正しいのはどれか。
a: 金属に電界をかけると電界に比例するドリフト電流が流れる。
b: pn接合はオームの法則が成立する二端子の線形素子である。
c: 電子と正孔とが再結合するときはエネルギーを吸収する。
d: バイポーラトランジスタは電子または正孔の1種類のキャリアを利用するものである。
e: FETの特徴はゲート入力抵抗がきわめて高いことである。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
正しいのはどれか。(医用電気電子工学)
1: 理想ダイオード゛の順方向抵抗は無限大である。
2: ダイオード゛に順方向の電圧を加えるとpn接合部に空乏層が生じる。
3: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
4: FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。
5: バイポーラトランジスタはp形半導体のみで作られる。
誤っているのはどれか。
1: FETの種類としてジャンクション形とMOS形とがある。
2: バイポーラトランジスタでは正孔と電子とにより電流が形成される。
3: ダイオードの端子電圧と電流との関係は線形である。
4: トランジスタの接地法のうち、エミッタ接地は一般によく用いられる。
5: FETは可変抵抗素子としても使われる。
a: 演算増幅器を用いて積分回路を作ることができる。
b: 演算増幅器では反転入力端子と非反転入力端子との電位差はほぼ0である。
c: 同相除去比(CMRR)を小さくするために演算増幅器による差動増幅回路を用いる。
d: 入力インピーダンスを小さくするために演算増幅器による非反転増幅回路を用いる。
e: 出力インピーダンスを大きくするために演算増幅器を用いる。
演算増幅器について正しいのはどれか。
a: 一般に出力インピーダンスが高い。
b: 電圧利得が非常に高いので、一般に負帰還をかけて使用する。
c: 直流から交流信号まで増幅することができる。
d: アナログ信号は増幅できるが、ディジタル信号を扱う回路には使用できない。
e: 演算増幅器を用いてインピーダンス変換回路をつくるのは難しい。
a: 差動増幅器では逆相で入った信号成分は打ち消されて出力に現れない。
b: 演算増幅器に正帰環をかけると一般に安定となる。
c: 演算増幅器は通常、負帰環をかけて使用される。
d: 演算増幅器に負帰環をかけると、ひずみが減少する。
e: 生体電気計測用増幅器には入力インピーダンスの高い回路が多く用いられる。
1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e
1: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
2: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流
3: p 形半導体の多数キャリアは電子である。
4: MOSFET の入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
5: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。
差動増幅器について誤っているのはどれか。
1: 周囲の温度変化に対して比較的安定している。
2: 2個以上のトランジスタやFETを用いて構成されている。
3: 電源電圧の変動に対しては比較的強い。
4: 二つの入力端子があり、一つの端子にのみ信号を加えてもよい。
5: CMRR(同相弁別比)は小さい方がよい。
トランジスタについて誤っているのはどれか。
1: FETの種類として接合形とMOS形とがある。
2: FETはユニポーラトランジスタとも呼ばれる。
3: バイポーラトランジスタでは正孔と電子とで電流が形成される。
4: バイポーラトランジスタにはpnp形とnpn形とがある。
5: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタより低い。
図の回路について、正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。
a: 遮断周波数より十分に低い帯域で微分特性を有する。
b: コンデンサC1と抵抗R2に流れる電流は等しい。
c: 遮断周波数は314Hzである。
d: 直流成分は通過する。
e: 入力インピーダンスは抵抗R1とR2で決まる。
図の回路について正しいのはどれか。ただし、Aは理想増幅器とする。(電子工学)
a: 入力インピーダンスは大きい。
b: 入力と出力は逆位相である。
c: 反転増幅回路である。
d: 入力は正電圧でなければならない。
e: 入力電圧の1倍が出力される。
a: 正帰還回路は発振回路に用いられる。
b: 直流増幅回路は直流成分だけを増幅する回路である。
c: 負帰還をかけると周波数特性が悪くなる。
d: 負帰還をかけると増幅度が大きくなる。
e: 水晶発振回路はRC発振回路よりも周波数安定度が高い。
a: 通常は正帰還をかけることにより必要な増幅度を実現する。
b: 差動入力端子を有している。
c: コンデンサ、抵抗と組み合わせて積分回路、微分回路などが簡単につくれる。
d: 直流信号は増幅できない。
e: 本質的に増幅器であるから、インピーダンス変換回路はつくれない。
差動増幅器について正しいのはどれか。
a: 一般に2個以上のトランジスタを用いて構成する。
b: 一般に演算増幅器の内部回路として用いられている。
c: 入力端子が2個あるので必ず2個の信号を加えなくてはならない。
d: CMRR(同相弁別比)は小さい。
e: 温度変化に対して比較的安定である。
図のボルテージフォロワ回路の特徴で正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。
a: 入力抵抗は無限大である。
b: 出力抵抗はゼロである。
c: バーチャルショートが成立する。
d: 利得は無限大である。
e: 反転増幅回路の一種である。
電子回路による電気信号の増幅について正しいのはどれか。
1: ダイオードを用いると電気信号を増幅することができる。
2: 増幅器において信号電圧が増幅されているとき、出力信号電流は必ず入力信号電流より小さい。
3: 信号電圧も信号電流も出力が入力より大きくなるような増幅器をつくることができる。
4: 雑音を含む信号でも増幅すると、一般に、信号対雑音比が向上する。
5: 一般に、電圧増幅器は出力インピーダンスが大きい方が使いやすい。
図の構造を持つ電子デバイスはどれか。
1: バイポーラトランジスタ
2: MOS-FET
3: 接合形FET
4: サイリスタ
5: フォトダイオード
1: 太陽電池は発光素子の一種である。
2: フォト・トランジスタを用いて電気信号を光信号に変えることができる。
3: 半導体レーザは光の伝送素子の一種である。
4: 光ファイバは半導体レーザの一種である。
5: 光電子増倍管を用いて光信号を電気信号に変えることができる。
図の回路について正しいのはどれか。ただし、A は理想演算増幅器とする。
a: 遮断周波数は5Hzである。
b: 通過域の増幅度は20dBである。
c: 遮断周波数ではViとVoの位相差はゼロである。
d: 入カインピーダンスは10kΩである。
e: 直流は通過域に含まれる。
電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。
a: MOS-FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。
b: FETはユニポーラトランジスタである。
c: FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。
d: FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。
e: FETは高入カインピーダンス素子である。
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