第24回国試午前52問の類似問題

電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。

a: MOS-FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。

b: FETはユニポーラトランジスタである。

c: FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。

d: FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。

e: FETは高入カインピーダンス素子である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

ダイオードについて誤っているのはどれか。

1: p形とn形の半導体が接合した構造である。

2: 順バイアス時には印加電圧の増加とともに電流が指数関数的に増加する。

3: 逆バイアス時には印加電圧の増加とともに電流が減少する。

4: 逆バイアス電圧によって空乏層容量を変えることができる。

5: 逆バイアス電圧が大きいと降伏現象を生じる。

図の回路について正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器である。

a: 入力インピーダンスは無限大である。

b: 電圧増幅度は0 dBである。

c: 入力電圧viと出力電圧voは逆位相である。

d: 正帰還が用いられている。

e: インピーダンス変換の働きをする。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

図の回路について正しいのはどれか。ただし、Aは理想増幅器とする。（電子工学）

a: 入力インピーダンスは大きい。

b: 入力と出力は逆位相である。

c: 反転増幅回路である。

d: 入力は正電圧でなければならない。

e: 入力電圧の1倍が出力される。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

電子部品について正しいのはどれか。 

a: ピエゾ素子は磁束密度を検出する。 

b: CdSは光を受けると起電力が発生する。 

c: フォトダイオードは受光量に関係なく一定電流が流れる。 

d: オペアンプは多数のトランジスタで構成されている。 

e: ツェナーダイオードは一定の電圧を得るために用いる。  

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: バイポーラトランジスタを用いて信号の増幅が行える。

b: FETを用いて論理回路は構成できない。

c: 演算増幅器は論理演算回路を集積して作られている。

d: 論理回路と抵抗、コンデンサを用いて能動フィルタを構成する。

e: C-MOS論理回路の特徴の一つは消費電力が小さいことである。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

バイポーラトランジスタについて正しいのはどれか。

a: n形とp形の半導体によって構成される。

b: 電界効果トランジスタより入力インピーダンスが高い。

c: エミッタ接地電流増幅率は1より小さい。

d: 正負2種類の電荷が動作に寄与している。

e: アナログ増幅にもスイッチングにも用いられる。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

トランジスタについて誤っているのはどれか。

1: FETのn形チャネルのキャリアは電子である。

2: FETは入力インピーダンスが高い。

3: エミッタはFETの端子の1つである。

4: コレクタ接地増幅回路はインピーダンス変換回路に用いる。

5: バイポーラトランジスタは入力電流で出力電流を制御する。

正しいのはどれか。

a: CMOS回路は消費電力が少ない。

b: LEDはpn接合の構造をもつ。

c: FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。

d: 接合型FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。

e: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

半導体について誤っているのはどれか。

1: 金属と絶縁体の中間の電気抵抗を示す。

2: p型半導体とn型半導体を接合させると整流現象を示す。

3: 温度が上昇すると導電率は減少する。

4: ゲルマニウムに3価の不純物を添加した半導体は正孔が電気伝導をになう。

5: 電流と直角に磁場をかけると両者に直交する方向に起電力を生ずる。

図の回路について誤っているのはどれか。 

1: RiとRfが等しいとき、増幅度の絶対値は1である。 

2: R;に流れる電流とRに流れる電流の大きさは等しい。 

3: VとVの極性は反対である。 

4: p点の電位はOVである。 

5: 入力インピーダンスは無限大である。 

トランジスタについて誤っているのはどれか。

1: FETの種類として接合形とMOS形とがある。

2: FETはユニポーラトランジスタとも呼ばれる。

3: バイポーラトランジスタでは正孔と電子とで電流が形成される。

4: バイポーラトランジスタにはpnp形とnpn形とがある。

5: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタより低い。

図に示す回路について正しいのはどれか。

a: エミッタ接地トランジスタ増幅回路である。

b: 直流増幅回路である。

c: FET増幅回路である。

d: 電源電圧VDDとして負電圧を加える。

e: R2は増幅素子保護のための抵抗である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図の回路は、端子A、Bの電圧の高低に従って端子Xに高か低の信号を出力する。信号電圧の高（E［V］）および低（0［V］）をそれぞれ1、0で表すと、正しい真理値表はどれか。ただし、ダイオードは理想ダイオードとする。（電子工学）

図の回路について誤っているのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器である。

1: 電圧増幅度は1倍である。

2: インピーダンス変換器として使用される。

3: 入力インピーダンスは無限大である。

4: 正帰還が用いられている。

5: 電圧フォロアである。

図のPN接合で正しいのはどれか。

a: 多数キャリアAには右方向に力が作用する。

b: 多数キャリアBは電子である。

c: 電圧Eを高くしていくと降伏現象が生じる。

d: 電圧Eを高くすると空乏層が小さくなる。

e: 電圧Eを高くすると拡散電位が高くなる。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: 熱電対は温度の変化を抵抗値の変化に変換するトランスデューサである。

b: サーミスタは温度を起電力に変換するトランスデューサである。

c: 心音計は低周波用、中間周波用、高周波用および人間の聴覚に似た周波数特性を示すフィルタを備えている。

d: インピーダンス法は生体に電流を通じて生体情報を求める方法である。

e: 指尖脈波は指先にかけた磁場の変化によって測定する。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

電気メスについて正しいのはどれか。

a: 凝固出力は連続波である。

b: 点検用負荷抵抗には無誘導抵抗器が使用される。

c: 対極板面積の安全範囲は出力に依存する。

d: 静電結合型対極板の表面は絶縁されている。

e: スプレー凝固では雑音障害は発生しない。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

図1の回路に図2に示す電圧Eを入力したとき、ダイオード D1 に電流が流れる区間はどれか。ただし、ダイオードは理想ダイオードとする。

1: A

2: B

3: C

4: D

5: E

半導体について正しいのはどれか。

a: 温度が上昇しても抵抗は変化しない。

b: 不純物を含まない半導体を真性半導体と呼ぶ。

c: Siに第3族のGaを加えるとp形半導体になる。

d: n形半導体の多数キャリアは正孔(ホール)である。

e: pn接合は発振作用を示す。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e