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第4回国試午後19問の類似問題

国試第26回午前：第50問

電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。

a:FETには接合形と金属酸化膜形の二種類がある。
b:MOS-FETは金属一酸化膜一半導体の構造をもつ。
c:FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。
d:FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。
e:FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて大きい。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第19回午後：第19問

図の回路は、端子A、Bの電圧の高低に従って端子Xに高か低の信号を出力する。信号電圧の高（E［V］）および低（0［V］）をそれぞれ1、0で表すと、正しい真理値表はどれか。ただし、ダイオードは理想ダイオードとする。（電子工学）

19PM19-0 19PM19-1

ME2第37回午前：第31問

電界効果トランジスタ（FET）について誤っているのはどれか。

1:電圧制御型の素子である。
2:ユニポーラトランジスタとも呼ばれる。
3:接合型FETはゲートに酸化膜を用いている。
4:接合型FETは空乏層の厚さによりドレイン電流を制御する。
5:MOS型FETにはエンハンスメント型とデプレッション型がある。

国試第32回午前：第52問

電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。

a:MOS-FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。
b:FETはユニポーラトランジスタである。
c:FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。
d:FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。
e:FETは高入カインピーダンス素子である。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第8回午後：第20問

半導体素子について正しいのはどれか。

a:半導体レーザは主に紫外域の光を発する。
b:ホトダイオードの原理はCDS素子と同じである。
c:バイポーラトランジスタは電流で電流をコントロールする増幅素子である。
d:半導体のホール素子は磁気検出に用いられる。
e:熱電対は半導体素子である。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第36回午前：第52問

半導体の性質として正しいのはどれか。 

1:n型半導体の自由電子と正孔の数は等しい。 
2:p型半導体の多数キャリアは自由電子である。 
3:真性半導体ではどんな温度でも自由電子が存在しない。 
4:真性半導体に自由電子を供給する不純物をアクセプタという。 
5:共有結合から自由電子が移動して空になった部分を正孔という。 

国試第22回午後：第52問

トランジスタについて誤っているのはどれか。

1:FETのn形チャネルのキャリアは電子である。
2:FETは入力インピーダンスが高い。
3:エミッタはFETの端子の1つである。
4:コレクタ接地増幅回路はインピーダンス変換回路に用いる。
5:バイポーラトランジスタは入力電流で出力電流を制御する。

ME2第36回午前：第32問

半導体について誤っているのはどれか。

1:真性半導体は4個の価電子が共有結合したものである。
2:n形半導体は真性半導体にドナーを加えたものである。
3:アクセプタとは3価の不純物を指す。
4:正孔とは価電子の抜けた状態を指す。
5:p形半導体の多数キャリアは自由電子である。

国試第36回午後：第51問

電子部品について正しいのはどれか。 

a:ピエゾ素子は磁束密度を検出する。 
b:CdSは光を受けると起電力が発生する。 
c:フォトダイオードは受光量に関係なく一定電流が流れる。 
d:オペアンプは多数のトランジスタで構成されている。 
e:ツェナーダイオードは一定の電圧を得るために用いる。  
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第37回午前：第52問

誤っているのはどれか。

1:p形半導体は不純物半導体である。
2:n形半導体の多数キャリアは正孔である。
3:高純度のシリコン結晶は真性半導体である。
4:空乏層はpn接合部に生じる。
5:理想ダイオードに順方向電圧を印加すると電流が流れる。

国試第13回午後：第12問

ダイオードについて誤っているのはどれか。

1:p形とn形の半導体が接合した構造である。
2:順バイアス時には印加電圧の増加とともに電流が指数関数的に増加する。
3:逆バイアス時には印加電圧の増加とともに電流が減少する。
4:逆バイアス電圧によって空乏層容量を変えることができる。
5:逆バイアス電圧が大きいと降伏現象を生じる。

国試第6回午後：第23問

正しいのはどれか。

a:バイポーラトランジスタを用いて信号の増幅が行える。
b:FETを用いて論理回路は構成できない。
c:演算増幅器は論理演算回路を集積して作られている。
d:論理回路と抵抗、コンデンサを用いて能動フィルタを構成する。
e:C-MOS論理回路の特徴の一つは消費電力が小さいことである。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第13回午後：第4問

正しいのはどれか。

a:平行な2本の導線に逆方向の電流が流れると導線間に反発力が生じる。
b:2個の棒状磁石を平行に並べてもその間に力は働かない。
c:導線に電流を流したとき、その周りの磁界は変化しない。
d:直線電流と平行に電流と同じ向きに電子が移動すると電子は電流から遠ざかる方向の力を受ける。
e:発電機では磁界中で導体を動かすことによって起電力を発生させる。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

国試第33回午後：第53問

ダイオードの順方向における電流電圧特性を図 1 に示す。このダイオード を図 2 のような等価回路（V >= 0．6 V）に置き換えたときの V d と r d との組合せで 正しいのはどれか。

33-PM-53

国試第23回午前：第53問

図の回路について正しいのはどれか。ただし、トランジスタは理想トランジスタとする。

23AM53-0
1:コレクタ電流が増加するとコレクタ電圧も増加する。
2:ベース電流が流れないときコレクタ電圧はゼロである。
3:Viが負のときベース電流が流れる。
4:ベース電流によってコレクタ電流を制御できる。
5:ベース電流はエミッタ電流より大きい。

国試第17回午後：第13問

トランジスタの特性を示す用語でないのはどれか。

a:電流増幅率
b:相互コンダクタンス
c:最大許容電流
d:ホール係数
e:相互インダクタンス
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第29回午前：第51問

図のpn 接合で正しいのはどれか。

29AM51-0
a:多数キャリアA は正孔である。
b:多数キャリアB は正極の方向に移動する。
c:電圧E を高くすると電流は増加する。
d:電圧E を高くすると空乏層が大きくなる。
e:電圧E を高くすると降伏現象が生じる。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

国試第25回午前：第51問

図の構造を持つ電子デバイスはどれか。

25AM51-0
1:バイポーラトランジスタ
2:MOS-FET
3:接合形FET
4:サイリスタ
5:フォトダイオード

国試第18回午後：第13問

図の回路の端子AB間に100V、50Hzの交流電圧を印加した。端子CD間の電圧波形に最も近いのはどれか。ただし、ダイオードは理想ダイオードとする。（電子工学）

18PM13-0 18PM13-1

国試第6回午後：第19問

pn接合ダイオードの電圧電流特性で正しいのはどれか。

6PM19-0