エミッタフォロアについて正しいのはどれか。
a: インピーダンス変換のために用いられる。
b: エミッタが接地されている。
c: 入力と出力との位相関係は逆相である。
d: 電流増幅度は1以上とならない。
e: 電圧増幅度は1以上とならない。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
演算増幅器について正しいのはどれか。
a: 正帰還をかけることによって安定度を改善できる。
b: 負帰還をかけることによって周波数特性を改善できる。
c: コンデンサと抵抗とを組み合わせてフィルタを構成できる。
d: 直流信号は増幅できない。
e: 信号の電力増幅はできない。
正しいのはどれか。（医用電気電子工学）
1: 理想ダイオード゛の順方向抵抗は無限大である。
2: ダイオード゛に順方向の電圧を加えるとpn接合部に空乏層が生じる。
3: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
4: FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。
5: バイポーラトランジスタはp形半導体のみで作られる。
図の回路について正しいのはどれか。ただし、A は理想演算増幅器とする。
a: 遮断周波数は5Hzである。
b: 通過域の増幅度は20dBである。
c: 遮断周波数ではViとVoの位相差はゼロである。
d: 入カインピーダンスは10kΩである。
e: 直流は通過域に含まれる。
図の回路について正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器である。
a: 入力インピーダンスは無限大である。
b: 電圧増幅度は0 dBである。
c: 入力電圧viと出力電圧voは逆位相である。
d: 正帰還が用いられている。
e: インピーダンス変換の働きをする。
1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e
図の回路について、正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。
a: 遮断周波数より十分に低い帯域で微分特性を有する。
b: コンデンサC1と抵抗R2に流れる電流は等しい。
c: 遮断周波数は314Hzである。
d: 直流成分は通過する。
e: 入力インピーダンスは抵抗R1とR2で決まる。
図の回路について誤っているのはどれか。
1: RiとRfが等しいとき、増幅度の絶対値は1である。
2: R;に流れる電流とRに流れる電流の大きさは等しい。
3: VとVの極性は反対である。
4: p点の電位はOVである。
5: 入力インピーダンスは無限大である。
正しいのはどれか。
a: 金属に電界をかけると電界に比例するドリフト電流が流れる。
b: pn接合はオームの法則が成立する二端子の線形素子である。
c: 電子と正孔とが再結合するときはエネルギーを吸収する。
d: バイポーラトランジスタは電子または正孔の1種類のキャリアを利用するものである。
e: FETの特徴はゲート入力抵抗がきわめて高いことである。
a: 正帰還回路は発振回路に用いられる。
b: 直流増幅回路は直流成分だけを増幅する回路である。
c: 負帰還をかけると周波数特性が悪くなる。
d: 負帰還をかけると増幅度が大きくなる。
e: 水晶発振回路はRC発振回路よりも周波数安定度が高い。
図の回路について正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。
a: 時定数は10msである。
b: 通過域の増幅度は20 である。
d: 入カインピーダンスは周波数に反比例する。
e: 遮断周波数より十分に高い帯域で積分特性を有する。
図に示す電流経路について正しいのはどれか。
a: 1は装着部に乗った電源電圧による患者漏れ電流である。
b: 2は外装漏れ電流である。
c: 3は信号入出力部にのった電源電圧による患者漏れ電流である。
d: 4は患者測定電流である。
e: 5は接地漏れ電流である。
1: ベース接地は高入力インピーダンスが必要な場合に使われる。
2: 電界効果トランジスタ(FET)は低入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。
3: トランジスタのコレクタ電流はベース電流とほぼ等しい。
4: n型半導体の多数キャリアは電子である。
5: p型半導体の多数キャリアは陽子である。
電界効果トランジスタ（FET）について誤っているのはどれか。
1: 電圧制御型の素子である。
2: ユニポーラトランジスタとも呼ばれる。
3: 接合型FETはゲートに酸化膜を用いている。
4: 接合型FETは空乏層の厚さによりドレイン電流を制御する。
5: MOS型FETにはエンハンスメント型とデプレッション型がある。
差動増幅器について誤っているのはどれか。
1: 周囲の温度変化に対して比較的安定している。
2: 2個以上のトランジスタやFETを用いて構成されている。
3: 電源電圧の変動に対しては比較的強い。
4: 二つの入力端子があり、一つの端子にのみ信号を加えてもよい。
5: CMRR(同相弁別比)は小さい方がよい。
a: 理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。
b: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。
c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
d: FET のn形チャネルの多数キャリアは電子である。
e: CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。
図の電圧増幅回路において入力電圧Viはどれか。（電子工学）
1: 3.0mv
2: 6.0mv
3: 7.5mv
4: 10mv
5: 15mv
1: npn形バイポーラトランジスタでは、ベース電位がエミッタに対して負のときコレクタ・エミッタ間が導通する。
2: コレクタ接地のトランジスタは低い入力インピーダンスを必要とする場合に用いられる。
3: ジャンクション形FETを用いてインピーダンス変換回路は構成できない。
4: MOS‐FETを用いて論理回路は構成できない。
5: MOS‐FETは高入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。
図の回路はどれか。（電子工学）
1: 微分回路
2: 積分回路
3: ピークホールド回路
4: 比較器
5: 非反転増幅器
トランジスタについて誤っているのはどれか。（電子工学）
1: インピーダンス変換回路はコレクタ接地で作ることができる。
2: FETは高入力インピーダンスの回路を実現できる。
3: FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。
4: MOSFETは金属一酸化膜一半導体の構造をもつ。
5: FETはユニポーラトランジスタともいう。
a: CMOS回路は消費電力が少ない。
b: LEDはpn接合の構造をもつ。
c: FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。
d: 接合型FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。
e: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。
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