図の回路は、電圧増幅度 26 dB、入力抵抗 100 kΩ の増幅回路である。抵抗 R1と R2 の組合せはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器で、log10 2 = 0.3 とする。
1: R1 = 5 kΩ、 R2 = 100 kΩ
2: R1 = 100 kΩ、 R2 = 1 MΩ
3: R1 = 100 kΩ、 R2 = 2 MΩ
4: R1 = 200 kΩ、 R2 = 4 MΩ
5: R1 = 200 kΩ、 R2 = 6 MΩ
正しいのはどれか。
a: 理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。
b: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。
c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
d: FETのnチャネルの多数キャリアは電子である。
e: CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
演算増幅器を用いた微分回路として正しいのはどれか。
図の回路の機能はどれか。
1: 入力信号の電圧を増幅する。
2: 入力信号の電力を増幅する。
3: 搬送波を振幅変調する。
4: 交流電圧を整流する。
5: 特定周波数の正弦波を発生する。
図の回路で入出力の電圧値の関係を満たすR1とR2の比（R1：R2）はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。
1: 2:1
2: 1:2
3: 1:3
4: 1:4
5: 1:5
図の回路の電圧増幅度を20dBとするとき、抵抗Rに流れる電流I[mA]はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。
1: 0.01
2: 0.1
3: 1
4: 10
5: 100
差動増幅器について正しいのはどれか。
a: 一般に2個以上のトランジスタを用いて構成する。
b: 一般に演算増幅器の内部回路として用いられている。
c: 入力端子が2個あるので必ず2個の信号を加えなくてはならない。
d: CMRR(同相弁別比)は小さい。
e: 温度変化に対して比較的安定である。
1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e
a: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。
b: ユニポーラトランジスタは電流制御素子である。
d: 接合型 FET の n 形チャネルの多数キャリアは電子である。
e: CMOS 回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。
図の回路の抵抗R[kΩ]はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。
1: 2
2: 4
3: 6
4: 8
5: 10
図に示す抵抗回路の合成抵抗として正しいのはどれか。
1: 1/3Ω
2: 1Ω
3: 2Ω
4: 5Ω
5: 9Ω
図の回路の電圧増幅度を20 dB とするとき、抵抗Rに流れる電流I[mA]はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。
負帰還増幅回路として正しいのはどれか。
図の回路で出力電圧V0はどれか。ただし、入力電圧V1＝+0.1V、V2＝+0.3V、Aは理想演算増幅器とする。（電子工学）
1: -2V
2: -1V
3: 0V
4: +1V
5: +2V
電子回路による電気信号の増幅について正しいのはどれか。
1: ダイオードを用いると電気信号を増幅することができる。
2: 増幅器において信号電圧が増幅されているとき、出力信号電流は必ず入力信号電流より小さい。
3: 信号電圧も信号電流も出力が入力より大きくなるような増幅器をつくることができる。
4: 雑音を含む信号でも増幅すると、一般に、信号対雑音比が向上する。
5: 一般に、電圧増幅器は出力インピーダンスが大きい方が使いやすい。
電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。
a: FETには接合形と金属酸化膜形の二種類がある。
b: MOS-FETは金属一酸化膜一半導体の構造をもつ。
c: FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。
d: FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。
e: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて大きい。
図の回路の入力インピーダンスはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。（電子工学）
1: R
2: $\frac{1}{R}$
3: $ R+\ j\omega{C}$
4: $ R+\frac {1}{j\omega C}$
5: $\frac {1}{R}+j\omega C$
Showing 41 to 57 of 57 results
