図の回路でVaが20mVのときVi[mV]とVo[mV]の正しい組合せはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。
1: Vi =-2 , Vo = -400
2: Vi =-1, Vo = -200
3: Vi =-1, Vo = 200
4: Vi =2 Vo = 200
5: Vi =2 Vo = 400
255 mV及び0Vを入力したとき、出力が2進数表示で、それぞれ11111111及び00000000となるAD変換器がある。このAD変換器に35mVを入力したときの出力はどれか。 (医用電気電子工学)
1: 10101
2: 100011
3: 110011
4: 1000111
5: 1010011
図の回路は、電圧増幅度 26 dB、入力抵抗 100 kΩ の増幅回路である。抵抗 R1と R2 の組合せはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器で、log10 2 = 0.3 とする。
1: R1 = 5 kΩ、 R2 = 100 kΩ
2: R1 = 100 kΩ、 R2 = 1 MΩ
3: R1 = 100 kΩ、 R2 = 2 MΩ
4: R1 = 200 kΩ、 R2 = 4 MΩ
5: R1 = 200 kΩ、 R2 = 6 MΩ
図の回路について誤っているのはどれか。
1: RiとRfが等しいとき、増幅度の絶対値は1である。
2: R;に流れる電流とRに流れる電流の大きさは等しい。
3: VとVの極性は反対である。
4: p点の電位はOVである。
5: 入力インピーダンスは無限大である。
図の回路でab間の正弦波交流電力(有効電力)を求める式として正しいのはどれか。
1: (電圧の振幅値)×(電流の振幅値)
2: (電圧の実効値)×(電流の実効値)
3: (電圧の振幅値)×(電流の振幅値)×(力率)
4: (電圧の実効値)×(電流の実効値)×(力率)
5: (電圧の実効値)x(電流の実効値)×(無効率)
回路1と回路2に同じ負荷をつないだとき、負荷にかかる電圧Voutと流れる電流Iが両方の回路で一致した。回路2の電源電圧Eと抵抗Rの値の組合せで正しいのはどれか。
1: E = 5V 、R = 1kΩ
2: E = 5V 、R = 2kΩ
3: E = 5V 、R = 4kΩ
4: E = 10V 、R = 2kΩ
5: E = 10V 、R = 4kΩ
図の変圧器の一次側電流Iが2Aのとき、電圧E[V]はどれか。ただし、変圧器の巻数比は2:1とする。
1: 10
2: 20
3: 40
4: 80
5: 160
図の回路に入力(vi)を加えたとき、出力(vo)に最も近い波形はどれか。ただし、トランジスタの直流電流増幅定数(hfe)は100とする。
図の回路で2kΩの抵抗に流れる電流はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。
1: 1mA
2: 2mA
3: 3mA
4: 4mA
5: 6mA
図の回路において、t=0でスイッチを入れた。正しいのはどれか。
1: 時定数はLRである。
2: 直後に抵抗にかかる電圧はEとなる。
3: 直後に流れる電流はE/Rとなる。
4: 時開か十分に経過すると抵抗にかかる電圧はE/2となる。
5: 時間が十分に経過すると抵抗で消費される電力はE2/Rとなる。
入力電圧が200μVのときに出力電圧が2Vになる増幅回路の電圧利得はいくらか。
1: 20dB
2: 40dB
3: 60dB
4: 80dB
5: 100dB
定電圧ダイオードの電圧-電流特性はどれか。
a: 遮断周波数で出力電圧の減衰が最も大きい。
b: 遮断周波数は約160Hzである。
c: 時定数は1msである。
d: 遮断周波数より十分に高い周波数では積分回路として動作する。
e: 入出力電圧の位相差は周波数によらず一定である。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
図の回路でキルヒホッフの法則を用いた解法について誤っているのはどれか。
1: 図の回路には三つの閉回路がある。
2: a 点の電位は起電力 E 2 と R 2 両端の電圧降下との差となる。
3: a 点に流れ込む電流と a 点から流れ出す電流の和は等しい。
4: 一つの閉回路に含まれる電圧降下の大きさと起電力の大きさは等しい。
5: 一つの閉回路内で設定する電流の向きによって起電力の正負は変わる。
N 巻きコイル(右巻き)をダイオード D、抵抗 R からなる回路につなぎ (図 1 )、時間 t とともに変化する一様な磁界中に置いた。図 2 は、 3 つの時間領域 ①、②、③における B の時間変化を表している。 図 1 における電流 I の有無について正しいのはどれか。 ただし、ダイオードは理想的とする。
正しいのはどれか。(医用電気電子工学)
1: 理想ダイオード゛の順方向抵抗は無限大である。
2: ダイオード゛に順方向の電圧を加えるとpn接合部に空乏層が生じる。
3: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
4: FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。
5: バイポーラトランジスタはp形半導体のみで作られる。
図 A の回路において、t = 0 でスイッチを入れたとき、インダクタの両端の電圧降下の変化が図 B のようになった。
図の回路でスイッチを入れた直後に流れる電流はどれか。ただし、スイッチを入れる直前にコンデンサに電荷は蓄えられていないものとする。
1: 0A
2: 1μA
3: 1mA
4: 5mA
5: 10mA
図の回路の抵抗で消費される電力はどれか。
1: 408W
2: 800W
3: 1000W
4: 1250W
5: 1667W
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