電界効果トランジスタ（FET）について誤っているのはどれか。
1: 電圧制御型の素子である。
2: ユニポーラトランジスタとも呼ばれる。
3: 接合型FETはゲートに酸化膜を用いている。
4: 接合型FETは空乏層の厚さによりドレイン電流を制御する。
5: MOS型FETにはエンハンスメント型とデプレッション型がある。
正しいのはどれか。
a: バイポーラトランジスタを用いて信号の増幅が行える。
b: FETを用いて論理回路は構成できない。
c: 演算増幅器は論理演算回路を集積して作られている。
d: 論理回路と抵抗、コンデンサを用いて能動フィルタを構成する。
e: C-MOS論理回路の特徴の一つは消費電力が小さいことである。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
図の構造を持つ電子デバイスはどれか。
1: バイポーラトランジスタ
2: MOS-FET
3: 接合形FET
4: サイリスタ
5: フォトダイオード
1: 半導体の抵抗は温度とともに高くなる。
2: p形半導体の多数キャリアは電子である。
3: シリコンにリンを加えるとp形半導体になる。
4: トランジスタは能動素子である。
5: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。
a: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
b: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流れる。
c: p形半導体の多数牛ヤリアは電子である。
d: MOSFETの入力インピ-ダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
e: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。
ダイオードについて誤っているのはどれか。
1: p形とn形の半導体が接合した構造である。
2: 順バイアス時には印加電圧の増加とともに電流が指数関数的に増加する。
3: 逆バイアス時には印加電圧の増加とともに電流が減少する。
4: 逆バイアス電圧によって空乏層容量を変えることができる。
5: 逆バイアス電圧が大きいと降伏現象を生じる。
半導体について誤っているのはどれか。
1: 真性半導体は4個の価電子が共有結合したものである。
2: n形半導体は真性半導体にドナーを加えたものである。
3: アクセプタとは3価の不純物を指す。
4: 正孔とは価電子の抜けた状態を指す。
5: p形半導体の多数キャリアは自由電子である。
1: 金属と絶縁体の中間の電気抵抗を示す。
2: p型半導体とn型半導体を接合させると整流現象を示す。
3: 温度が上昇すると導電率は減少する。
4: ゲルマニウムに3価の不純物を添加した半導体は正孔が電気伝導をになう。
5: 電流と直角に磁場をかけると両者に直交する方向に起電力を生ずる。
1: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
2: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流
3: p 形半導体の多数キャリアは電子である。
4: MOSFET の入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
5: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。
半導体の性質として正しいのはどれか。
1: n型半導体の自由電子と正孔の数は等しい。
2: p型半導体の多数キャリアは自由電子である。
3: 真性半導体ではどんな温度でも自由電子が存在しない。
4: 真性半導体に自由電子を供給する不純物をアクセプタという。
5: 共有結合から自由電子が移動して空になった部分を正孔という。
半導体について正しいのはどれか。
a: 温度が上昇しても抵抗は変化しない。
b: 不純物を含まない半導体を真性半導体と呼ぶ。
c: Siに第3族のGaを加えるとp形半導体になる。
d: n形半導体の多数キャリアは正孔(ホール)である。
e: pn接合は発振作用を示す。
電子部品について正しいのはどれか。
a: ピエゾ素子は磁束密度を検出する。
b: CdSは光を受けると起電力が発生する。
c: フォトダイオードは受光量に関係なく一定電流が流れる。
d: オペアンプは多数のトランジスタで構成されている。
e: ツェナーダイオードは一定の電圧を得るために用いる。
図に示したトランジスタ回路について正しいのはどれか。
a: エミッタフォロワと呼ばれる。
b: 出力信号電圧は入力信号電圧とほぼ等しい。
c: インピーダンス変換回路として用いられる。
d: 入力信号電流より大きな出力信号電流を取り出すことはできない。
e: 信号の電力増幅を行うことはできない。
1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e
半導体素子について正しいのはどれか。
a: 半導体レーザは主に紫外域の光を発する。
b: ホトダイオードの原理はCDS素子と同じである。
c: バイポーラトランジスタは電流で電流をコントロールする増幅素子である。
d: 半導体のホール素子は磁気検出に用いられる。
e: 熱電対は半導体素子である。
1: 主に4価の元素が材料として使われる。
2: 抵抗率は導体より大きい。
3: 真性半導体では温度が高くなると導電率が増加する。
4: 同一電界中での電子の平均速度は銅線中よりも遅い。
5: キャリアとして電子と正孔がある。
1: 太陽電池は発光素子の一種である。
2: フォト・トランジスタを用いて電気信号を光信号に変えることができる。
3: 半導体レーザは光の伝送素子の一種である。
4: 光ファイバは半導体レーザの一種である。
5: 光電子増倍管を用いて光信号を電気信号に変えることができる。
図の回路について正しいのはどれか。ただし、トランジスタは理想トランジスタとする。
1: コレクタ電流が増加するとコレクタ電圧も増加する。
2: ベース電流が流れないときコレクタ電圧はゼロである。
3: Viが負のときベース電流が流れる。
4: ベース電流によってコレクタ電流を制御できる。
5: ベース電流はエミッタ電流より大きい。
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