第22回国試午後52問の類似問題

図の回路について正しいのはどれか。ただし、トランジスタは理想トランジスタとする。

1: コレクタ電流が増加するとコレクタ電圧も増加する。

2: ベース電流が流れないときコレクタ電圧はゼロである。

3: Viが負のときベース電流が流れる。

4: ベース電流によってコレクタ電流を制御できる。

5: ベース電流はエミッタ電流より大きい。

正しいのはどれか。（医用電気電子工学）

1: 理想ダイオード゛の順方向抵抗は無限大である。

2: ダイオード゛に順方向の電圧を加えるとpn接合部に空乏層が生じる。

3: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

4: FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。

5: バイポーラトランジスタはp形半導体のみで作られる。

誤っているのはどれか。

1: 不純物を含まない半導体を真性半導体という。

2: シリコン(Si)にリン(P)を加えるとn形半導体になる。

3: ユニポーラトランジスタにはpチャネルとnチャネルの2種類がある。

4: ユニポーラトランジスタは電圧制御形である。

5: MOSトランジスタはバイポーラトランジスタの一種である。

図に示す回路について正しいのはどれか。

a: エミッタ接地トランジスタ増幅回路である。

b: 直流増幅回路である。

c: FET増幅回路である。

d: 電源電圧VDDとして負電圧を加える。

e: R2は増幅素子保護のための抵抗である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: n型半導体の多数キャリアは正孔(ホール)である。

b: ダイオードの端子電圧と電流の関係は直線的な比例特性を示す。

c: バイポーラトランジスタの三つの端子はソース、ベース、コレクタである。

d: バイポーラトランジスタでは電流が正孔と電子によって運ばれている。

e: 金属酸化物電界効果トランジスタではゲートには電流はほとんど流れない。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図の構造を持つ電子デバイスはどれか。

1: バイポーラトランジスタ

2: MOS-FET

3: 接合形FET

4: サイリスタ

5: フォトダイオード

正しいのはどれか。

1: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

2: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流

3: p 形半導体の多数キャリアは電子である。

4: MOSFET の入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

5: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。

正しいのはどれか。

a: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

b: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流れる。

c: p形半導体の多数牛ヤリアは電子である。

d: MOSFETの入力インピ-ダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

e: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

エミッタフォロアについて正しいのはどれか。

a: インピーダンス変換のために用いられる。

b: エミッタが接地されている。

c: 入力と出力との位相関係は逆相である。

d: 電流増幅度は1以上とならない。

e: 電圧増幅度は1以上とならない。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

トランスデューサと基本原理の組合せについて誤っているのはどれか。

1: ISFET -- ペルチェ効果

2: SQUID -- ジョセフソン効果

3: フォトダイオード -- 光起電力効果

4: 熱電対 -- ゼーベック効果

5: PZT -- 圧電効果

差動増幅器について誤っているのはどれか。

1: 周囲の温度変化に対して比較的安定している。

2: 2個以上のトランジスタやFETを用いて構成されている。

3: 電源電圧の変動に対しては比較的強い。

4: 二つの入力端子があり、一つの端子にのみ信号を加えてもよい。

5: CMRR(同相弁別比)は小さい方がよい。

正しいのはどれか。

a: 熱電対は温度の変化を抵抗値の変化に変換するトランスデューサである。

b: サーミスタは温度を起電力に変換するトランスデューサである。

c: 心音計は低周波用、中間周波用、高周波用および人間の聴覚に似た周波数特性を示すフィルタを備えている。

d: インピーダンス法は生体に電流を通じて生体情報を求める方法である。

e: 指尖脈波は指先にかけた磁場の変化によって測定する。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

1: 半導体の抵抗は温度とともに高くなる。

2: p形半導体の多数キャリアは電子である。

3: シリコンにリンを加えるとp形半導体になる。

4: トランジスタは能動素子である。

5: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。

半導体について誤っているのはどれか。

1: 真性半導体は4個の価電子が共有結合したものである。

2: n形半導体は真性半導体にドナーを加えたものである。

3: アクセプタとは3価の不純物を指す。

4: 正孔とは価電子の抜けた状態を指す。

5: p形半導体の多数キャリアは自由電子である。