図の回路でRを流れる電流が0.1mAであるとき、Rは何kΩか。ただし、オペアンプは理想オペアンプとする。
1: 0.1
2: 1.0
3: 2.0
4: 5.0
5: 10.0
図のいずれかの回路で、電流計および電圧計の指示値IおよびVから、R=V/Iによって抵抗の値Rを求めたい。抵抗の値がおおよそ下記であるとき、いずれの回路で測定しても誤差が1%以下なのはどれか。ただし電流計および電圧計の内部抵抗はおおよそ1Ω及び50kΩであり、いずれの計器も正確に校正されているものとする。
1: 20Ω
2: 200Ω
3: 2kΩ
4: 20kΩ
5: 200kΩ
共振周波数がfであるRLC直列回路がある。Cを求める関係式はどれか。
1: $ \frac {1}{2\pi fL}$
2: $ \frac {1}{4\pi fL}$
3: $ \frac {L}{2\pi fL}$
4: $ \frac {L}{4\pi f^{2}}$
5: $ \frac {1}{4\pi ^{2}f^{2}L}$
図の回路で、R2の消費電力が1WであるときにR1の両端の電圧はどれか。ただし、R1=2Ω、R2=4Ω、R3=2Ωである。
1: 3V
2: 5V
3: 7V
4: 9V
5: 11V
図の回路でab間の正弦波交流電力(有効電力)を求める式として正しいのはどれか。
1: (電圧の振幅値)×(電流の振幅値)
2: (電圧の実効値)×(電流の実効値)
3: (電圧の振幅値)×(電流の振幅値)×(力率)
4: (電圧の実効値)×(電流の実効値)×(力率)
5: (電圧の実効値)x(電流の実効値)×(無効率)
図の正弦波交流電圧波形について正しいのはどれか。
a: 周波数は 50 Hz である。
b: 角周波数は 50π rad/s である。
c: 周期は 10 ms である。
d: 電圧の平均値は 110 V である。
e: 電圧の実効値は 100 V である。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
図の回路において、V1.0Vのとき、抵抗Rに流れる電流は10μAであった。この回路の利得[dB]はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とし、10g102=0.3とする。
1: 0
2: 6
3: 12
4: 26
5: 40
図の回路について正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器である。
a: 入力インピーダンスは無限大である。
b: 電圧増幅度は0 dBである。
c: 入力電圧viと出力電圧voは逆位相である。
d: 正帰還が用いられている。
e: インピーダンス変換の働きをする。
1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e
図1の片対数グラフは、図2の回路においてスイッチSを①にしてコンデンサCを10Vに充電後、スイッチを③にして抵抗Rで放電したときのコンデンサCにかかる電圧の経時変化である。およその時定数[秒]はどれか。ただし、自然対数の底はe = 2.7とする。
1: 0.5
2: 1
3: 2
4: 5
5: 8
図に示したトランジスタ回路について正しいのはどれか。
a: エミッタフォロワと呼ばれる。
b: 出力信号電圧は入力信号電圧とほぼ等しい。
c: インピーダンス変換回路として用いられる。
d: 入力信号電流より大きな出力信号電流を取り出すことはできない。
e: 信号の電力増幅を行うことはできない。
正しいのはどれか。
a: 導線に電流を流したとき、その周りの磁界には影響を及ぼさない。
b: 平行な2本の導線に逆方向の電流が流れると導線間には反発力が生じる。
c: 発電機では磁界中で導体を動かすことにより起電力を発生させている。
d: 棒磁石を直線電流と平行に置いたとき、棒磁石は力を受けない。
e: 電子が直線電流の近くを同方向に走行していると直線電流に向かう力を受ける。
図のPN接合で正しいのはどれか。
a: 多数キャリアAには右方向に力が作用する。
b: 多数キャリアBは電子である。
c: 電圧Eを高くしていくと降伏現象が生じる。
d: 電圧Eを高くすると空乏層が小さくなる。
e: 電圧Eを高くすると拡散電位が高くなる。
a: 平行な2本の導線に逆方向の電流が流れると導線間に反発力が生じる。
b: 2個の棒状磁石を平行に並べてもその間に力は働かない。
c: 導線に電流を流したとき、その周りの磁界は変化しない。
d: 直線電流と平行に電流と同じ向きに電子が移動すると電子は電流から遠ざかる方向の力を受ける。
e: 発電機では磁界中で導体を動かすことによって起電力を発生させる。
a: 理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。
b: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。
c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
d: FET のn形チャネルの多数キャリアは電子である。
e: CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。
内部抵抗r=2kΩ、最大目盛1Vの直流電圧計Ⓥに、図のように抵抗R1とR2を接続し、端子b、d間で最大10V、端子c、d間で最大100Vの電圧が計測できるようにしたい。抵抗R1とR2の組合せで正しいのはどれか。ただし、選択肢は【R1】 -- 【R2】とする。
1: 18KΩ -- 180KΩ
2: 18KΩ -- 198KΩ
3: 18KΩ -- 200KΩ
4: 20KΩ -- 180KΩ
5: 20KΩ -- 200KΩ
図の単相変圧器の2次側端子間に2Ωの抵抗を接続して1次側端子に交流電圧450Vを印加したところ、1次電流は1Aとなった。I2/I1の値はどれか。
1: 1
2: 3
3: 5
4: 15
5: 30
図の回路は、電圧増幅度 26 dB、入力抵抗 100 kΩ の増幅回路である。抵抗 R1と R2 の組合せはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器で、log10 2 = 0.3 とする。
1: R1 = 5 kΩ、 R2 = 100 kΩ
2: R1 = 100 kΩ、 R2 = 1 MΩ
3: R1 = 100 kΩ、 R2 = 2 MΩ
4: R1 = 200 kΩ、 R2 = 4 MΩ
5: R1 = 200 kΩ、 R2 = 6 MΩ
1: 電界の強さは1Cの電荷に働く力によって定義される。
2: 単一電荷によって生じる電界の強さは電荷からの距離に反比例する。
3: 単一電荷によって生じる電位は電荷からの距離の2乗に反比例する。
4: 電位は1Cの電荷を動かすのに要する力である。
5: 電位はベクトル量である。
誤っているのはどれか。
1: 金属棒の抵抗は断面積に反比例する。
2: 金属棒の抵抗は金属の抵抗率に比例する。
3: 抵抗率の単位として[Ω・m]が使われる。
4: 導電率は抵抗率の逆数である。
5: 導電率の単位として[S]が使われる。
図の回路のキャパシタに蓄えられているエネルギー[J]はどれか。
1: CRI^2
2: CR/2I^2
3: I/2CR
4: CIR/4
5: CI^2R^2/2
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