正しいのはどれか。（医用電気電子工学）
1: 理想ダイオード゛の順方向抵抗は無限大である。
2: ダイオード゛に順方向の電圧を加えるとpn接合部に空乏層が生じる。
3: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
4: FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。
5: バイポーラトランジスタはp形半導体のみで作られる。
半導体について誤っているのはどれか。
1: 金属と絶縁体の中間の電気抵抗を示す。
2: p型半導体とn型半導体を接合させると整流現象を示す。
3: 温度が上昇すると導電率は減少する。
4: ゲルマニウムに3価の不純物を添加した半導体は正孔が電気伝導をになう。
5: 電流と直角に磁場をかけると両者に直交する方向に起電力を生ずる。
正しいのはどれか。
1: npn形バイポーラトランジスタでは、ベース電位がエミッタに対して負のときコレクタ・エミッタ間が導通する。
2: コレクタ接地のトランジスタは低い入力インピーダンスを必要とする場合に用いられる。
3: ジャンクション形FETを用いてインピーダンス変換回路は構成できない。
4: MOS‐FETを用いて論理回路は構成できない。
5: MOS‐FETは高入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。
バイポーラトランジスタについて正しいのはどれか。
a: n形とp形の半導体によって構成される。
b: 電界効果トランジスタより入力インピーダンスが高い。
c: エミッタ接地電流増幅率は1より小さい。
d: 正負2種類の電荷が動作に寄与している。
e: アナログ増幅にもスイッチングにも用いられる。
1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e
誤っているのはどれか。
1: 不純物を含まない半導体を真性半導体という。
2: シリコン(Si)にリン(P)を加えるとn形半導体になる。
3: ユニポーラトランジスタにはpチャネルとnチャネルの2種類がある。
4: ユニポーラトランジスタは電圧制御形である。
5: MOSトランジスタはバイポーラトランジスタの一種である。
図の構造を持つ電子デバイスはどれか。
1: バイポーラトランジスタ
2: MOS-FET
3: 接合形FET
4: サイリスタ
5: フォトダイオード
a: バイポーラトランジスタを用いて信号の増幅が行える。
b: FETを用いて論理回路は構成できない。
c: 演算増幅器は論理演算回路を集積して作られている。
d: 論理回路と抵抗、コンデンサを用いて能動フィルタを構成する。
e: C-MOS論理回路の特徴の一つは消費電力が小さいことである。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
a: 金属中を流れる電流は正負2種類の電荷で構成される。
b: 半導体の導電率は温度が高くなると増加する。
c: 半導体の導電率は含まれる不純物元素の種類や量に依存する。
d: 金属の導電率は温度が低くなると減少する。
e: 半導体の導電率は周波数とは無関係である。
1: 主に4価の元素が材料として使われる。
2: 抵抗率は導体より大きい。
3: 真性半導体では温度が高くなると導電率が増加する。
4: 同一電界中での電子の平均速度は銅線中よりも遅い。
5: キャリアとして電子と正孔がある。
1: 真性半導体は4個の価電子が共有結合したものである。
2: n形半導体は真性半導体にドナーを加えたものである。
3: アクセプタとは3価の不純物を指す。
4: 正孔とは価電子の抜けた状態を指す。
5: p形半導体の多数キャリアは自由電子である。
電子部品について正しいのはどれか。
a: ピエゾ素子は磁束密度を検出する。
b: CdSは光を受けると起電力が発生する。
c: フォトダイオードは受光量に関係なく一定電流が流れる。
d: オペアンプは多数のトランジスタで構成されている。
e: ツェナーダイオードは一定の電圧を得るために用いる。
1: 半導体の抵抗は温度とともに高くなる。
2: p形半導体の多数キャリアは電子である。
3: シリコンにリンを加えるとp形半導体になる。
4: トランジスタは能動素子である。
5: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。
半導体素子について正しいのはどれか。
a: 半導体レーザは主に紫外域の光を発する。
b: ホトダイオードの原理はCDS素子と同じである。
c: バイポーラトランジスタは電流で電流をコントロールする増幅素子である。
d: 半導体のホール素子は磁気検出に用いられる。
e: 熱電対は半導体素子である。
電気メスについて正しいのはどれか。
a: 切開作用の原理はジュール・トムソン効果である。
b: 凝固には連続正弦波電流が適している。
c: 300kHz~5MHz程度の高周波電流が用いられる。
d: バイポーラ方式では対極板が不要である。
e: フローティング型は高周波分流に対して無効である。
半導体について正しいのはどれか。
a: 温度が上昇しても抵抗は変化しない。
b: 不純物を含まない半導体を真性半導体と呼ぶ。
c: Siに第3族のGaを加えるとp形半導体になる。
d: n形半導体の多数キャリアは正孔(ホール)である。
e: pn接合は発振作用を示す。
CMOS論理回路について誤っているのはどれか。
1: 消費電力が大きい。
2: 雑音に強い。
3: CMOSの名称はnMOSとpMOSという相補的(Complementary)なデバイスを用いることから来ている。
4: 低電圧でも動作する。
5: CMOSデバイスは電圧で制御される。
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