第16回国試午後3問の類似問題

真空中に1Cの電荷Aと-1Cの電荷Bが距離1m離れて存在する。正しいのはどれか。

1: AはBに引きつけられる向きに力を受ける。

2: Aの電荷を2倍にすればBの受ける力は4倍になる。

3: BはAに反発される向きに力を受ける。

4: AB間の中点での電気力線の方向はABを結ぶ線と垂直である。

5: AB間の距離を10cmにするとAの受ける力は100倍になる。

正しいのはどれか。

a: 金属中を流れる電流は正負2種類の電荷で構成される。

b: 半導体の導電率は温度が高くなると増加する。

c: 半導体の導電率は含まれる不純物元素の種類や量に依存する。

d: 金属の導電率は温度が低くなると減少する。

e: 半導体の導電率は周波数とは無関係である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正弦波電圧（Vosin2πft）について正しいのはどれか。

a: 電圧の実効値はVo/2である。

b: 抵抗Rに電圧を印加したとき消費される平均電力はRVo2/2ある。

c: インダクタンスLのコイルに電圧を印加したとき、流れる電流の振幅はVo/(2πfL)である。

d: 静電容量Cのコンデンサに電圧を印加したとき流れる電流の振幅は2πfCVoである。

e: コンデンサに電圧を印加したとき、流れる電流の位相は電圧の位相と同じである。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

それぞれ1Aの平行電流が真空中に存在する。1m離れているときの電流間に働く力は、2m離れているときの力の何倍か。

1: 0.25

2: 0.5

3: 1

4: 2

5: 4

図に示す正弦波交流電流の実効値（A）として正しいのはどれか。

1: 最大値と同じであるから、a

2: 平均値のことであるから、a/2

3: 平均値のことであるから、2a/π

4: 2乗平均値の平方根であるから、a/2

5: 2乗平均値の平方根であるから、a/√2

図の単相変圧器の2次側端子間に2Ωの抵抗を接続して1次側端子に交流電圧450Vを印加したところ、1次電流は1Aとなった。I2/I1の値はどれか。 

1: 1

2: 3

3: 5

4: 15

5: 30

正しいのはどれか。

a: 電荷に働く力はその場所の電界の2乗に比例する。

b: 電界とはその場所に置かれた電子の受ける力をいう。

c: 電界の単位はV/mである。

d: 1Cの電荷を移動させるのに1Jのエネルギーが必要であるとき、その電位差を1Vという。

e: 電気力線は等電位面と常に平行である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: 図1に示す電極板間の電界の強さは$\frac{V}{S}$である。

b: 図2に示す電極板間の電界の強さは$\frac{Qd}{S}$である。

c: 図1に示す電極板間に比誘電率εrの誘電体を狭むと電界の強さは$\frac{1}{\varepsilon_r}$となる。

d: 図2に示す電極板間に比誘電率εrの誘電体を狭むと電界の強さは$\frac{1}{\varepsilon_r}$となる。

e: 図1の電極板の間隔を$\frac{d}{2}$にすると電界の強さは2倍になる。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: 金属に電界をかけると電界に比例するドリフト電流が流れる。

b: pn接合はオームの法則が成立する二端子の線形素子である。

c: 電子と正孔とが再結合するときはエネルギーを吸収する。

d: バイポーラトランジスタは電子または正孔の1種類のキャリアを利用するものである。

e: FETの特徴はゲート入力抵抗がきわめて高いことである。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図の回路について、正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

a: 時定数は20 msである。

b: 通過域での増幅度は20 である。

c: 直流成分はカットされる。

d: コンデンサC1と抵抗R2に流れる電流は等しい。

e: 入力インピーダンスは抵抗R1とR2で決まる。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e