第7回国試午後11問の類似問題

図の回路について誤っているのはどれか。

1: 正弦波電流ではコイルLとコンデンサCとに流れる電流は同位相である。

2: 直流ではインピーダンスが0となる。

3: 共振するとインビーダンスは無限大となる。

4: 共振周波数より十分大きい周波数ではインピーダンスが0に近づく。

5: 共振周波数は$\frac{1}{2\pi\sqrt{LC}}$である。

図の論理回路について正しいのはどれか。

1: 入力Xが0のとき、出力は常に0である。

2: 入力Xが1のとき、出力は常に1である。

3: 入力Zが0のとき、出力は常に1である。

4: 入力Zが1のとき、出力は常に0である。

5: 入力X、Y、Zがすべて1のとき、出力は0である。

図の回路はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

1: 差動増幅回路

2: 反転増幅回路

3: 非反転増幅回路

4: 微分回路

5: 積分回路

図の回路について誤っているのはどれか。

a: 正弦波電流に対するLとCそれぞれの両端の電圧は同相である。

b: 直流ではインピーダンスが無限大である。

c: 共振するとインピーダンスは抵抗Rとなる。

d: 共振周波数は1/(2π√LC)である。

e: 共振周波数以上の高い周波数ではインピーダンスは0に近づく。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: 金属に電界をかけると電界に比例するドリフト電流が流れる。

b: pn接合はオームの法則が成立する二端子の線形素子である。

c: 電子と正孔とが再結合するときはエネルギーを吸収する。

d: バイポーラトランジスタは電子または正孔の1種類のキャリアを利用するものである。

e: FETの特徴はゲート入力抵抗がきわめて高いことである。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図の回路で消費される正弦波交流電力を求めるため測定を行った。適切でないのはどれか。

a: 抵抗値と抵抗の端子間電圧

b: 抵抗値と回路を流れる電流

c: 容量値と回路の全電圧

d: 抗の端子間電圧と回路の全電圧

e: 電流と回路の全電圧および両者の位相差

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

誤っているのはどれか。

1: FETの種類としてジャンクション形とMOS形とがある。

2: バイポーラトランジスタでは正孔と電子により電流が形成される。

3: ダイオードの端子電圧と電流との関係は線形である。

4: トランジスタの接地法のうち、エミッタ接地は一般によく用いられる。

5: FETは増幅素子のほか可変抵抗素子としても使われる。

トランジスタの特性を示す用語でないのはどれか。

a: 電流増幅率

b: 相互コンダクタンス

c: 最大許容電流

d: ホール係数

e: 相互インダクタンス

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図1の回路において図2に示す電圧V1とV2を入力した場合、出力電圧V0の波形で正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

同相除去比（CMRR）が十分大きい差動増幅回路について正しいのはどれか。

a: 出力は入力信号の差に比例する。

b: 同相で入る雑音は出力に表れない。

c: 電源電圧の変動は出力に表れない。

d: 同相利得と差動利得との比をスルーレートという。

e: 出力インピーダンスは高い方がよい。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

誤っているのはどれか。

1: FETの種類としてジャンクション形とMOS形とがある。

2: バイポーラトランジスタでは正孔と電子とにより電流が形成される。

3: ダイオードの端子電圧と電流との関係は線形である。

4: トランジスタの接地法のうち、エミッタ接地は一般によく用いられる。

5: FETは可変抵抗素子としても使われる。

1次巻線数N1、2次巻線数N2のトランスについて正しいのはどれか。

a: 直流の電圧・電流の変換に用いられる。

b: 電磁誘導現象を利用している。

c: インピーダンス変換に用いられる。

d: 1次電圧をE1、2次電圧をE2としたとき$\frac{N_1}{N_2}=\frac{E_1}{E_2}$が成立する。

e: 1次電流をI1、2次電流をI2としたとき$\frac{N_1}{N_2}=\frac{I_1}{I_2}$が成立する。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

図の回路で出力電圧V0はどれか。ただし、入力電圧V1＝+0.1V、V2＝+0.3V、Aは理想演算増幅器とする。（電子工学）

1: -2V

2: -1V

3: 0V

4: +1V

5: +2V

2相性除細動器について正しいのはどれか。

1: 出力の片側は接地されている。

2: 放電回路にインダクタが挿入されている。

3: 出力パルス幅は約50msである。

4: 出力波形の観測には50Ωの負荷抵抗を用いる。

5: 心房細動には使用できない。

正しいのはどれか。

a: pチャネルFETの伝導電荷は電子である。

b: FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。

c: FETはユニポーラトランジスタとも呼ばれる。

d: バイポーラトランジスタの入力インピーダンスはMOS-FETより低い。

e: バイポーラトランジスタにはpnp形とnpn形とがある。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

図1の電圧波形を図2の回路へ入力したときの出力電圧波形で最も近いのはどれか。(電気工学)

増幅器について正しいのはどれか。

1: 電圧増幅を行うとき出カインピーダンスは高い方がよい。

2: 生体信号を増幅するには入力インピーダンスをできるだけ低くする必要がある。

3: 入力段で発生した雑音は信号とともに増幅されることはない。

4: ダイナミック・レンジが広いと広範囲の電圧の入力をひずみなく増幅できる。

5: 利得を増加すると増幅可能な周波数帯域幅が広くなる。

図1の電圧波形を図2の回路へ入力したときの出力波形はどれか。（電気工学）

正しいのはどれか。

a: 無安定マルチバイブレータは発振回路である。

b: 無安定マルチバイブレータは正弦波を発生する。

c: 単安定マルチバイブレータは周期的にパルスを発生する。

d: 双安定マルチバイブレータはフリップフロップともよばれる。

e: 双安定マルチバイブレータは記憶回路として使われる。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

誤っているのはどれか。

1: 抵抗とコンデンサのみで近似的な積分回路を作ることができる。

2: 抵抗とインダクタンス(コイル)のみで近似的な微分回路を作ることができる。

3: 抵抗とコンデンサのみで近似的な微分回路を作ることができる。

4: 抵抗と演算増幅器のみで微分回路を作ることができる。

5: 抵抗とコンデンサと演算増幅器を用いると精度のよい積分回路を作ることができる。