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第12回国試午後19問の類似問題

国試第14回午後：第19問

正しいのはどれか。

a:非安定マルチバイブレータはパルス発生回路である。
b:非安定マルチバイブレータはフリップフロップとも呼ばれる。
c:単安定マルチバイブレータには2個以上のコンデンサが必要である。
d:単安定マルチバイブレータがパルスを発生するためにはトリガが必要である。
e:双安定マルチバイブレータは2進カウンタに用いられる。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

国試第23回午後：第52問

正しいのはどれか。

a:無安定マルチバイブレータは発振回路である。
b:無安定マルチバイブレータは正弦波を発生する。
c:単安定マルチバイブレータは周期的にパルスを発生する。
d:双安定マルチバイブレータはフリップフロップともよばれる。
e:双安定マルチバイブレータは記憶回路として使われる。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

国試第10回午後：第19問

正しいのはどれか。

a:無安定マルチバイブレータは発振回路である。
b:単安定マルチバイブレータは計数回路に用いられる。
c:双安定マルチバイブレータは三角波を発生する回路である。
d:双安定マルチバイブレータはフリップフロップ回路とも呼ばれる。
e:双安定マルチバイブレータはメモリ回路に用いられる。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

国試第20回午後：第12問

正しいのはどれか。（電子工学）

a:バイポーラトランジスタはn型半導体とp型半導体との組合せで構成される。
b:バイポーラトランジスタは多数キャリアと小数キャリアの両方が動作に関与する。
c:パイポーラトランジスタは電圧制御素子である。
d:FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて低い。
e:FETには接合形と金属酸化膜形の二種類かおる。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

国試第28回午後：第50問

全波整流回路として正しく動作するのはどれか。

28PM50-0

ME2第31回午後：第14問

二相性（biphasic）波形を用いる除細動器の基本構成で不要なのはどれか。

1:整流回路
2:バッテリ
3:昇圧回路
4:キャパシタ
5:インダクタ

国試第13回午後：第20問

正しいのはどれか。

a:水晶振動子を用いた発振回路は周波数安定度が高い。
b:オペアンプでは発振回路を実現できない。
c:発振には負帰還が必要である。
d:双安定マルチバイブレータは発振回路である。
e:LC発振回路ではインダクタンスと静電容量の値で発振周波数が決まる。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第6回午後：第23問

正しいのはどれか。

a:バイポーラトランジスタを用いて信号の増幅が行える。
b:FETを用いて論理回路は構成できない。
c:演算増幅器は論理演算回路を集積して作られている。
d:論理回路と抵抗、コンデンサを用いて能動フィルタを構成する。
e:C-MOS論理回路の特徴の一つは消費電力が小さいことである。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第37回午前：第54問

正しいのはどれか。

1:マンガン乾電池は二次電池である。
2:電池は電圧のリプルが大きい。
3:電池の放電容量の単位はFである。
4:インバータ回路は交流電圧を直流電圧に変換する。
5:安定化電源は負荷抵抗が変動しても一定電圧を出力する。

国試第15回午後：第12問

バイポーラトランジスタについて正しいのはどれか。

a:n形とp形の半導体によって構成される。
b:電界効果トランジスタより入力インピーダンスが高い。
c:エミッタ接地電流増幅率は1より小さい。
d:正負2種類の電荷が動作に寄与している。
e:アナログ増幅にもスイッチングにも用いられる。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

国試第7回午後：第10問

正しいのはどれか。

1:npn形バイポーラトランジスタでは、ベース電位がエミッタに対して負のときコレクタ・エミッタ間が導通する。
2:コレクタ接地のトランジスタは低い入力インピーダンスを必要とする場合に用いられる。
3:ジャンクション形FETを用いてインピーダンス変換回路は構成できない。
4:MOS‐FETを用いて論理回路は構成できない。
5:MOS‐FETは高入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。

国試第13回午後：第13問

正しいのはどれか。

a:pチャネルFETの伝導電荷は電子である。
b:FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。
c:FETはユニポーラトランジスタとも呼ばれる。
d:バイポーラトランジスタの入力インピーダンスはMOS-FETより低い。
e:バイポーラトランジスタにはpnp形とnpn形とがある。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e