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第20回国試午後12問の類似問題

国試第32回午前:第52問

電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。

a:MOS-FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。
b:FETはユニポーラトランジスタである。
c:FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。
d:FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。
e:FETは高入カインピーダンス素子である。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第6回午後:第23問

正しいのはどれか。

a:バイポーラトランジスタを用いて信号の増幅が行える。
b:FETを用いて論理回路は構成できない。
c:演算増幅器は論理演算回路を集積して作られている。
d:論理回路と抵抗、コンデンサを用いて能動フィルタを構成する。
e:C-MOS論理回路の特徴の一つは消費電力が小さいことである。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第25回午前:第51問

図の構造を持つ電子デバイスはどれか。

25AM51-0
1:バイポーラトランジスタ
2:MOS-FET
3:接合形FET
4:サイリスタ
5:フォトダイオード

国試第34回午前:第52問

正しいのはどれか。

1:ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
2:ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流
3:p 形半導体の多数キャリアは電子である。
4:MOSFET の入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
5:金属の導電率は温度が高くなると増加する。

国試第25回午前:第50問

正しいのはどれか。

1:半導体の抵抗は温度とともに高くなる。
2:p形半導体の多数キャリアは電子である。
3:シリコンにリンを加えるとp形半導体になる。
4:トランジスタは能動素子である。
5:理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。

国試第27回午前:第51問

正しいのはどれか。

a:ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
b:ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流れる。
c:p形半導体の多数牛ヤリアは電子である。
d:MOSFETの入力インピ-ダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
e:金属の導電率は温度が高くなると増加する。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第36回午前:第52問

半導体の性質として正しいのはどれか。 

1:n型半導体の自由電子と正孔の数は等しい。 
2:p型半導体の多数キャリアは自由電子である。 
3:真性半導体ではどんな温度でも自由電子が存在しない。 
4:真性半導体に自由電子を供給する不純物をアクセプタという。 
5:共有結合から自由電子が移動して空になった部分を正孔という。 

国試第14回午後:第19問

正しいのはどれか。

a:非安定マルチバイブレータはパルス発生回路である。
b:非安定マルチバイブレータはフリップフロップとも呼ばれる。
c:単安定マルチバイブレータには2個以上のコンデンサが必要である。
d:単安定マルチバイブレータがパルスを発生するためにはトリガが必要である。
e:双安定マルチバイブレータは2進カウンタに用いられる。
1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第12回午後:第19問

正しいのはどれか。

a:非安定マルチバイブレータはパルス発生回路である。
b:非安定マルチバイブレータはフリップフロップとも呼ばれる。
c:単安定マルチバイブレータには2個以上のコンデンサが必要である。
d:単安定マルチバイブレータがパルスを発生するためにはトリガが必要である。
e:双安定マルチバイブレータは2進カウンタに用いられる。
1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

ME2第36回午前:第32問

半導体について誤っているのはどれか。

1:真性半導体は4個の価電子が共有結合したものである。
2:n形半導体は真性半導体にドナーを加えたものである。
3:アクセプタとは3価の不純物を指す。
4:正孔とは価電子の抜けた状態を指す。
5:p形半導体の多数キャリアは自由電子である。