第15回国試午後12問の類似問題

電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。

a: FETには接合形と金属酸化膜形の二種類がある。

b: MOS-FETは金属一酸化膜一半導体の構造をもつ。

c: FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。

d: FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。

e: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて大きい。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

1: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

2: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流

3: p 形半導体の多数キャリアは電子である。

4: MOSFET の入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

5: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。

正しいのはどれか。（医用電気電子工学）

1: 理想ダイオード゛の順方向抵抗は無限大である。

2: ダイオード゛に順方向の電圧を加えるとpn接合部に空乏層が生じる。

3: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

4: FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。

5: バイポーラトランジスタはp形半導体のみで作られる。

電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。

a: MOS-FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。

b: FETはユニポーラトランジスタである。

c: FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。

d: FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。

e: FETは高入カインピーダンス素子である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

誤っているのはどれか。

1: FETの種類としてジャンクション形とMOS形とがある。

2: バイポーラトランジスタでは正孔と電子とにより電流が形成される。

3: ダイオードの端子電圧と電流との関係は線形である。

4: トランジスタの接地法のうち、エミッタ接地は一般によく用いられる。

5: FETは可変抵抗素子としても使われる。

電界効果トランジスタ（FET）について誤っているのはどれか。

1: 電圧制御型の素子である。

2: ユニポーラトランジスタとも呼ばれる。

3: 接合型FETはゲートに酸化膜を用いている。

4: 接合型FETは空乏層の厚さによりドレイン電流を制御する。

5: MOS型FETにはエンハンスメント型とデプレッション型がある。

半導体について誤っているのはどれか。

1: 金属と絶縁体の中間の電気抵抗を示す。

2: p型半導体とn型半導体を接合させると整流現象を示す。

3: 温度が上昇すると導電率は減少する。

4: ゲルマニウムに3価の不純物を添加した半導体は正孔が電気伝導をになう。

5: 電流と直角に磁場をかけると両者に直交する方向に起電力を生ずる。

電子部品について正しいのはどれか。 

a: ピエゾ素子は磁束密度を検出する。 

b: CdSは光を受けると起電力が発生する。 

c: フォトダイオードは受光量に関係なく一定電流が流れる。 

d: オペアンプは多数のトランジスタで構成されている。 

e: ツェナーダイオードは一定の電圧を得るために用いる。  

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

半導体について正しいのはどれか。

a: 温度が上昇しても抵抗は変化しない。

b: 不純物を含まない半導体を真性半導体と呼ぶ。

c: Siに第3族のGaを加えるとp形半導体になる。

d: n形半導体の多数キャリアは正孔(ホール)である。

e: pn接合は発振作用を示す。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

生体電気信号増幅器の入力インピーダンスについて正しいのはどれか。

a: 入力信号の周波数に依存する。

b: 電極接触インピーダンスより充分大きくする。

c: 入力電圧と入力電流の波形から位相特性がわかる。

d: 単位にはデシベルを用いる。

e: 入力部に電界効果トランジスタを使うと小さくなる。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

図の構造を持つ電子デバイスはどれか。

1: バイポーラトランジスタ

2: MOS-FET

3: 接合形FET

4: サイリスタ

5: フォトダイオード

正しいのはどれか。

a: CMOS回路は消費電力が少ない。

b: LEDはpn接合の構造をもつ。

c: FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。

d: 接合型FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。

e: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

半導体について誤っているのはどれか。

1: 真性半導体は4個の価電子が共有結合したものである。

2: n形半導体は真性半導体にドナーを加えたものである。

3: アクセプタとは3価の不純物を指す。

4: 正孔とは価電子の抜けた状態を指す。

5: p形半導体の多数キャリアは自由電子である。

生体電気信号増幅器の入力インピーダンスについて正しいのはどれか。

a: 大きさは入力信号の周波数に依存する。

b: 電極接触インピーダンスよりも十分大きくする。

c: 入力電圧と入力電流の波形から位相特性がわかる。

d: 単位にはデシベルを用いる。

e: 入力部に電界効果トランジスタを使うと小さくなる。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

エミッタフォロアについて正しいのはどれか。

a: インピーダンス変換のために用いられる。

b: エミッタが接地されている。

c: 入力と出力との位相関係は逆相である。

d: 電流増幅度は1以上とならない。

e: 電圧増幅度は1以上とならない。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図の回路について正しいのはどれか。ただし、トランジスタは理想トランジスタとする。

1: コレクタ電流が増加するとコレクタ電圧も増加する。

2: ベース電流が流れないときコレクタ電圧はゼロである。

3: Viが負のときベース電流が流れる。

4: ベース電流によってコレクタ電流を制御できる。

5: ベース電流はエミッタ電流より大きい。

図の回路について正しいのはどれか。ただし、Aは理想増幅器とする。（電子工学）

a: 入力インピーダンスは大きい。

b: 入力と出力は逆位相である。

c: 反転増幅回路である。

d: 入力は正電圧でなければならない。

e: 入力電圧の1倍が出力される。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

演算増幅器について正しいのはどれか。

a: 一般に出力インピーダンスが高い。

b: 電圧利得が非常に高いので、一般に負帰還をかけて使用する。

c: 直流から交流信号まで増幅することができる。

d: アナログ信号は増幅できるが、ディジタル信号を扱う回路には使用できない。

e: 演算増幅器を用いてインピーダンス変換回路をつくるのは難しい。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

電子回路による電気信号の増幅について正しいのはどれか。

1: 増幅度(利得)が大きいほど信号対雑音比(S/N)が大きい。

2: 電圧増幅するためには増幅器の入力インピーダンスは大きい方がよい。

3: 最もよく用いられる半導体の増幅素子はダイオードである。

4: 半導体工学の進歩によりどのように小さな信号を増幅する場合でも雑音を問題にする必要がなくなった。

5: 生体信号を計測するときには増幅器の入力インピーダンスより出力インピーダンスに注意する必要がある。

半導体素子について正しいのはどれか。

a: 半導体レーザは主に紫外域の光を発する。

b: ホトダイオードの原理はCDS素子と同じである。

c: バイポーラトランジスタは電流で電流をコントロールする増幅素子である。

d: 半導体のホール素子は磁気検出に用いられる。

e: 熱電対は半導体素子である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e