第29回国試午前51問の類似問題

正しいのはどれか。

1: 電荷間に働く力の大きさは電荷間の距離に比例する。

2: 一様な電界中の電荷に働く力の大きさは電界の強さに反比例る。

3: 一様な電界中の電荷に働く力の方向は電界の方向に直交する。

4: 一様な磁界中の線電流に働く力の大きさは磁束密度に比例する。

5: 同方向に流れる平行な線電流の間に働く力は斥力である。

正しいのはどれか。

1: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

2: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流

3: p 形半導体の多数キャリアは電子である。

4: MOSFET の入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

5: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。

図に示す電流経路について正しいのはどれか。

a: 1は装着部に乗った電源電圧による患者漏れ電流である。

b: 2は外装漏れ電流である。

c: 3は信号入出力部にのった電源電圧による患者漏れ電流である。

d: 4は患者測定電流である。

e: 5は接地漏れ電流である。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

図に示すインダクタ（コイル）に電流Iをながすとき正しいのはどれか。

1: 磁心中の磁束の時間的変化率に比例した逆起電力が発生する。

2: 電流Iに逆比例した逆起電力が発生する。

3: 電流Iを2倍にすると磁心中の磁束は4倍になる。

4: 巻数Nを2倍にするとインダクタンスは2倍になる。

5: 磁心の透磁率が大きいほどインダクタンスは小さい。

図は、真空中に正電荷で帯電した半径rの導体球の断面である。図中の各点(＊)において電界強度が最も大きい点はどれか。

1: A

2: B

3: C

4: D

5: E

真空中において、図のようにxy平面上に点電荷A（+3C）、B（-1C）が置かれている。xy平面上で点Pの電位は点Oの電位の何倍か。 

1: -1．6 

2: -1．28 

3: 0 

4: 1．28 

5: 1．6 

電気メスについて正しいのはどれか。

a: 高周波電流を使用する。

b: ジュール熱で凝固や切開を行う。

c: 電流は対極板を通じて本体に環流する。

d: 図Aは切閉に使用される電流波形である。

e: 図Bは凝固に使用される電流波形である。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

真空中に 1 C（クーロン）の点電荷 A と 2 C の点電荷 B が 1 m の距離で存在する。正しいのはどれか。

1: B の受ける力は、A の受ける力の 2 倍である。

2: B の受ける力の方向は、A、B を結ぶ直線に垂直である。

3: A、B 間の距離を 0．5 m にすると、B の受ける力は 2 倍になる。

4: A の電荷量を 2 倍にすると、A 及び B の受ける力は 2 倍になる。

5: A 及び B の電荷量を両方とも 2 倍にしても、A の受ける力は変わらない。

図の回路中の電圧ｖと電流iについて正しいのはどれか。

1: v=1V 、i=1A

2: v=1V 、i=2A

3: v=2V 、i=3A

4: v=3V 、i=1A

5: v=3V 、i=2A

静電界中の導体について誤っているのはどれか。

a: 導体内部に電界が存在する。

b: 導体表面に電荷が存在する。

c: 電気力線は導体表面に垂直である。

d: 導体の表面は等電位面である。

e: 導体にうず電流が流れる。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図のように正方形の頂点A、B、C、Dに電荷$Q_A$、$Q_B$、$Q_C$、$Q_D$がある。正しいのはどれか。

1: $Q_A$は対角線ACの方向に力を受ける。

2: $Q_A$の受ける力は零である。

3: $Q_B$は辺BCの方向に力を受ける。

4: $Q_B$の受ける力は零である。

5: $Q_A$の受ける力の方向と$Q_B$の受ける力の方向とは同じである。

図の回路でa－b間の電圧Eはどれか。

1: 0V

2: 0.5V

3: 1.0V

4: 1.5V

5: 2.0V

真空中で正三角形の頂点A、B、Cに電荷$Q_A$、$Q_B$、$Q_C$がある。$Q_A$、$Q_B$はいずれも1C（クーロン）、$Q_C$は－1Cである。正しいのはどれか。

1: $Q_A$の受ける力の方向は線分BCに垂直である。

2: $Q_B$の受ける力の方向は線分CAに垂直である。

3: $Q_C$の受ける力の方向は線分ABに垂直である。

4: $Q_A$の受ける力の方向と$Q_B$の受ける力の方向とは同じである。

5: $Q_B$の受ける力の方向と$Q_C$の受ける力の方向とは同じである。

正しい組合せはどれか。

a: 光電脈波計 ―――― CdSe ―――――― 電気抵抗

b: サーモグラフ ―――- HgCdTe ――――- 電気抵抗

c: シンチグラフ ―――--N――――――― 光

d: 心磁計 ―――――― ホール素子 ―――― 静電容量

e: pHメータ ――――-- クラーク電極 ―――― 電流

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

正しいのはどれか。

a: 正電荷と負電荷とは互いに引き付けあう。

b: 電荷間に働く力は電荷間の距離の2乗に反比例する。

c: 電荷によって電界が発生する。

d: 単一電荷による電位は電荷からの距離の2乗に反比例する。

e: 運動する電荷は電流と等価ではない。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

正しいのはどれか。

a: 金属中を流れる電流は正負2種類の電荷で構成される。

b: 半導体の導電率は温度が高くなると増加する。

c: 半導体の導電率は含まれる不純物元素の種類や量に依存する。

d: 金属の導電率は温度が低くなると減少する。

e: 半導体の導電率は周波数とは無関係である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: 理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。

b: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。

c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

d: FET のn形チャネルの多数キャリアは電子である。

e: CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

真空中に2Cの電荷Aと-1Cの電荷Ｂが距離1m離れて存在する。正しいのはどれか。

a: AはBに引き付けられる向きに力を受ける。

b: Aの受ける力はBの受ける力の2倍である。

c: BはAに反発される向きに力を受ける。

d: AB間の距離を10mにするとAの受ける力は1/10になる。

e: AB間の距離を50cmにするとBの受ける力は4倍になる。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図に示すインダクタ（コイル）に電流Iを流すとき正しいのはどれか。

1: 電流Iを2倍にすると磁心中の磁束は4倍になる。

2: 電流Iに逆比例した逆起電力が発生する。

3: 磁心中の磁束の時間的変化率に比例した逆起電力が発生する。

4: 巻数Nを2倍にするとインダクタンスは2倍になる。

5: 磁心の透磁率が大きいほどインダクタンスは小さい。