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医用電気電子工学の過去問

国試第37回午後：第51問

図の回路についてVo［V］はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

137051
1:1
2:2
3:3
4:4
5:5

国試第37回午後：第49問

図に示す回路の時定数［s］はどれか。

137049
1:2.5
2:5.0
3:7.0
4:10
5:15

国試第37回午後：第48問

RL直列回路がある。この回路に実効値100Vの正弦波交流電圧を加えたとき、Rの抵抗値は80Ω、Lのリアクタンスは60Ωであった。回路の皮相電力［VA］はどれか。

1:20
2:40
3:60
4:80
5:100

国試第37回午後：第46問

図のように、真空中に置かれた無限に長い直線状導体A、B、Cに電流［A］Iを流したところ、導体Aにx軸方向の力が働いた。導体Aの長さ1mの部分にかかる電磁力の大きさ［N］はどれか。ただし、A、B、Cは、xy平面上のy軸と平行に距離a［m］を隔てて置かれており、真空の透磁率をμ0［H/m］とする。

137046
1:x軸方向に$-\frac{3\mu_0 I^2}{4\pi a}$
2:x軸方向に$-\frac{\mu_0 I^2}{4\pi a}$
3:0
4:x軸方向に$\frac{\mu_0 I^2}{4\pi a}$
5:x軸方向に$\frac{3\mu_0 I^2}{4\pi a}$

国試第37回午後：第47問

比誘電率4、比透磁率1の材質中の電磁波の速度は真空中の何倍か。

1:$\frac{1}{4}$倍
2:$\frac{1}{2}$倍
3:$\frac{1}{\sqrt{2}}$倍
4:$\sqrt{2}$倍
5:2倍

国試第26回午前：第62問

図のブロック線図の伝達関数(Y/X)はどれか。

26AM62-0
1:$ \frac {H}{1+GW}$
2:$ \frac {GW}{1+H}$
3:$ \frac {H}{1+GWH}$
4:$ \frac {GH}{1+GWH}$
5:$ \frac {GW}{1-GWH}$

国試第26回午前：第61問

周期2秒の正弦波をフーリエ変換して得られるパワースペクトルはどれか。

26AM61-0

国試第26回午前：第60問

0?8Vの範囲で動作する12 bitのAD変換器がある。およその分解能[mV]はどれか。

1:1
2:2
3:4
4:8
5:16

国試第26回午前：第59問

円で表される集合A、B、Cがある。図の網かけ部分に対応する論理式はどれか。

26AM59-0
1:A・(B + C)
2:B・(A + C)
3:A + B・C
4:B + A・C
5:C + A・B

国試第26回午前：第58問

16進数1Aに16進数15を加算した結果を10進数で表したのはどれか。

1:27
2:32
3:37
4:42
5:47

国試第26回午前：第57問

図のフローチャートに基づいて作成したプログラムを実行したときのSUMの値はどれか。

26AM57-0
1:4
2:5
3:6
4:10
5:21

国試第26回午前：第56問

書き込まれた情報を変更できないのはどれか。

1:ハードディスク
2:CD-R
3:USBフラッシュメモリー
4:フロッピーディスク
5:SSD

国試第26回午前：第55問

パルス符号変調はどれか。

1:PAM
2:PCM
3:PFM
4:PPM
5:PWM

国試第26回午前：第54問

図の回路でVaが 5V、Vbが3Vのとき、Vc[V]はどれか。ただし、ダイオードは理想ダイオードとする。

26AM54-0
1:-2
2:2
3:3
4:5
5:8

国試第26回午前：第53問

図に示すような波形の入力電圧viが加えられたとき、出力電圧voの波形を出力する回路はどれか。ただし、ダイオードは理想ダイオードとする。

26AM53-0

国試第26回午前：第51問

図の回路について、入力電圧viと電圧vm間に成り立つ関係式で正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

26AM51-0
1:vm = - 2vi
2:vm = -vi
3:vm = 0
4:vm = vi
5:vm = 2vi

国試第26回午前：第52問

図の回路において時刻t ＝ 0sでスイッチを閉じた。出力電圧V0の経過を表す式はどれか。ただし、コンデンサの初期電荷はゼロとし、Aは理想演算増幅器とする。

26AM52-0
1:V0 = 2t
2:V0 = -2t
3:V0 = 0
4:V0 = (1/t)
5:V0 = - (1/t)

国試第26回午前：第49問

図に示す回路の時定数[s]はどれか。

26AM49-0
1:0.4
2:2.5
3:5
4:7
5:10

国試第26回午前：第50問

電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。

a:FETには接合形と金属酸化膜形の二種類がある。
b:MOS-FETは金属一酸化膜一半導体の構造をもつ。
c:FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。
d:FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。
e:FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて大きい。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第26回午前：第48問

最大目盛10Vの電圧計に32kΩの倍率器を直列接続すると測定可能な最大電圧が50Vになった。この電圧計の内部抵抗[kΩ]はどれか。

1:1.6
2:4
3:6.4
4:8
5:16