第18回国試午後12問の類似問題

トランスデューサと基本原理の組合せについて誤っているのはどれか。

1: ISFET -- ペルチェ効果

2: SQUID -- ジョセフソン効果

3: フォトダイオード -- 光起電力効果

4: 熱電対 -- ゼーベック効果

5: PZT -- 圧電効果

誤っているのはどれか。

1: 不純物を含まない半導体を真性半導体という。

2: シリコン(Si)にリン(P)を加えるとn形半導体になる。

3: ユニポーラトランジスタにはpチャネルとnチャネルの2種類がある。

4: ユニポーラトランジスタは電圧制御形である。

5: MOSトランジスタはバイポーラトランジスタの一種である。

正しいのはどれか。

a: 金属に電界をかけると電界に比例するドリフト電流が流れる。

b: pn接合はオームの法則が成立する二端子の線形素子である。

c: 電子と正孔とが再結合するときはエネルギーを吸収する。

d: バイポーラトランジスタは電子または正孔の1種類のキャリアを利用するものである。

e: FETの特徴はゲート入力抵抗がきわめて高いことである。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図の構造を持つ電子デバイスはどれか。

1: バイポーラトランジスタ

2: MOS-FET

3: 接合形FET

4: サイリスタ

5: フォトダイオード

正しいのはどれか。

1: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

2: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流

3: p 形半導体の多数キャリアは電子である。

4: MOSFET の入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

5: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。

正しいのはどれか。

a: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

b: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流れる。

c: p形半導体の多数牛ヤリアは電子である。

d: MOSFETの入力インピ-ダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

e: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: 熱電対は温度の変化を抵抗値の変化に変換するトランスデューサである。

b: サーミスタは温度を起電力に変換するトランスデューサである。

c: 心音計は低周波用、中間周波用、高周波用および人間の聴覚に似た周波数特性を示すフィルタを備えている。

d: インピーダンス法は生体に電流を通じて生体情報を求める方法である。

e: 指尖脈波は指先にかけた磁場の変化によって測定する。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: 熱電対は温度の変化を抵抗値の変化に変換するトランスデューサである。

b: サーミスタは温度を起電力に変換するトランスデューサである。

c: 心音計は低周波用、中間周波用、高周波用および人間の聴覚に似た周波数特性を示すものの4種のフィルタを備えている。

d: 生体に電流を通じそのインピーダンス変化から生体情報を求める方法をインピーダンス法という。

e: 指尖脈波は指先にかけた磁場の変化でとらえられる。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図の回路について正しいのはどれか。ただし、トランジスタは理想トランジスタとする。

1: コレクタ電流が増加するとコレクタ電圧も増加する。

2: ベース電流が流れないときコレクタ電圧はゼロである。

3: Viが負のときベース電流が流れる。

4: ベース電流によってコレクタ電流を制御できる。

5: ベース電流はエミッタ電流より大きい。

電子部品について正しいのはどれか。 

a: ピエゾ素子は磁束密度を検出する。 

b: CdSは光を受けると起電力が発生する。 

c: フォトダイオードは受光量に関係なく一定電流が流れる。 

d: オペアンプは多数のトランジスタで構成されている。 

e: ツェナーダイオードは一定の電圧を得るために用いる。  

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図は生体と計測器との等価回路である。誤っているのはどれか。

1: Z1は主に皮膚と電極のインピーダンスである。

2: Z2はできるだけ小さい方がよい。

3: 3. $\left|Z_1\right|\ll\left|Z_2\right|$の関係が望ましい。

4: 入カ信号が大きすぎると波形ひずみが生じる。

5: 増幅器の入カ段にはFETが使われる。

正しいのはどれか。

a: n型半導体の多数キャリアは正孔(ホール)である。

b: ダイオードの端子電圧と電流の関係は直線的な比例特性を示す。

c: バイポーラトランジスタの三つの端子はソース、ベース、コレクタである。

d: バイポーラトランジスタでは電流が正孔と電子によって運ばれている。

e: 金属酸化物電界効果トランジスタではゲートには電流はほとんど流れない。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

トランスデューサの変換で誤っているのはどれか。

1: CdS：光→電気抵抗

2: サーミスタ：温　度→電気抵抗

3: ストレインゲージ：変　位→電気抵抗

4: ホール素子：磁　場→電　圧

5: 焦電素子：放射線→電　圧

エミッタフォロアについて正しいのはどれか。

a: インピーダンス変換のために用いられる。

b: エミッタが接地されている。

c: 入力と出力との位相関係は逆相である。

d: 電流増幅度は1以上とならない。

e: 電圧増幅度は1以上とならない。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図に示す回路について正しいのはどれか。

a: エミッタ接地トランジスタ増幅回路である。

b: 直流増幅回路である。

c: FET増幅回路である。

d: 電源電圧VDDとして負電圧を加える。

e: R2は増幅素子保護のための抵抗である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

半導体について誤っているのはどれか。

1: 真性半導体は4個の価電子が共有結合したものである。

2: n形半導体は真性半導体にドナーを加えたものである。

3: アクセプタとは3価の不純物を指す。

4: 正孔とは価電子の抜けた状態を指す。

5: p形半導体の多数キャリアは自由電子である。

生体計測に用いられているトランスデューサの変換で誤っているのはどれか。

1: Cds：光→電気抵抗

2: ホール素子：放射線→電　圧

3: ストレインゲージ：変　位→電気抵抗

4: サーミスタ：温　度→電気抵抗

5: フォトダイオード：光→電　流

図の回路について誤っているのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器である。

1: 電圧増幅度は1倍である。

2: インピーダンス変換器として使用される。

3: 入力インピーダンスは無限大である。

4: 正帰還が用いられている。

5: 電圧フォロアである。

半導体について誤っているのはどれか。

1: 主に4価の元素が材料として使われる。

2: 抵抗率は導体より大きい。

3: 真性半導体では温度が高くなると導電率が増加する。

4: 同一電界中での電子の平均速度は銅線中よりも遅い。

5: キャリアとして電子と正孔がある。

図の回路について正しいのはどれか。ただし、Aは理想増幅器とする。（電子工学）

a: 入力インピーダンスは大きい。

b: 入力と出力は逆位相である。

c: 反転増幅回路である。

d: 入力は正電圧でなければならない。

e: 入力電圧の1倍が出力される。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e