第1回国試午後27問の類似問題

国試第6回午後:第23問

正しいのはどれか。

a: バイポーラトランジスタを用いて信号の増幅が行える。

b: FETを用いて論理回路は構成できない。

c: 演算増幅器は論理演算回路を集積して作られている。

d: 論理回路と抵抗、コンデンサを用いて能動フィルタを構成する。

e: C-MOS論理回路の特徴の一つは消費電力が小さいことである。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第23回午前:第37問

レーザ光について正しいのはどれか。

a: Arレーザは網膜で吸収される。

b: ArFエキシマレーザは角膜で吸収される。

c: CO2レーザは深部凝固に適している。

d: 低出力半導体レーザは精密切開に適している。

e: Nd:YAGレーザ(基本波)はHe-Neレーザより組織侵達度が大きい。

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第34回午前:第52問

正しいのはどれか。

1: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

2: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流

3: p 形半導体の多数キャリアは電子である。

4: MOSFET の入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

5: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。

国試第30回午前:第51問

正しいのはどれか。

a: 理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。

b: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。

c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

d: FET のn形チャネルの多数キャリアは電子である。

e: CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第33回午後:第51問

正しいのはどれか。

a: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。

b: ユニポーラトランジスタは電流制御素子である。

c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

d: 接合型 FET の n 形チャネルの多数キャリアは電子である。

e: CMOS 回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第10回午後:第13問

正しいのはどれか。

a: 液晶は表示装置に用いられる。

b: CCD(電荷結合素子)は表示装置に用いられる。

c: CRTは受光素子である。

d: サイリスタは電源回路に用いられる。

e: 光電子増倍管は受光素子である。

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第18回午前:第57問

光起電力効果を用いて測定するトランスデューサはどれか。(生体計測装置学)

a: 光電池

b: ホトダイオード

c: CdSセル

d: HgCdTe

e: サーモパイル

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e