第7回国試午後10問の類似問題

正しいのはどれか。

1: ベース接地は高入力インピーダンスが必要な場合に使われる。

2: 電界効果トランジスタ(FET)は低入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。

3: トランジスタのコレクタ電流はベース電流とほぼ等しい。

4: n型半導体の多数キャリアは電子である。

5: p型半導体の多数キャリアは陽子である。

トランジスタについて正しいのはどれか。

a: インピーダンス変換回路はエミッタホロワで作ることができる。

b: FETはバイポーラトランジスタより高入力インピーダンスの回路を実現できる。

c: バイポーラトランジスタは2端子素子である。

d: FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。

e: MOSFETのゲートはpn接合で作られる。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

トランジスタについて誤っているのはどれか。（電子工学）

1: インピーダンス変換回路はコレクタ接地で作ることができる。

2: FETは高入力インピーダンスの回路を実現できる。

3: FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。

4: MOSFETは金属一酸化膜一半導体の構造をもつ。

5: FETはユニポーラトランジスタともいう。

トランジスタについて誤っているのはどれか。

1: FETのn形チャネルのキャリアは電子である。

2: FETは入力インピーダンスが高い。

3: エミッタはFETの端子の1つである。

4: コレクタ接地増幅回路はインピーダンス変換回路に用いる。

5: バイポーラトランジスタは入力電流で出力電流を制御する。

トランジスタについて誤っているのはどれか。

1: FETの種類として接合形とMOS形とがある。

2: FETはユニポーラトランジスタとも呼ばれる。

3: バイポーラトランジスタでは正孔と電子とで電流が形成される。

4: バイポーラトランジスタにはpnp形とnpn形とがある。

5: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタより低い。

正しいのはどれか。（電子工学）

a: バイポーラトランジスタはn型半導体とp型半導体との組合せで構成される。

b: バイポーラトランジスタは多数キャリアと小数キャリアの両方が動作に関与する。

c: パイポーラトランジスタは電圧制御素子である。

d: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて低い。

e: FETには接合形と金属酸化膜形の二種類かおる。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

正しいのはどれか。

a: pチャネルFETの伝導電荷は電子である。

b: FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。

c: FETはユニポーラトランジスタとも呼ばれる。

d: バイポーラトランジスタの入力インピーダンスはMOS-FETより低い。

e: バイポーラトランジスタにはpnp形とnpn形とがある。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

誤っているのはどれか。

1: FETの種類としてジャンクション形とMOS形とがある。

2: バイポーラトランジスタでは正孔と電子により電流が形成される。

3: ダイオードの端子電圧と電流との関係は線形である。

4: トランジスタの接地法のうち、エミッタ接地は一般によく用いられる。

5: FETは増幅素子のほか可変抵抗素子としても使われる。

誤っているのはどれか。

1: FETの種類としてジャンクション形とMOS形とがある。

2: バイポーラトランジスタでは正孔と電子とにより電流が形成される。

3: ダイオードの端子電圧と電流との関係は線形である。

4: トランジスタの接地法のうち、エミッタ接地は一般によく用いられる。

5: FETは可変抵抗素子としても使われる。

バイポーラトランジスタについて正しいのはどれか。

a: n形とp形の半導体によって構成される。

b: 電界効果トランジスタより入力インピーダンスが高い。

c: エミッタ接地電流増幅率は1より小さい。

d: 正負2種類の電荷が動作に寄与している。

e: アナログ増幅にもスイッチングにも用いられる。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

正しいのはどれか。

a: バイポーラトランジスタを用いて信号の増幅が行える。

b: FETを用いて論理回路は構成できない。

c: 演算増幅器は論理演算回路を集積して作られている。

d: 論理回路と抵抗、コンデンサを用いて能動フィルタを構成する。

e: C-MOS論理回路の特徴の一つは消費電力が小さいことである。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図の回路について正しいのはどれか。ただし、トランジスタは理想トランジスタとする。

1: コレクタ電流が増加するとコレクタ電圧も増加する。

2: ベース電流が流れないときコレクタ電圧はゼロである。

3: Viが負のときベース電流が流れる。

4: ベース電流によってコレクタ電流を制御できる。

5: ベース電流はエミッタ電流より大きい。

正しいのはどれか。

a: 理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。

b: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。

c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

d: FET のn形チャネルの多数キャリアは電子である。

e: CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。 

a: 理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。 

b: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。 

c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。 

d: FETのnチャネルの多数キャリアは電子である。 

e: CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。 

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。

b: ユニポーラトランジスタは電流制御素子である。

c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

d: 接合型 FET の n 形チャネルの多数キャリアは電子である。

e: CMOS 回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。

a: FETには接合形と金属酸化膜形の二種類がある。

b: MOS-FETは金属一酸化膜一半導体の構造をもつ。

c: FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。

d: FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。

e: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて大きい。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。（医用電気電子工学）

1: 理想ダイオード゛の順方向抵抗は無限大である。

2: ダイオード゛に順方向の電圧を加えるとpn接合部に空乏層が生じる。

3: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

4: FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。

5: バイポーラトランジスタはp形半導体のみで作られる。

図に示したトランジスタ回路について正しいのはどれか。

a: エミッタフォロワと呼ばれる。

b: 出力信号電圧は入力信号電圧とほぼ等しい。

c: インピーダンス変換回路として用いられる。

d: 入力信号電流より大きな出力信号電流を取り出すことはできない。

e: 信号の電力増幅を行うことはできない。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

正しいのはどれか。

a: CMOS回路は消費電力が少ない。

b: LEDはpn接合の構造をもつ。

c: FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。

d: 接合型FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。

e: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。

a: MOS-FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。

b: FETはユニポーラトランジスタである。

c: FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。

d: FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。

e: FETは高入カインピーダンス素子である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e