図の理想オペアンプ回路で、端子AB間に1kΩの抵抗を接続した。出力端子Aと端子Cの間の電位差は何Vか。
1: 1
2: 5
3: 7
4: 10
5: 12
図の回路に入力EAとEBを加えた場合、出力波形E0で正しいのはどれか。ただし、ダイオードは理想的とする。
演算増幅器を用いた微分回路として正しいのはどれか。
同相信号に対する増幅度が－20dBの差動信号を入力したとき0.5Vの出力を得た。この増幅器の同相弁別比は何dBか。
1: 20
2: 40
3: 60
4: 80
5: 100
図の回路のVに5Vを入力したとき、V。[V]はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。
1: -14
2: -7
3: 0
4: 7
5: 14
図の回路でRを流れる電流が0.1mAであるとき、Rは何kΩか。ただし、オペアンプは理想オペアンプとする。
1: 0.1
2: 1.0
3: 2.0
4: 5.0
5: 10.0
抵抗R、インダクタLの直列回路において正しいのはどれか。（電気工学）
1: 周波数が高くなるほど回路電流は増加する。
2: 共振周波数が存在する。
3: Rの電流とLの電流の比は周波数に比例する。
4: 回路電流は電源電圧より位相がπ/2進んでいる。
5: Lの端子電圧はRの端子電圧より位相がπ/2進んでいる。
理想演算増幅器の特徴として正しいのはどれか。
1: スルーレートがゼロである。
2: 出力インピーダンスが無限大である。
3: 入力インピーダンスがゼロである。
4: ゲインが無限大である。
5: 同相信号除去比がゼロである。
図の理想オペアンプ回路で、可変抵抗Rvが1kΩのとき端子AB間に流れる電流がI0であった。可変抵抗を2kΩに変化させたとき、端子AB間に流れる電流IはI0の何倍か。
1: 1/4
2: 1/2
3: 1
4: 2
5: 4
差動増幅率20dBの増幅器に10Vの同相入力を加えたとき、出力電圧が10mVであった。CMRR(同相除去比)はどれか。
1: 20dB
2: 40dB
3: 60dB
4: 80dB
5: 100dB
図1の電圧 Vi を 図2の回路に入力したときの出力電圧 Vo 波形はどれか。ただし、A は理想演算増幅器とし、Vo の初期値は 0V、CR = 1s とする。
図のオペアンプ回路で、Rtはサーミスタである。抵抗R1～R3はすべて10kΩである。Rtが10kΩのとき出力Voはゼロであった。温度が上昇しRtが9kΩに変化したとすると、出力電圧Voは何Vになるか。ただし、オペアンプは理想的とする。
1: 10
2: 4.5
3: －0.5
4: －4.5
5: －10
図の回路は、披変調波が入力されると信号波を出力する復調回路として働く。この回路を利用する変調方式はどれか。ただし、ダイオードは理想ダイオードとする。
1: 振幅変調(AM)
2: 周波数変調(FM)
3: 位相変調(PM)
4: パルス符号変調(PCM)
5: パルス位置変調(PPM)
図のように接続された二つの増幅器において、A2の増幅度が34 dB であるとき、V1[mV]はどれか。ただし、log2 ＝ 0.3とする。
1: 2
3: 20
4: 50
5: 200
図の回路の Vo が、V1 = 2 V、V2 = 3 V のときの Vo と同じになるのは どれか。 ただし、A は理想演算増幅器とする。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
正しいのはどれか。
a: 理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。
b: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。
c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
d: FET のn形チャネルの多数キャリアは電子である。
e: CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。
理想演算増幅器について正しいのはどれか。
a: 周波数帯域幅は無限大である。
b: 出力インピーダンスは無限大である。
c: 同相除去比(CMRR)はゼロである。
d: 入力端子に流れ込む電流はゼロである。
e: スルーレートは無担大である。
1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e
入力抵抗1MΩ、電圧増幅率110倍の直流増幅器に、図のように直流信号を入力した。信号源の内部抵抗を100kΩ、直流電圧を10mVとすると増幅器の出力電圧［V］はいくらか。
2: 0.5
3: 1.0
4: 1.1
図1の回路の入力に図2の波形が加わったとき出力波形の概形はどれか。ただし、ﾀﾞｲｵｰﾄﾞは理想的とする。
演算増幅器を用いて低域フィルタを作りたい。図のAB間に挿入すべき素子はどれか。
1: ダイオード
2: インダクタ
3: スイッチ
4: 抵抗
5: 基準電圧源
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