第21回国試午後4問の類似問題

等電位接地で用いる導線の抵抗値（Ω）はどれか。

1: 0.1

2: 1

3: 10

4: 100

5: 1000

等電位接地で用いる導線の抵抗値（Ω）はどれか。

1: 0.1

2: 1

3: 10

4: 100

5: 1000

図の回路において、端子a－b間の合成抵抗はどれか。（医用電気電子工学）

1: 6R

2: 3R

3: 2R

4: R

5: R/2

図の回路のClに25μJのエネルギーが蓄えられているとき、C2に蓄えられている電荷はどれか。

1: 3 μC

2: 5 μC

3: 12.5 μC

4: 15μC

5: 37.5 μC

図の導体 A を静電シールドする場合、正しい方法はどれか。

図1の極板間距離dの平行平板空気コンデンサの極板間を、比誘電率(εr　) 3及び6の材料で図2のように充填すると、静電容量は何倍になるか。

1: 3

2: 4

3: 4.5

4: 5

5: 6

図の正弦波交流回路（f＝50 Hz）で静電容量が10μFのとき電流が最大になった。Lの値[H]に最も近いのはどれか。ただし、π2はおよそ10である。

1: 0.01

2: 0.1

3: 1

4: 10

5: 100

図の直列共振回路のQ(電圧拡大率)に最も近いのはどれか。

1: 0.7

2: 1

3: 1.4

4: 2

5: 2.8

図の回路でAB間の電圧は何Vか。

1: 1

2: 2.5

3: 5

4: 7.5

5: 10

図の電圧増幅回路において入力電圧Viはどれか。（電子工学）

1: 3.0mv

2: 6.0mv

3: 7.5mv

4: 10mv

5: 15mv

図のブリッジ回路において平衡条件は満たされており、端子CD間に電流は流れない。端子AB間の合成抵抗は何Ωか。

1: 5

2: 10

3: 20

4: 30

5: 40

理想的なオペアンプを用いた図の回路の出力電圧はどれか。

1: 0.2V

2: 0.1V

3: 0.0V

4: -0.1V

5: -0.2V

図の回路においてab 間の電圧［V］はどれか。　

1: 5

2: 10

3: 15

4: 20

5: 40

静電容量10μFのコンデンサCを100Vで充電し、50kΩの抵抗RとスイッチSとともに図のような回路を構成した。スイッチSを閉じてから0.5秒後に抵抗Rの両端にかかる電圧［V］に最も近いのはどれか。ただし、自然対数の底eを2.7とする。（医用電気電子工学）

1: 63

2: 50

3: 37

4: 18

5: 0

図のツェナーダイオード(ツェナー電圧3V)を用いた回路で抵抗Rに流れる電流I [mA]はどれか。

1: 0

2: 100

3: 150

4: 250

5: 400

10μFのコンデンサに0.01Cの電荷を充電したときに蓄えられるエネルギー[J]はどれか。

1: 0.005

2: 0.01

3: 5

4: 10

5: 50

図の回路で電源電圧は最大値141Vの正弦波交流である。1kΩの抵抗で消費される電力[W]はどれか。

1: 7

2: 10

3: 14

4: 200

5: 282

図の回路の共振周波数に最も近いのはどれか。

1: 16kHz

2: 100 kHz

3: 160 kHz

4: 1 MHz

5: 1.6 MHz

図の回路で成立するのはどれか。

a: I 1 - I 2 - I 3 = 0

b: I 1 + I 2 + I 3 = E 1 /R 1

c: I 1 R 1 + I 3 R 3 = E 1 - E 3

d: I 1 R 1 + I 2 R 2 = E 1

e: -I 2 R 2 + I 3 R 3 = E 3

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

図の回路で抵抗2Ωでの消費電力が2Wである。電源電圧Eはどれか。（電気工学）

1: 2V

2: 3V

3: 4V

4: 5V

5: 6V