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第32回国試午前52問の類似問題

国試第25回午前：第51問

図の構造を持つ電子デバイスはどれか。

25AM51-0
1:バイポーラトランジスタ
2:MOS-FET
3:接合形FET
4:サイリスタ
5:フォトダイオード

国試第4回午後：第19問

正しいのはどれか。

a:n型半導体の多数キャリアは正孔(ホール)である。
b:ダイオードの端子電圧と電流の関係は直線的な比例特性を示す。
c:バイポーラトランジスタの三つの端子はソース、ベース、コレクタである。
d:バイポーラトランジスタでは電流が正孔と電子によって運ばれている。
e:金属酸化物電界効果トランジスタではゲートには電流はほとんど流れない。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第34回午前：第52問

正しいのはどれか。

1:ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
2:ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流
3:p 形半導体の多数キャリアは電子である。
4:MOSFET の入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
5:金属の導電率は温度が高くなると増加する。

ME2第34回午前：第31問

トランスデューサと基本原理の組合せについて誤っているのはどれか。

1:ISFET -- ペルチェ効果
2:SQUID -- ジョセフソン効果
3:フォトダイオード -- 光起電力効果
4:熱電対 -- ゼーベック効果
5:PZT -- 圧電効果

国試第7回午後：第11問

図に示したトランジスタ回路について正しいのはどれか。

7PM11-0
a:エミッタフォロワと呼ばれる。
b:出力信号電圧は入力信号電圧とほぼ等しい。
c:インピーダンス変換回路として用いられる。
d:入力信号電流より大きな出力信号電流を取り出すことはできない。
e:信号の電力増幅を行うことはできない。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

国試第6回午後：第23問

正しいのはどれか。

a:バイポーラトランジスタを用いて信号の増幅が行える。
b:FETを用いて論理回路は構成できない。
c:演算増幅器は論理演算回路を集積して作られている。
d:論理回路と抵抗、コンデンサを用いて能動フィルタを構成する。
e:C-MOS論理回路の特徴の一つは消費電力が小さいことである。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第17回午後：第13問

トランジスタの特性を示す用語でないのはどれか。

a:電流増幅率
b:相互コンダクタンス
c:最大許容電流
d:ホール係数
e:相互インダクタンス
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第11回午後：第13問

FETのゲート電圧（VGS）に対するドレーン電流（ID）の特性を測定した。正しいのはどれか。

11PM13-0

国試第37回午前：第52問

誤っているのはどれか。

1:p形半導体は不純物半導体である。
2:n形半導体の多数キャリアは正孔である。
3:高純度のシリコン結晶は真性半導体である。
4:空乏層はpn接合部に生じる。
5:理想ダイオードに順方向電圧を印加すると電流が流れる。

国試第27回午前：第51問

正しいのはどれか。

a:ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
b:ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流れる。
c:p形半導体の多数牛ヤリアは電子である。
d:MOSFETの入力インピ-ダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
e:金属の導電率は温度が高くなると増加する。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

ME2第29回午前：第40問

半導体について誤っているのはどれか。

1:金属と絶縁体の中間の電気抵抗を示す。
2:p型半導体とn型半導体を接合させると整流現象を示す。
3:温度が上昇すると導電率は減少する。
4:ゲルマニウムに3価の不純物を添加した半導体は正孔が電気伝導をになう。
5:電流と直角に磁場をかけると両者に直交する方向に起電力を生ずる。