医用電気電子工学の過去問


国試第34回午前:第54問

図の回路の電圧利得が 20 dB であるとき、R[kΩ]はどれか。

34-AM-54

1: 1

2: 2

3: 5

4: 7

5: 10

国試第34回午前:第53問

LED について正しいのはどれか。

a: 発光強度は流した電流に比例する。

b: 2 つの端子に極性はない。

c: 発光効率は白熱電球と同等である。

d: 発光波長は使用する半導体材料により異なる。

e: 電流と電圧の関係は指数関数にしたがう。

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第34回午前:第52問

正しいのはどれか。

1: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

2: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流

3: p 形半導体の多数キャリアは電子である。

4: MOSFET の入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

5: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。

国試第34回午前:第50問

図の正弦波交流波形において、電圧波形 v(実線)と電流波形(点線) i の位 相差(角度)は π/3rad である。有効電力[W]はどれか。

34-AM-50

1: 5

2: 10

3: 12.5

4: 25

5: 50

国試第34回午前:第48問

図の回路でキルヒホッフの法則を用いた解法について誤っているのはどれか。

34-AM-48

1: 図の回路には三つの閉回路がある。

2: a 点の電位は起電力 E 2 と R 2 両端の電圧降下との差となる。

3: a 点に流れ込む電流と a 点から流れ出す電流の和は等しい。

4: 一つの閉回路に含まれる電圧降下の大きさと起電力の大きさは等しい。

5: 一つの閉回路内で設定する電流の向きによって起電力の正負は変わる。

国試第34回午前:第47問

磁気の性質について正しいのはどれか。

1: 無限に長いソレノイドでは内部の磁束密度は一様である。

2: 有限長のソレノイドでは外部に一様な磁界が存在する。

3: 一回巻き円形コイルの中心における磁界の大きさは、円形コイルの半径の 2 乗 に反比例する。

4: 直線電流によって生じる磁界の大きさは、電流からの距離の 2 乗に反比例す る。

5: 永久磁石に使用する磁性体の比透磁率は約 1 である。

国試第34回午前:第46問

真空中に 1 C(クーロン)の点電荷 A と 2 C の点電荷 B が 1 m の距離で存在する。正しいのはどれか。

1: B の受ける力は、A の受ける力の 2 倍である。

2: B の受ける力の方向は、A、B を結ぶ直線に垂直である。

3: A、B 間の距離を 0.5 m にすると、B の受ける力は 2 倍になる。

4: A の電荷量を 2 倍にすると、A 及び B の受ける力は 2 倍になる。

5: A 及び B の電荷量を両方とも 2 倍にしても、A の受ける力は変わらない。

国試第33回午後:第62問

(1-j)^4と等しいのはどれか。 ただし、j は虚数単位である。

1: -4

2: -2

3: 0

4: 2

5: 4

国試第33回午後:第61問

生体時系列信号の解析法とその用途との組合せで正しいのはどれか。

1: FFT 視覚誘発電位の検出

2: 加算平(cid:13432)          パワースペクトルの導出

3: 自己相関関数        折り返し雑音の抑制

4: ローパスフィルタ      周期的成分の抽出

5: ハイパスフィルタ      基線動揺の抑制

国試第33回午後:第60問

- 1 V から +1 V の電圧を量子化ビット数 10 bit で AD 変換する。電圧の分解能[mV]に最も近いのはどれか。

1: 1

2: 2

3: 4

4: 8

5: 16

国試第33回午後:第57問

記憶装置について誤っているのはどれか。

1: フラッシュメモリは揮発性メモリの一種である。

2: ハードディスクは情報を磁気的に記録する。

3: RAM は記憶内容を変更することができる。

4: RAM は主記憶装置として使われる。

5: ROM は電源を切っても情報を保持する。

国試第33回午後:第56問

信号に対応して搬送波の振幅が変化するパルス変調はどれか。

1: PAM

2: PFM

3: PNM

4: PPM

5: PWM

国試第33回午後:第55問

図の回路に電圧 V i = 100 sin(10 πt)[V]を入力した。出力電圧 V o の実効値[V]はどれか。

33-PM-55

国試第33回午後:第54問

図の回路で電池に 10 Ω の負荷抵抗 RL を接続したときの Vo が 1.2 V、 20 X の負荷抵抗 RL を接続したときの Vo が 1.6 V であった。この電池の Vs と Rs との組合せで正しいのはどれか。

33-PM-54

国試第33回午後:第53問

ダイオードの順方向における電流電圧特性を図 1 に示す。このダイオード を図 2 のような等価回路(V >= 0.6 V)に置き換えたときの V d と r d との組合せで 正しいのはどれか。

33-PM-53

国試第33回午後:第52問

図の回路の入力インピーダンスはどれか。 ただし、A は理想演算増幅器とし、角周波数を ~、虚数単位を j とする。

33-PM-52

国試第33回午後:第51問

正しいのはどれか。

a: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。

b: ユニポーラトランジスタは電流制御素子である。

c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

d: 接合型 FET の n 形チャネルの多数キャリアは電子である。

e: CMOS 回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第33回午後:第49問

図のような CR 直列回路に連続した方形波を入力させたときについて正しいのはどれか。

33-PM-49

1: 抵抗の両端電圧 vR は積分波形を示す。

2: 回路の時定数は 0.47 ns である。

3: パルス幅に対して時定数は十分小さい。

4: vi~= R・i と表すことができる。

5: キャパシタの両端電圧 vC の波形はほぼ三角波となる。

国試第33回午後:第48問

図の回路で成立するのはどれか。

33-PM-48

a: I 1 - I 2 - I 3 = 0

b: I 1 + I 2 + I 3 = E 1 /R 1

c: I 1 R 1 + I 3 R 3 = E 1 - E 3

d: I 1 R 1 + I 2 R 2 = E 1

e: -I 2 R 2 + I 3 R 3 = E 3

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第33回午後:第47問

インダクタに流れる電流を 1.0 s 間に 0.1 A から 0.2 A に一定の割合で増 加させたところ、1.0 V の誘導起電力が生じた。 このときの、自己インダクタンス[H]はどれか。

1: 0.1

2: 0.5

3: 1

4: 5

5: 10