第7回国試午後15問の類似問題

真理値表を満たす論理演算回路はどれか。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図1の回路に図2の入力vi(実線)を与えて出力vo(破線)が得られたとき正しいのはどれか。

1: CR<T

2: CR=T

3: CR=1/T

4: 2T>CR>T

5: CR>2T

図の回路において時刻t ＝ 0sでスイッチを閉じた。出力電圧V0の経過を表す式はどれか。ただし、コンデンサの初期電荷はゼロとし、Aは理想演算増幅器とする。

1: V0 = 2t

2: V0 = -2t

3: V0 = 0

4: V0 = (1/t)

5: V0 = - (1/t)

図に示す電流経路について正しいのはどれか。

a: 1は装着部に乗った電源電圧による患者漏れ電流である。

b: 2は外装漏れ電流である。

c: 3は信号入出力部にのった電源電圧による患者漏れ電流である。

d: 4は患者測定電流である。

e: 5は接地漏れ電流である。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

論理式 X＝A･B+A･Cと等価な論理回路はどれか。

図の回路について誤っているのはどれか。 

a: 時定数は1msである。 

b: 遮断周波数は約160Hzである。 

c: 遮断周波数より十分に高い周波数では積分回路として動作する。 

d: 遮断周波数で出力電圧は入力電圧の1/2に減衰する。 

e: 入出力電圧の位相差は周波数によらず一定である。 

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。

b: ユニポーラトランジスタは電流制御素子である。

c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

d: 接合型 FET の n 形チャネルの多数キャリアは電子である。

e: CMOS 回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

真理値表に対応する論理演算はどれか。

1: AND演算

2: NAND演算

3: OR演算

4: NOR演算

5: Exclusive OR演算

図の回路について誤っているのはどれか。

a: 遮断周波数で出力電圧の減衰が最も大きい。

b: 遮断周波数は約160Hzである。

c: 時定数は1msである。

d: 遮断周波数より十分に高い周波数では積分回路として動作する。

e: 入出力電圧の位相差は周波数によらず一定である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e