac{1}{\varepsilon_r}$となる。

d: 図2に示す電極板間に比誘電率εrの誘電体を狭むと電界の強さは$\frac{1}{\varepsilon_r}$となる。

e: 図1の電極板の間隔を$\frac{d}{2}$にすると電界の強さは2倍になる。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

電気メスについて正しいのはどれか。

a: 凝固出力は連続波である。

b: 点検用負荷抵抗には無誘導抵抗器が使用される。

c: 対極板面積の安全範囲は出力に依存する。

d: 静電結合型対極板の表面は絶縁されている。

e: スプレー凝固では雑音障害は発生しない。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

半導体について正しいのはどれか。

a: 温度が上昇しても抵抗は変化しない。

b: 不純物を含まない半導体を真性半導体と呼ぶ。

c: Siに第3族のGaを加えるとp形半導体になる。

d: n形半導体の多数キャリアは正孔(ホール)である。

e: pn接合は発振作用を示す。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

真空中に2Cの電荷Aと-1Cの電荷Ｂが距離1m離れて存在する。正しいのはどれか。

a: AはBに引き付けられる向きに力を受ける。

b: Aの受ける力はBの受ける力の2倍である。

c: BはAに反発される向きに力を受ける。

d: AB間の距離を10mにするとAの受ける力は1/10になる。

e: AB間の距離を50cmにするとBの受ける力は4倍になる。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

半導体の性質として正しいのはどれか。 

1: n型半導体の自由電子と正孔の数は等しい。 

2: p型半導体の多数キャリアは自由電子である。 

3: 真性半導体ではどんな温度でも自由電子が存在しない。 

4: 真性半導体に自由電子を供給する不純物をアクセプタという。 

5: 共有結合から自由電子が移動して空になった部分を正孔という。 

図の回路について正しいのはどれか。ただし、Aは理想増幅器とする。（電子工学）

a: 入力インピーダンスは大きい。

b: 入力と出力は逆位相である。

c: 反転増幅回路である。

d: 入力は正電圧でなければならない。

e: 入力電圧の1倍が出力される。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

電気メスについて正しいのはどれか。

a: 切開には連続正弦波が用いられる。

b: 対極板接触面積の増加は熱傷の原因である。

c: 出力回路には抵抗が挿入されている。

d: スプリット型対極板は接触インピーダンスを測定する。

e: バイポーラ電極は挟まれた部位を凝固する。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

半導体について誤っているのはどれか。

1: 主に4価の元素が材料として使われる。

2: 抵抗率は導体より大きい。

3: 真性半導体では温度が高くなると導電率が増加する。

4: 同一電界中での電子の平均速度は銅線中よりも遅い。

5: キャリアとして電子と正孔がある。