図記号と説明の組合せで誤っているのはどれか。
図記号について誤っている組合せはどれか。
1: 1
2: 2
3: 3
4: 4
5: 5
誤っているのはどれか。
1: 不純物を含まない半導体を真性半導体という。
2: シリコン(Si)にリン(P)を加えるとn形半導体になる。
3: ユニポーラトランジスタにはpチャネルとnチャネルの2種類がある。
4: ユニポーラトランジスタは電圧制御形である。
5: MOSトランジスタはバイポーラトランジスタの一種である。
次の論理式で誤っているのはどれか。
半導体について誤っているのはどれか。
1: 真性半導体は4個の価電子が共有結合したものである。
2: n形半導体は真性半導体にドナーを加えたものである。
3: アクセプタとは3価の不純物を指す。
4: 正孔とは価電子の抜けた状態を指す。
5: p形半導体の多数キャリアは自由電子である。
SI単位における接頭語で誤っているのはどれか。
a: 10・・・・・・・デカ
b: 10^2・・・・・・メガ
c: 10^-6・・・・・ ナノ
d: 10^6・・・・・・テラ
e: 10^9・・・・・・ギガ
1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e
図に示す洩れ電流①～⑤の名称で誤っているのはどれか。
a: 1:接地漏れ電流
b: 2:患者漏れ電流-1
c: 3:外装漏れ電流
d: 4:患者漏れ電流-2
e: 5:患者漏れ電流-3
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
JIS T 0601-1:2012において、図記号と説明の組合せで誤っているのはどれか。
