第34回ME2午前46問の類似問題

トランジスタについて誤っているのはどれか。（電子工学）

1: インピーダンス変換回路はコレクタ接地で作ることができる。

2: FETは高入力インピーダンスの回路を実現できる。

3: FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。

4: MOSFETは金属一酸化膜一半導体の構造をもつ。

5: FETはユニポーラトランジスタともいう。

正しい組合せはどれか。

a: 電子体温計 ―― 温度-抵抗変化

b: 熱電対温度計 ―― 金属膨張変化

c: サーモグラフ ―― マイクロ波放射

d: 深部体温計 ―― ペルチエ効果

e: 鼓膜温計 ―― 赤外放射

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図の回路で消費される正弦波交流電力を求めるため測定を行った。適切でないのはどれか。

a: 抵抗値と抵抗の端子間電圧

b: 抵抗値と回路を流れる電流

c: 容量値と回路の全電圧

d: 抗の端子間電圧と回路の全電圧

e: 電流と回路の全電圧および両者の位相差

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図の漏れ電流測定器具について誤っているのはどれか。

1: 電圧計の入力インピーダンスは1MΩ以上必要である。

2: C1は0.15μFである。

3: R2は1kΩの無誘導抵抗を用いる。

4: C1とR1で構成される低域フィルタの遮断周波数は約1kHzである。

5: 人体の電撃に対する周波数特性を模擬している。

体温計測について正しい組合せはどれか。

a: サーミスタ体温計 電気抵抗変化

b: 熱電対体温計 金属膨張変化

c: サーモグラフ マイクロ波放射

d: 深部体温計 熱流補償

e: 鼓膜体温計 赤外線放射

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

測定対象となる物理量が起電力に変換されるトランスデューサはどれか。

1: CdSe

2: サーミスタ

3: フォトトランジスタ

4: ストレインゲージ

5: 熱電対

半導体について誤っているのはどれか。

1: 主に4価の元素が材料として使われる。

2: 抵抗率は導体より大きい。

3: 真性半導体では温度が高くなると導電率が増加する。

4: 同一電界中での電子の平均速度は銅線中よりも遅い。

5: キャリアとして電子と正孔がある。