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第20回国試午後12問の類似問題

国試第13回午後：第13問

正しいのはどれか。

a:pチャネルFETの伝導電荷は電子である。
b:FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。
c:FETはユニポーラトランジスタとも呼ばれる。
d:バイポーラトランジスタの入力インピーダンスはMOS-FETより低い。
e:バイポーラトランジスタにはpnp形とnpn形とがある。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

国試第16回午後：第12問

トランジスタについて誤っているのはどれか。

1:FETの種類として接合形とMOS形とがある。
2:FETはユニポーラトランジスタとも呼ばれる。
3:バイポーラトランジスタでは正孔と電子とで電流が形成される。
4:バイポーラトランジスタにはpnp形とnpn形とがある。
5:FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタより低い。

国試第8回午後：第21問

正しいのはどれか。

a:金属に電界をかけると電界に比例するドリフト電流が流れる。
b:pn接合はオームの法則が成立する二端子の線形素子である。
c:電子と正孔とが再結合するときはエネルギーを吸収する。
d:バイポーラトランジスタは電子または正孔の1種類のキャリアを利用するものである。
e:FETの特徴はゲート入力抵抗がきわめて高いことである。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第7回午後：第10問

正しいのはどれか。

1:npn形バイポーラトランジスタでは、ベース電位がエミッタに対して負のときコレクタ・エミッタ間が導通する。
2:コレクタ接地のトランジスタは低い入力インピーダンスを必要とする場合に用いられる。
3:ジャンクション形FETを用いてインピーダンス変換回路は構成できない。
4:MOS‐FETを用いて論理回路は構成できない。
5:MOS‐FETは高入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。

国試第15回午後：第12問

バイポーラトランジスタについて正しいのはどれか。

a:n形とp形の半導体によって構成される。
b:電界効果トランジスタより入力インピーダンスが高い。
c:エミッタ接地電流増幅率は1より小さい。
d:正負2種類の電荷が動作に寄与している。
e:アナログ増幅にもスイッチングにも用いられる。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

国試第7回午後：第9問

誤っているのはどれか。

1:FETの種類としてジャンクション形とMOS形とがある。
2:バイポーラトランジスタでは正孔と電子とにより電流が形成される。
3:ダイオードの端子電圧と電流との関係は線形である。
4:トランジスタの接地法のうち、エミッタ接地は一般によく用いられる。
5:FETは可変抵抗素子としても使われる。

国試第5回午後：第20問

誤っているのはどれか。

1:FETの種類としてジャンクション形とMOS形とがある。
2:バイポーラトランジスタでは正孔と電子により電流が形成される。
3:ダイオードの端子電圧と電流との関係は線形である。
4:トランジスタの接地法のうち、エミッタ接地は一般によく用いられる。
5:FETは増幅素子のほか可変抵抗素子としても使われる。

国試第30回午前：第51問

正しいのはどれか。

a:理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。
b:バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。
c:ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
d:FET のn形チャネルの多数キャリアは電子である。
e:CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第35回午後：第51問

正しいのはどれか。 

a:理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。 
b:バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。 
c:ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。 
d:FETのnチャネルの多数キャリアは電子である。 
e:CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。 
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第6回午後：第20問

正しいのはどれか。

1:ベース接地は高入力インピーダンスが必要な場合に使われる。
2:電界効果トランジスタ(FET)は低入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。
3:トランジスタのコレクタ電流はベース電流とほぼ等しい。
4:n型半導体の多数キャリアは電子である。
5:p型半導体の多数キャリアは陽子である。

国試第11回午後：第12問

トランジスタについて正しいのはどれか。

a:インピーダンス変換回路はエミッタホロワで作ることができる。
b:FETはバイポーラトランジスタより高入力インピーダンスの回路を実現できる。
c:バイポーラトランジスタは2端子素子である。
d:FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。
e:MOSFETのゲートはpn接合で作られる。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第4回午後：第19問

正しいのはどれか。

a:n型半導体の多数キャリアは正孔(ホール)である。
b:ダイオードの端子電圧と電流の関係は直線的な比例特性を示す。
c:バイポーラトランジスタの三つの端子はソース、ベース、コレクタである。
d:バイポーラトランジスタでは電流が正孔と電子によって運ばれている。
e:金属酸化物電界効果トランジスタではゲートには電流はほとんど流れない。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第33回午後：第51問

正しいのはどれか。

a:理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。
b:ユニポーラトランジスタは電流制御素子である。
c:ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
d:接合型 FET の n 形チャネルの多数キャリアは電子である。
e:CMOS 回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第14回午後：第12問

誤っているのはどれか。

1:不純物を含まない半導体を真性半導体という。
2:シリコン(Si)にリン(P)を加えるとn形半導体になる。
3:ユニポーラトランジスタにはpチャネルとnチャネルの2種類がある。
4:ユニポーラトランジスタは電圧制御形である。
5:MOSトランジスタはバイポーラトランジスタの一種である。

国試第22回午後：第52問

トランジスタについて誤っているのはどれか。

1:FETのn形チャネルのキャリアは電子である。
2:FETは入力インピーダンスが高い。
3:エミッタはFETの端子の1つである。
4:コレクタ接地増幅回路はインピーダンス変換回路に用いる。
5:バイポーラトランジスタは入力電流で出力電流を制御する。

国試第28回午前：第53問

正しいのはどれか。

a:CMOS回路は消費電力が少ない。
b:LEDはpn接合の構造をもつ。
c:FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。
d:接合型FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。
e:バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

ME2第37回午前：第31問

電界効果トランジスタ（FET）について誤っているのはどれか。

1:電圧制御型の素子である。
2:ユニポーラトランジスタとも呼ばれる。
3:接合型FETはゲートに酸化膜を用いている。
4:接合型FETは空乏層の厚さによりドレイン電流を制御する。
5:MOS型FETにはエンハンスメント型とデプレッション型がある。

国試第26回午前：第50問

電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。

a:FETには接合形と金属酸化膜形の二種類がある。
b:MOS-FETは金属一酸化膜一半導体の構造をもつ。
c:FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。
d:FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。
e:FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて大きい。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第24回午前：第52問

正しいのはどれか。（医用電気電子工学）

1:理想ダイオード゛の順方向抵抗は無限大である。
2:ダイオード゛に順方向の電圧を加えるとpn接合部に空乏層が生じる。
3:FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
4:FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。
5:バイポーラトランジスタはp形半導体のみで作られる。

国試第18回午後：第12問

トランジスタについて誤っているのはどれか。（電子工学）

1:インピーダンス変換回路はコレクタ接地で作ることができる。
2:FETは高入力インピーダンスの回路を実現できる。
3:FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。
4:MOSFETは金属一酸化膜一半導体の構造をもつ。
5:FETはユニポーラトランジスタともいう。