半導体素子について正しいのはどれか。
a: 半導体レーザは主に紫外域の光を発する。
b: ホトダイオードの原理はCDS素子と同じである。
c: バイポーラトランジスタは電流で電流をコントロールする増幅素子である。
d: 半導体のホール素子は磁気検出に用いられる。
e: 熱電対は半導体素子である。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。
a: MOS-FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。
b: FETはユニポーラトランジスタである。
c: FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。
d: FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。
e: FETは高入カインピーダンス素子である。
半導体について誤っているのはどれか。
1: 主に4価の元素が材料として使われる。
2: 抵抗率は導体より大きい。
3: 真性半導体では温度が高くなると導電率が増加する。
4: 同一電界中での電子の平均速度は銅線中よりも遅い。
5: キャリアとして電子と正孔がある。
a: FETには接合形と金属酸化膜形の二種類がある。
b: MOS-FETは金属一酸化膜一半導体の構造をもつ。
e: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて大きい。
一様な電界に置かれた導体について正しいのはどれか。ただし、真空中とする。
a: 導体表面に電荷が現れる。
b: 導体内の電界の大きさは0となる。
c: 導体内の自由電子は電界の方向へ移動する。
d: 導体内では誘電分極が起こる。
e: 電界の方向は導体表面との接線方向となる。
正しいのはどれか。
a: CMOS回路は消費電力が少ない。
b: LEDはpn接合の構造をもつ。
c: FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。
d: 接合型FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。
e: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。
1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e
図のpn 接合で正しいのはどれか。
a: 多数キャリアA は正孔である。
b: 多数キャリアB は正極の方向に移動する。
c: 電圧E を高くすると電流は増加する。
d: 電圧E を高くすると空乏層が大きくなる。
e: 電圧E を高くすると降伏現象が生じる。
誤っているのはどれか。
1: 不純物を含まない半導体を真性半導体という。
2: シリコン(Si)にリン(P)を加えるとn形半導体になる。
3: ユニポーラトランジスタにはpチャネルとnチャネルの2種類がある。
4: ユニポーラトランジスタは電圧制御形である。
5: MOSトランジスタはバイポーラトランジスタの一種である。
図の回路は、端子A、Bの電圧の高低に従って端子Xに高か低の信号を出力する。信号電圧の高（E［V］）および低（0［V］）をそれぞれ1、0で表すと、正しい真理値表はどれか。ただし、ダイオードは理想ダイオードとする。（電子工学）
トランジスタについて正しいのはどれか。
a: インピーダンス変換回路はエミッタホロワで作ることができる。
b: FETはバイポーラトランジスタより高入力インピーダンスの回路を実現できる。
c: バイポーラトランジスタは2端子素子である。
d: FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。
e: MOSFETのゲートはpn接合で作られる。
トランジスタについて誤っているのはどれか。
1: FETのn形チャネルのキャリアは電子である。
2: FETは入力インピーダンスが高い。
3: エミッタはFETの端子の1つである。
4: コレクタ接地増幅回路はインピーダンス変換回路に用いる。
5: バイポーラトランジスタは入力電流で出力電流を制御する。
図のPN接合で正しいのはどれか。
a: 多数キャリアAには右方向に力が作用する。
b: 多数キャリアBは電子である。
c: 電圧Eを高くしていくと降伏現象が生じる。
d: 電圧Eを高くすると空乏層が小さくなる。
e: 電圧Eを高くすると拡散電位が高くなる。
ダイオードについて正しいのはどれか。
a: カソードにアノードより高い電圧を加えると電流は順方向に流れる。
b: 逆方向抵抗は順方向抵抗より小さい。
c: 逆方向電流が急激に大きくなるときの電圧を降伏電圧という。
d: ダイオードには整流作用がある。
e: 理想的なダイオードでは順方向抵抗は無限大である。
1: 直線電流の近くでは、電流と平行に磁界が発生する。
2: 円形コイルに電流を流すと、コイル面内で中心に向かう磁界が発生する。
3: 一様な磁界中に棒磁石を磁界と直角に置くと、磁石は力を受けない。
4: 磁界中を磁界と直角方向に走行する電子は力を受けない。
5: 2本の平行導線に同方向に電流が流れていると、両者の間に力が働く。
a: pチャネルFETの伝導電荷は電子である。
b: FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。
c: FETはユニポーラトランジスタとも呼ばれる。
d: バイポーラトランジスタの入力インピーダンスはMOS-FETより低い。
e: バイポーラトランジスタにはpnp形とnpn形とがある。
1: npn形バイポーラトランジスタでは、ベース電位がエミッタに対して負のときコレクタ・エミッタ間が導通する。
2: コレクタ接地のトランジスタは低い入力インピーダンスを必要とする場合に用いられる。
3: ジャンクション形FETを用いてインピーダンス変換回路は構成できない。
4: MOS‐FETを用いて論理回路は構成できない。
5: MOS‐FETは高入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。
電界効果トランジスタ（FET）について誤っているのはどれか。
1: 電圧制御型の素子である。
2: ユニポーラトランジスタとも呼ばれる。
3: 接合型FETはゲートに酸化膜を用いている。
4: 接合型FETは空乏層の厚さによりドレイン電流を制御する。
5: MOS型FETにはエンハンスメント型とデプレッション型がある。
1: 磁界中の電流が受ける力の大きさは電流に比例する。
2: 直線電流の付近では放射状の磁界が発生する。
3: 磁界中を磁界の方向と直角に走行する電子は力を受けない。
4: 2本の平行導線に同方向に電流が流れていると両者の間に力は働かない。
5: 直線電流に平行に置かれた棒磁石は力を受けない。
LED について正しいのはどれか。
a: 発光強度は流した電流に比例する。
b: 2 つの端子に極性はない。
c: 発光効率は白熱電球と同等である。
d: 発光波長は使用する半導体材料により異なる。
e: 電流と電圧の関係は指数関数にしたがう。
帯電している導体球が真空中におかれている。正しいのはどれか。ただし、導体には電流は流れておらず、すべての電荷が静止しているものとする。
1: 導体表面は等電位面である。
2: 導体内部には一様な電荷が存在する。
3: 導体内部には同心円状に電界が存在する。
4: 導体内部から放射状に電気力線が出入りする。
5: 導体球に帯電体を近づけると導体内部に電位差が生じる。
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