トランジスタについて正しいのはどれか。
a: インピーダンス変換回路はエミッタホロワで作ることができる。
b: FETはバイポーラトランジスタより高入力インピーダンスの回路を実現できる。
c: バイポーラトランジスタは2端子素子である。
d: FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。
e: MOSFETのゲートはpn接合で作られる。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
半導体素子について正しいのはどれか。
a: 半導体レーザは主に紫外域の光を発する。
b: ホトダイオードの原理はCDS素子と同じである。
c: バイポーラトランジスタは電流で電流をコントロールする増幅素子である。
d: 半導体のホール素子は磁気検出に用いられる。
e: 熱電対は半導体素子である。
電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。
a: FETには接合形と金属酸化膜形の二種類がある。
b: MOS-FETは金属一酸化膜一半導体の構造をもつ。
c: FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。
d: FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。
e: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて大きい。
ダイオードについて誤っているのはどれか。
1: p形とn形の半導体が接合した構造である。
2: 順バイアス時には印加電圧の増加とともに電流が指数関数的に増加する。
3: 逆バイアス時には印加電圧の増加とともに電流が減少する。
4: 逆バイアス電圧によって空乏層容量を変えることができる。
5: 逆バイアス電圧が大きいと降伏現象を生じる。
正しいのはどれか。
1: ベース接地は高入力インピーダンスが必要な場合に使われる。
2: 電界効果トランジスタ(FET)は低入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。
3: トランジスタのコレクタ電流はベース電流とほぼ等しい。
4: n型半導体の多数キャリアは電子である。
5: p型半導体の多数キャリアは陽子である。
電界効果トランジスタ（FET）について誤っているのはどれか。
1: 電圧制御型の素子である。
2: ユニポーラトランジスタとも呼ばれる。
3: 接合型FETはゲートに酸化膜を用いている。
4: 接合型FETは空乏層の厚さによりドレイン電流を制御する。
5: MOS型FETにはエンハンスメント型とデプレッション型がある。
a: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
b: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流れる。
c: p形半導体の多数牛ヤリアは電子である。
d: MOSFETの入力インピ-ダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
e: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。
1: npn形バイポーラトランジスタでは、ベース電位がエミッタに対して負のときコレクタ・エミッタ間が導通する。
2: コレクタ接地のトランジスタは低い入力インピーダンスを必要とする場合に用いられる。
3: ジャンクション形FETを用いてインピーダンス変換回路は構成できない。
4: MOS‐FETを用いて論理回路は構成できない。
5: MOS‐FETは高入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。
a: CMOS回路は消費電力が少ない。
b: LEDはpn接合の構造をもつ。
c: FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。
d: 接合型FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。
e: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。
1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e
1: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
2: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流
3: p 形半導体の多数キャリアは電子である。
4: MOSFET の入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
5: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。
a: 金属に電界をかけると電界に比例するドリフト電流が流れる。
b: pn接合はオームの法則が成立する二端子の線形素子である。
c: 電子と正孔とが再結合するときはエネルギーを吸収する。
d: バイポーラトランジスタは電子または正孔の1種類のキャリアを利用するものである。
e: FETの特徴はゲート入力抵抗がきわめて高いことである。
半導体メモリについて正しいのはどれか。(情報処理工学)
1: ROMは計算機の電源を切ると書き込まれていた内容が消える。
2: ROMはシーケンシャルメモリである。
3: SRAMはコンデンサを記憶素子にする。
4: DRAMはリフレッシュ(再書き込み)動作は不要である。
5: 演算の途中結果はRAMに記憶される。
CMOS論理回路について誤っているのはどれか。
1: 消費電力が大きい。
2: 雑音に強い。
3: CMOSの名称はnMOSとpMOSという相補的(Complementary)なデバイスを用いることから来ている。
4: 低電圧でも動作する。
5: CMOSデバイスは電圧で制御される。
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