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第28回国試午前55問の類似問題

国試第18回午後：第31問

図1のNAND回路と等価な回路はどれか。（情報処理工学）

18PM31-0

国試第18回午後：第12問

トランジスタについて誤っているのはどれか。（電子工学）

1:インピーダンス変換回路はコレクタ接地で作ることができる。
2:FETは高入力インピーダンスの回路を実現できる。
3:FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。
4:MOSFETは金属一酸化膜一半導体の構造をもつ。
5:FETはユニポーラトランジスタともいう。

国試第33回午後：第53問

ダイオードの順方向における電流電圧特性を図 1 に示す。このダイオード を図 2 のような等価回路（V >= 0．6 V）に置き換えたときの V d と r d との組合せで 正しいのはどれか。

33-PM-53

国試第11回午後：第34問

図（ブロックダイアグラム）のシステムの伝達関数（Y／X）はどれか。

11PM34-0
1:$\frac{C}{1+AB} $
2:$\frac{AB}{1+ABC} $
3:$\frac{AB}{1-AB}+C $
4:$\frac{AB}{1+AB}+C$
5:$\frac{ABC}{1+AB}$

ME2第30回午前：第47問

10Vの同相信号を差動増幅器に入力して10mVの出力を得た。CMRRは何dBか。ただし、この増幅器に1mVの信号を入力すると1Vの出力が得られるものとする。

1:40
2:60
3:80
4:100
5:120

国試第26回午前：第62問

図のブロック線図の伝達関数(Y/X)はどれか。

26AM62-0
1:$ \frac {H}{1+GW}$
2:$ \frac {GW}{1+H}$
3:$ \frac {H}{1+GWH}$
4:$ \frac {GH}{1+GWH}$
5:$ \frac {GW}{1-GWH}$

ME2第39回午後：第55問

図はME機器の漏れ電流を測定する測定用器具（MD）である。入力インピーダンスZ[kΩ]はおよそいくらか。

img39782-55-0
1:0.5
2:1.0
3:2.0
4:5.0
5:10.0

ME2第32回午前：第34問

図の回路において1次電流I1が3A、変圧器の巻数比（n1/n2）が4であるとき、2次電流2は何Aか。

img11210-34-0
1:0.75
2:1.0
3:3.0
4:6.0
5:12.0

ME2第31回午前：第29問

内部抵抗r＝2kΩ、最大目盛1Vの直流電圧計Ⓥに、図のように抵抗R1とR2を接続し、端子b、d間で最大10V、端子c、d間で最大100Vの電圧が計測できるようにしたい。抵抗R1とR2の組合せで正しいのはどれか。ただし、選択肢は【R1】 -- 【R2】とする。

img11208-29-0
1:18KΩ -- 180KΩ
2:18KΩ -- 198KΩ
3:18KΩ -- 200KΩ
4:20KΩ -- 180KΩ
5:20KΩ -- 200KΩ

国試第29回午前：第51問

図のpn 接合で正しいのはどれか。

29AM51-0
a:多数キャリアA は正孔である。
b:多数キャリアB は正極の方向に移動する。
c:電圧E を高くすると電流は増加する。
d:電圧E を高くすると空乏層が大きくなる。
e:電圧E を高くすると降伏現象が生じる。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e