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臨床工学技士国家試験

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第20回 午後 第12問
20件の類似問題
正しいのはどれか。(電子工学)...
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13
臨床工学技士国家試験 - 第13回 午後
類似度 79.7%
科目:
中分類: 電子工学
小分類: 電子回路
正しいのはどれか。
a
pチャネルFETの伝導電荷は電子である。
b
FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。
c
FETはユニポーラトランジスタとも呼ばれる。
d
バイポーラトランジスタの入力インピーダンスはMOS-FETより低い。
e
バイポーラトランジスタにはpnp形とnpn形とがある。
組み合わせ: 1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e
12
臨床工学技士国家試験 - 第16回 午後
類似度 77.2%
科目:
中分類: 電子工学
小分類: 電子回路
トランジスタについて誤っているのはどれか。
1
FETの種類として接合形とMOS形とがある。
2
FETはユニポーラトランジスタとも呼ばれる。
3
バイポーラトランジスタでは正孔と電子とで電流が形成される。
4
バイポーラトランジスタにはpnp形とnpn形とがある。
5
FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタより低い。
21
臨床工学技士国家試験 - 第8回 午後
類似度 74.2%
科目:
中分類: 電子工学
小分類: 電子回路
正しいのはどれか。
a
金属に電界をかけると電界に比例するドリフト電流が流れる。
b
pn接合はオームの法則が成立する二端子の線形素子である。
c
電子と正孔とが再結合するときはエネルギーを吸収する。
d
バイポーラトランジスタは電子または正孔の1種類のキャリアを利用するものである。
e
FETの特徴はゲート入力抵抗がきわめて高いことである。
組み合わせ: 1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
10
臨床工学技士国家試験 - 第7回 午後
類似度 72.8%
科目:
中分類: 電子工学
小分類: 電子回路
正しいのはどれか。
1
npn形バイポーラトランジスタでは、ベース電位がエミッタに対して負のときコレクタ・エミッタ間が導通する。
2
コレクタ接地のトランジスタは低い入力インピーダンスを必要とする場合に用いられる。
3
ジャンクション形FETを用いてインピーダンス変換回路は構成できない。
4
MOS‐FETを用いて論理回路は構成できない。
5
MOS‐FETは高入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。
12
臨床工学技士国家試験 - 第15回 午後
正答率:46% 類似度 72.7%
科目:
中分類: 電子工学
小分類: 電子回路
バイポーラトランジスタについて正しいのはどれか。
a
n形とp形の半導体によって構成される。
b
電界効果トランジスタより入力インピーダンスが高い。
c
エミッタ接地電流増幅率は1より小さい。
d
正負2種類の電荷が動作に寄与している。
e
アナログ増幅にもスイッチングにも用いられる。
組み合わせ: 1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e
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9
臨床工学技士国家試験 - 第7回 午後
類似度 72.3%
科目:
中分類: 電子工学
小分類: 電子回路
誤っているのはどれか。
1
FETの種類としてジャンクション形とMOS形とがある。
2
バイポーラトランジスタでは正孔と電子とにより電流が形成される。
3
ダイオードの端子電圧と電流との関係は線形である。
4
トランジスタの接地法のうち、エミッタ接地は一般によく用いられる。
5
FETは可変抵抗素子としても使われる。
20
臨床工学技士国家試験 - 第5回 午後
正答率:48% 類似度 72.3%
科目:
中分類: 電子工学
小分類: 電子回路
誤っているのはどれか。
1
FETの種類としてジャンクション形とMOS形とがある。
2
バイポーラトランジスタでは正孔と電子により電流が形成される。
3
ダイオードの端子電圧と電流との関係は線形である。
4
トランジスタの接地法のうち、エミッタ接地は一般によく用いられる。
5
FETは増幅素子のほか可変抵抗素子としても使われる。
51
臨床工学技士国家試験 - 第30回 午前
重要度:低 正答率:69% 類似度 70.9%
科目:
中分類: 電子工学
小分類: 電子回路
正しいのはどれか。
a
理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。
b
バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。
c
ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
d
FET のn形チャネルの多数キャリアは電子である。
e
CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。
組み合わせ: 1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
51
臨床工学技士国家試験 - 第35回 午後
重要度:最重要 正答率:54% 類似度 70.6%
科目:
中分類: 電子工学
小分類: 電子回路
正しいのはどれか。 
a
理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。 
b
バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。 
c
ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。 
d
FETのnチャネルの多数キャリアは電子である。 
e
CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。 
組み合わせ: 1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
20
臨床工学技士国家試験 - 第6回 午後
類似度 70.4%
科目:
中分類: 電子工学
小分類: 電子回路
正しいのはどれか。
1
ベース接地は高入力インピーダンスが必要な場合に使われる。
2
電界効果トランジスタ(FET)は低入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。
3
トランジスタのコレクタ電流はベース電流とほぼ等しい。
4
n型半導体の多数キャリアは電子である。
5
p型半導体の多数キャリアは陽子である。
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12
臨床工学技士国家試験 - 第11回 午後
正答率:31% 類似度 69.9%
科目:
中分類: 電子工学
小分類: 電子回路
トランジスタについて正しいのはどれか。
a
インピーダンス変換回路はエミッタホロワで作ることができる。
b
FETはバイポーラトランジスタより高入力インピーダンスの回路を実現できる。
c
バイポーラトランジスタは2端子素子である。
d
FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。
e
MOSFETのゲートはpn接合で作られる。
組み合わせ: 1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
19
臨床工学技士国家試験 - 第4回 午後
正答率:36% 類似度 69.2%
科目:
中分類: 電子工学
小分類: 電子回路
正しいのはどれか。
a
n型半導体の多数キャリアは正孔(ホール)である。
b
ダイオードの端子電圧と電流の関係は直線的な比例特性を示す。
c
バイポーラトランジスタの三つの端子はソース、ベース、コレクタである。
d
バイポーラトランジスタでは電流が正孔と電子によって運ばれている。
e
金属酸化物電界効果トランジスタではゲートには電流はほとんど流れない。
組み合わせ: 1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
51
臨床工学技士国家試験 - 第33回 午後
正答率:57% 類似度 67.2%
科目:
中分類: 電子工学
小分類: 電子回路
正しいのはどれか。
a
理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。
b
ユニポーラトランジスタは電流制御素子である。
c
ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
d
接合型 FET の n 形チャネルの多数キャリアは電子である。
e
CMOS 回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。
組み合わせ: 1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
12
臨床工学技士国家試験 - 第14回 午後
類似度 66.7%
科目:
中分類: 電子工学
小分類: 電子回路
誤っているのはどれか。
1
不純物を含まない半導体を真性半導体という。
2
シリコン(Si)にリン(P)を加えるとn形半導体になる。
3
ユニポーラトランジスタにはpチャネルとnチャネルの2種類がある。
4
ユニポーラトランジスタは電圧制御形である。
5
MOSトランジスタはバイポーラトランジスタの一種である。
52
臨床工学技士国家試験 - 第22回 午後
正答率:43% 類似度 65.8%
科目:
中分類: 電子工学
小分類: 電子回路
トランジスタについて誤っているのはどれか。
1
FETのn形チャネルのキャリアは電子である。
2
FETは入力インピーダンスが高い。
3
エミッタはFETの端子の1つである。
4
コレクタ接地増幅回路はインピーダンス変換回路に用いる。
5
バイポーラトランジスタは入力電流で出力電流を制御する。
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53
臨床工学技士国家試験 - 第28回 午前
重要度:重要 正答率:60% 類似度 65.8%
科目:
中分類: 電子工学
小分類: 電子回路
正しいのはどれか。
a
CMOS回路は消費電力が少ない。
b
LEDはpn接合の構造をもつ。
c
FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。
d
接合型FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。
e
バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。
組み合わせ: 1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e
31
第二種ME技術認定試験 - 第37回 午前
類似度 65.6%
科目:
中分類: 電子工学
小分類: 電子回路
電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。
1
電圧制御型の素子である。
2
ユニポーラトランジスタとも呼ばれる。
3
接合型FETはゲートに酸化膜を用いている。
4
接合型FETは空乏層の厚さによりドレイン電流を制御する。
5
MOS型FETにはエンハンスメント型とデプレッション型がある。
50
臨床工学技士国家試験 - 第26回 午前
正答率:60% 類似度 65.1%
科目:
中分類: 電子工学
小分類: 電子回路
電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。
a
FETには接合形と金属酸化膜形の二種類がある。
b
MOS-FETは金属一酸化膜一半導体の構造をもつ。
c
FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。
d
FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。
e
FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて大きい。
組み合わせ: 1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
52
臨床工学技士国家試験 - 第24回 午前
正答率:66% 類似度 64.9%
科目:
中分類: 電子工学
小分類: 電子回路
正しいのはどれか。(医用電気電子工学)
1
理想ダイオード゛の順方向抵抗は無限大である。
2
ダイオード゛に順方向の電圧を加えるとpn接合部に空乏層が生じる。
3
FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
4
FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。
5
バイポーラトランジスタはp形半導体のみで作られる。
12
臨床工学技士国家試験 - 第18回 午後
類似度 63.1%
科目:
中分類: 電子工学
小分類: 電子回路
トランジスタについて誤っているのはどれか。(電子工学)
1
インピーダンス変換回路はコレクタ接地で作ることができる。
2
FETは高入力インピーダンスの回路を実現できる。
3
FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。
4
MOSFETは金属一酸化膜一半導体の構造をもつ。
5
FETはユニポーラトランジスタともいう。
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