電子工学の過去問

ツェナー電圧3Vのツェナーダイオードを含む図の回路のV1とV2の関係を示すグラフはどれか。

図の回路について正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

a: 時定数は10msである。

b: 通過域の増幅度は20 である。

c: 遮断周波数ではViとVoの位相差はゼロである。

d: 入カインピーダンスは周波数に反比例する。

e: 遮断周波数より十分に高い帯域で積分特性を有する。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

起電力を生じるデバイスはどれか。

a: 有機EL

b: CdS

c: サーミスタ

d: ホール素子

e: 熱電対

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しい組合せはどれか。

a: PSK ――――― 位相偏移変調

b: FSK ――――― 周波数分割多重

c: PWM ――――- パルス振幅変調

d: PPM ――――- パルス幅変調

e: PCM ――――- パルス符号変調

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図1の回路において図2に示す電圧V1とV2を入力した場合、出力電圧VOの波形で正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

信号源の電圧Vbを図の増幅回路(増幅度K)で計測する。出力　VO　≒　KVbとなる条件はどれか。ただし、増幅回路の入力抵抗をRin、信号源の内部抵抗をRb、リード線の抵抗をReとする。

1: Rin ≪ (Rb + Re)

2: Rin = (Rb + Re)

3: Rin ≫ (Rb + Re)

4: Rb ≫ (Rin + Re)

5: Re ≫ (Rin + Rb)

図1の電圧Viを入力したとき、図2の電圧VOを出力する回路はどれか。ただし、ダイオードは理想ダイオードとする。

電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。

a: MOS-FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。

b: FETはユニポーラトランジスタである。

c: FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。

d: FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。

e: FETは高入カインピーダンス素子である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図の変調方式はどれか。

1: ASK

2: FSK

3: PSK

4: PPM

5: PWM

差動増幅器の入力端子に振幅0.5mVの逆相信号と振幅1Vの同相信号が入力された。出力では逆相信号が1Vに増幅され、同相信号が10mVに減衰した。この差動増幅器の同相除去比(CMRR)[dB]はどれか。ただし、log102は0.3とする。

1: 66

2: 86

3: 92

4: 96

5: 106

図の回路のスイッチが、b0＝1、b1==1のときのVoはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

1: 0

2: -Vr

3: -2Vr

4: -3Vr

5: -4Vr

図の回路の入力電圧Viと出力電圧V｡の関係式(V｡/Vi)はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

1: $ -\left( 1+\frac {R_{2}}{R_{1}}\right) \cdot \frac {R_{4}}{R_{3}}$

2: $ \left( 1+\frac {R_{2}}{R_{1}}\right) \cdot \frac {R_{4}}{R_{3}}$

3: $ -\left( 1+\frac {R_{2}}{R_{1}}\right) \cdot \left( 1+\frac {R_{4}}{R_{3}}\right) $

4: $ \frac {R_{2}}{R_{1}}\cdot \frac {R_{4}}{R_{3}}$

5: $ -\frac {R_{2}}{R_{1}}\cdot \left( 1+\frac {R_{4}}{R_{3}}\right) $

図1に示した特性のダイオードを2つ用いた図2の回路の出力電圧VOの最大値VOmax[V]と最小値VOmin　[V]はどれか。ただし、順方向の電圧降下は0.6Vとする。

1: $ V_{o\max }=0.6$、$V_{o\min }=-0.6$

2: $ V_{o\max }=0.6$、$V_{o\min }=-3.0$

3: $ V_{o\max }=3.0$、$V_{o\min }=-3.0$

4: $ V_{o\max }=3.6$、$V_{o\min }=-3.6$

5: $ V_{o\max }=6.0$、$V_{o\min }=-6.0$

抵抗変化を利用する素子はどれか。

a: サーミスタ

b: CdS

c: ホール素子

d: 熱電対

e: 圧電素子

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図の回路について、正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

a: 遮断周波数より十分に低い帯域で微分特性を有する。

b: コンデンサC1と抵抗R2に流れる電流は等しい。

c: 遮断周波数は314Hzである。

d: 直流成分は通過する。

e: 入力インピーダンスは抵抗R1とR2で決まる。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図の回路の電圧増幅度を20 dB とするとき、抵抗Rに流れる電流I[mA]はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

1: 0.01

2: 0.1

3: 1

4: 10

5: 100

正しいのはどれか。

a: LEDの発光強度は加えた電圧に比例する。

b: LEDの発光波長は流した電流に比例する。

c: LEDの順方向電圧は整流用ダイオードよりも高い。

d: フォトダイオードの出力電流はアノードから流出する方向に流れる。

e: フォトダイオードの出力電流は入射光が強くなると増加する。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

図のPN接合で正しいのはどれか。

a: 多数キャリアAには右方向に力が作用する。

b: 多数キャリアBは電子である。

c: 電圧Eを高くしていくと降伏現象が生じる。

d: 電圧Eを高くすると空乏層が小さくなる。

e: 電圧Eを高くすると拡散電位が高くなる。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

2kHzまでの周波数成分をもつ信号をAM変調し、周波数分割多重によって多チャネル同時通信する。同時に20チャネルの信号を伝送するとき、通信で占有する周波数帯域の合計帯域幅[kHz] はどれか。ただし、AM変調では両側波帯の信号成分を送るものとする。

1: 20

2: 40

3: 80

4: 160

5: 320

図の回路について正しいのはどれか。ただし、A は理想演算増幅器とする。

a: 遮断周波数は5Hzである。

b: 通過域の増幅度は20dBである。

c: 遮断周波数ではViとVoの位相差はゼロである。

d: 入カインピーダンスは10kΩである。

e: 直流は通過域に含まれる。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e