正しいのはどれか。
a: n型半導体の多数キャリアは正孔(ホール)である。
b: ダイオードの端子電圧と電流の関係は直線的な比例特性を示す。
c: バイポーラトランジスタの三つの端子はソース、ベース、コレクタである。
d: バイポーラトランジスタでは電流が正孔と電子によって運ばれている。
e: 金属酸化物電界効果トランジスタではゲートには電流はほとんど流れない。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
半導体について誤っているのはどれか。
1: 金属と絶縁体の中間の電気抵抗を示す。
2: p型半導体とn型半導体を接合させると整流現象を示す。
3: 温度が上昇すると導電率は減少する。
4: ゲルマニウムに3価の不純物を添加した半導体は正孔が電気伝導をになう。
5: 電流と直角に磁場をかけると両者に直交する方向に起電力を生ずる。
バイポーラトランジスタについて正しいのはどれか。
a: n形とp形の半導体によって構成される。
b: 電界効果トランジスタより入力インピーダンスが高い。
c: エミッタ接地電流増幅率は1より小さい。
d: 正負2種類の電荷が動作に寄与している。
e: アナログ増幅にもスイッチングにも用いられる。
1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e
トランスデューサと基本原理の組合せについて誤っているのはどれか。
1: ISFET -- ペルチェ効果
2: SQUID -- ジョセフソン効果
3: フォトダイオード -- 光起電力効果
4: 熱電対 -- ゼーベック効果
5: PZT -- 圧電効果
図の構造を持つ電子デバイスはどれか。
1: バイポーラトランジスタ
2: MOS-FET
3: 接合形FET
4: サイリスタ
5: フォトダイオード
誤っているのはどれか。
1: 不純物を含まない半導体を真性半導体という。
2: シリコン(Si)にリン(P)を加えるとn形半導体になる。
3: ユニポーラトランジスタにはpチャネルとnチャネルの2種類がある。
4: ユニポーラトランジスタは電圧制御形である。
5: MOSトランジスタはバイポーラトランジスタの一種である。
a: 金属中を流れる電流は正負2種類の電荷で構成される。
b: 半導体の導電率は温度が高くなると増加する。
c: 半導体の導電率は含まれる不純物元素の種類や量に依存する。
d: 金属の導電率は温度が低くなると減少する。
e: 半導体の導電率は周波数とは無関係である。
a: バイポーラトランジスタを用いて信号の増幅が行える。
b: FETを用いて論理回路は構成できない。
c: 演算増幅器は論理演算回路を集積して作られている。
d: 論理回路と抵抗、コンデンサを用いて能動フィルタを構成する。
e: C-MOS論理回路の特徴の一つは消費電力が小さいことである。
1: 真性半導体は4個の価電子が共有結合したものである。
2: n形半導体は真性半導体にドナーを加えたものである。
3: アクセプタとは3価の不純物を指す。
4: 正孔とは価電子の抜けた状態を指す。
5: p形半導体の多数キャリアは自由電子である。
1: 主に4価の元素が材料として使われる。
2: 抵抗率は導体より大きい。
3: 真性半導体では温度が高くなると導電率が増加する。
4: 同一電界中での電子の平均速度は銅線中よりも遅い。
5: キャリアとして電子と正孔がある。
ダイオードについて誤っているのはどれか。
1: p形とn形の半導体が接合した構造である。
2: 順バイアス時には印加電圧の増加とともに電流が指数関数的に増加する。
3: 逆バイアス時には印加電圧の増加とともに電流が減少する。
4: 逆バイアス電圧によって空乏層容量を変えることができる。
5: 逆バイアス電圧が大きいと降伏現象を生じる。
図に示す回路について正しいのはどれか。
a: エミッタ接地トランジスタ増幅回路である。
b: 直流増幅回路である。
c: FET増幅回路である。
d: 電源電圧VDDとして負電圧を加える。
e: R2は増幅素子保護のための抵抗である。
電子部品について正しいのはどれか。
a: ピエゾ素子は磁束密度を検出する。
b: CdSは光を受けると起電力が発生する。
c: フォトダイオードは受光量に関係なく一定電流が流れる。
d: オペアンプは多数のトランジスタで構成されている。
e: ツェナーダイオードは一定の電圧を得るために用いる。
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