第36回ME2午前32問の類似問題

国試第15回午後:第12問

バイポーラトランジスタについて正しいのはどれか。

a: n形とp形の半導体によって構成される。

b: 電界効果トランジスタより入力インピーダンスが高い。

c: エミッタ接地電流増幅率は1より小さい。

d: 正負2種類の電荷が動作に寄与している。

e: アナログ増幅にもスイッチングにも用いられる。

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第32回午前:第52問

電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。

a: MOS-FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。

b: FETはユニポーラトランジスタである。

c: FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。

d: FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。

e: FETは高入カインピーダンス素子である。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第16回午後:第12問

トランジスタについて誤っているのはどれか。

1: FETの種類として接合形とMOS形とがある。

2: FETはユニポーラトランジスタとも呼ばれる。

3: バイポーラトランジスタでは正孔と電子とで電流が形成される。

4: バイポーラトランジスタにはpnp形とnpn形とがある。

5: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタより低い。

国試第5回午後:第20問

誤っているのはどれか。

1: FETの種類としてジャンクション形とMOS形とがある。

2: バイポーラトランジスタでは正孔と電子により電流が形成される。

3: ダイオードの端子電圧と電流との関係は線形である。

4: トランジスタの接地法のうち、エミッタ接地は一般によく用いられる。

5: FETは増幅素子のほか可変抵抗素子としても使われる。

国試第36回午後:第51問

電子部品について正しいのはどれか。 

a: ピエゾ素子は磁束密度を検出する。 

b: CdSは光を受けると起電力が発生する。 

c: フォトダイオードは受光量に関係なく一定電流が流れる。 

d: オペアンプは多数のトランジスタで構成されている。 

e: ツェナーダイオードは一定の電圧を得るために用いる。  

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第6回午後:第20問

正しいのはどれか。

1: ベース接地は高入力インピーダンスが必要な場合に使われる。

2: 電界効果トランジスタ(FET)は低入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。

3: トランジスタのコレクタ電流はベース電流とほぼ等しい。

4: n型半導体の多数キャリアは電子である。

5: p型半導体の多数キャリアは陽子である。

国試第4回午後:第27問

正しいのはどれか。

1: 太陽電池は発光素子の一種である。

2: フォト・トランジスタを用いて電気信号を光信号に変えることができる。

3: 半導体レーザは光の伝送素子の一種である。

4: 光ファイバは半導体レーザの一種である。

5: 光電子増倍管を用いて光信号を電気信号に変えることができる。

国試第11回午後:第17問

正しいのはどれか。

1: 太陽電池は光エネルギーを貯える素子である。

2: ホトダイオードは光信号を電気信号に変える。

3: 半導体レーザは位相のそろった光を電気信号に変える。

4: 発光ダイオードは半導体レーザの一種である。

5: 光電子増倍管は光を増幅して高エネルギーの光を発生する。

国試第18回午後:第12問

トランジスタについて誤っているのはどれか。(電子工学)

1: インピーダンス変換回路はコレクタ接地で作ることができる。

2: FETは高入力インピーダンスの回路を実現できる。

3: FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。

4: MOSFETは金属一酸化膜一半導体の構造をもつ。

5: FETはユニポーラトランジスタともいう。

国試第26回午前:第50問

電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。

a: FETには接合形と金属酸化膜形の二種類がある。

b: MOS-FETは金属一酸化膜一半導体の構造をもつ。

c: FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。

d: FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。

e: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて大きい。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第13回午後:第13問

正しいのはどれか。

a: pチャネルFETの伝導電荷は電子である。

b: FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。

c: FETはユニポーラトランジスタとも呼ばれる。

d: バイポーラトランジスタの入力インピーダンスはMOS-FETより低い。

e: バイポーラトランジスタにはpnp形とnpn形とがある。

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第28回午前:第53問

正しいのはどれか。

a: CMOS回路は消費電力が少ない。

b: LEDはpn接合の構造をもつ。

c: FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。

d: 接合型FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。

e: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第12回午後:第14問

正しいのはどれか。

a: 電荷結合素子(CCD)は電子内視鏡に用いられている。

b: 液晶は発光素子である。

c: 硫化カドミウム(CdS)素子は赤外線センサである。

d: 光電子増倍管はシンチレーションカウンタに用いられている。

e: ホトダイオードは光通信に用いられている。

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第2回午後:第26問

光エレクトロニクスについて正しいのはどれか。

1: 光ファイバは発光する線維の一種である。

2: 半導体レーザは発光素子の一種である。

3: CCDは光の波長を区別して三原色を検出する。

4: 発光ダイオードはレーザメスに用いられる。

5: 太陽電池は主に熱を電気に変換する。

国試第22回午後:第52問

トランジスタについて誤っているのはどれか。

1: FETのn形チャネルのキャリアは電子である。

2: FETは入力インピーダンスが高い。

3: エミッタはFETの端子の1つである。

4: コレクタ接地増幅回路はインピーダンス変換回路に用いる。

5: バイポーラトランジスタは入力電流で出力電流を制御する。