Loading...

電子工学の過去問

国試第32回午後：第55問

図の回路のVi[V]はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

32PM55-0
1:-2
2:-1
3:0
4:1
5:2

国試第32回午後：第53問

ツェナー電圧3Vのツェナーダイオードを含む図の回路のV1とV2の関係を示すグラフはどれか。

32PM53-0 32PM53-1

国試第32回午後：第54問

図のように接続された二つの増幅器において、A2の増幅度が34 dB であるとき、V1[mV]はどれか。ただし、log2 ＝ 0.3とする。

32PM54-0
1:2
2:5
3:20
4:50
5:200

国試第32回午後：第52問

図の回路について正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

32PM52-0
a:時定数は10msである。
b:通過域の増幅度は20 である。
c:遮断周波数ではViとVoの位相差はゼロである。
d:入カインピーダンスは周波数に反比例する。
e:遮断周波数より十分に高い帯域で積分特性を有する。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第22回午後：第60問

図の出力Xはどれか。

22PM60-0
1:$\overline {A}\cdot \overline {B}+A\cdot B $
2:$\overline {A}\cdot\ B+A\cdot\ \overline {B}$
3:$\left( A+B\right) \cdot \left( A+\overline {B}\right) $
4:$\left( A+B\right) \cdot \left( A+\overline {B}\right) $
5:$\overline {A}\cdot \left( A+B\right) +B\cdot \left( \overline {A}\cdot \overline {B}\right) $

国試第22回午後：第54問

図の回路で2kΩの抵抗に流れる電流はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

22PM54-0
1:1mA
2:2mA
3:3mA
4:4mA
5:6mA

国試第22回午後：第56問

パルス変調方式で誤っているのはどれか。

1:アナログ量の変調に用いる。
2:ディジタル量の変調に用いる。
3:時分割多重方式によって多重化できる。
4:PSKは信号波の振幅によって搬送波のパルス幅を変化させる。
5:PCMは信号波の振幅によってパルス符号を変化させる。

国試第22回午後：第53問

理想演算増幅器の特性で正しいのはどれか。

a:差動利得は0である。
b:同相利得は無限大である。
c:周波数帯域幅は無限大である。
d:入力インピーダンスは無限大である。
e:出力インピーダンスは無限大である。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第22回午後：第50問

図の回路で正しいのはどれか。

22PM50-0
1:時定数は$\frac{1}{CR}$である。
2:低域(通過)フィルタとして動作する。
3:入力電圧の周波数が0に近づくと入力電圧と出力電圧の位相差は0に近づく。
4:コンデンサに流れる電流は入力電圧より位相が遅れる。
5:遮断周波数では出力電圧の振幅は入力電圧の振幅のである。

国試第22回午後：第52問

トランジスタについて誤っているのはどれか。

1:FETのn形チャネルのキャリアは電子である。
2:FETは入力インピーダンスが高い。
3:エミッタはFETの端子の1つである。
4:コレクタ接地増幅回路はインピーダンス変換回路に用いる。
5:バイポーラトランジスタは入力電流で出力電流を制御する。

国試第22回午後：第51問

ダイオードについて正しいのはどれか。

a:カソードにアノードより高い電圧を加えると電流は順方向に流れる。
b:逆方向抵抗は順方向抵抗より小さい。
c:逆方向電流が急激に大きくなるときの電圧を降伏電圧という。
d:ダイオードには整流作用がある。
e:理想的なダイオードでは順方向抵抗は無限大である。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第33回午後：第56問

信号に対応して搬送波の振幅が変化するパルス変調はどれか。

1:PAM
2:PFM
3:PNM
4:PPM
5:PWM

国試第33回午後：第53問

ダイオードの順方向における電流電圧特性を図 1 に示す。このダイオード を図 2 のような等価回路（V >= 0．6 V）に置き換えたときの V d と r d との組合せで 正しいのはどれか。

33-PM-53

国試第33回午後：第52問

図の回路の入力インピーダンスはどれか。 ただし、A は理想演算増幅器とし、角周波数を ~、虚数単位を j とする。

33-PM-52

国試第33回午後：第51問

正しいのはどれか。

a:理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。
b:ユニポーラトランジスタは電流制御素子である。
c:ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
d:接合型 FET の n 形チャネルの多数キャリアは電子である。
e:CMOS 回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第32回午前：第56問

正しい組合せはどれか。

a:PSK ――――― 位相偏移変調
b:FSK ――――― 周波数分割多重
c:PWM ――――- パルス振幅変調
d:PPM ――――- パルス幅変調
e:PCM ――――- パルス符号変調
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第32回午前：第55問

図1の回路において図2に示す電圧V1とV2を入力した場合、出力電圧VOの波形で正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

32AM55-0 32AM55-1

国試第32回午前：第54問

信号源の電圧Vbを図の増幅回路(増幅度K)で計測する。出力　VO　≒　KVbとなる条件はどれか。ただし、増幅回路の入力抵抗をRin、信号源の内部抵抗をRb、リード線の抵抗をReとする。

32AM54-0
1:Rin ≪ (Rb + Re)
2:Rin = (Rb + Re)
3:Rin ≫ (Rb + Re)
4:Rb ≫ (Rin + Re)
5:Re ≫ (Rin + Rb)

国試第32回午前：第53問

図1の電圧Viを入力したとき、図2の電圧VOを出力する回路はどれか。ただし、ダイオードは理想ダイオードとする。

32AM53-0

国試第32回午前：第52問

電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。

a:MOS-FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。
b:FETはユニポーラトランジスタである。
c:FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。
d:FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。
e:FETは高入カインピーダンス素子である。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e