第31回国試午前53問の類似問題

正しいのはどれか。

a: CMOS回路は消費電力が少ない。

b: LEDはpn接合の構造をもつ。

c: FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。

d: 接合型FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。

e: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

オプトエレクトロニクスについて正しいのはどれか。

a: ホトトランジスタを用いて光信号を電気信号に変えることができる。

b: 太陽電池を用いて光信号を電気信号に変えることができる。

c: 半導体レーザは大出力が出せるのでレーザメスなどに用いられる。

d: 位相のそろった光を発生するには発光ダイオードを用いればよい。

e: 光電子増倍管はアルゴンなどを封入した気体レーザの一種である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

電磁波について誤っているのはどれか。

1: 波長は周波数に比例する。

2: 真空中の伝搬速度は光速である。

3: 赤色光は青色光より波長が長い。

4: 電界と磁界が相互に影響し合うので電磁波と呼ばれる。

5: 波長が短いほど直進性が強い。

正しいのはどれか。

a: 金属中を流れる電流は正負2種類の電荷で構成される。

b: 半導体の導電率は温度が高くなると増加する。

c: 半導体の導電率は含まれる不純物元素の種類や量に依存する。

d: 金属の導電率は温度が低くなると減少する。

e: 半導体の導電率は周波数とは無関係である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。 

a: 理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。 

b: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。 

c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。 

d: FETのnチャネルの多数キャリアは電子である。 

e: CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。 

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。

b: ユニポーラトランジスタは電流制御素子である。

c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

d: 接合型 FET の n 形チャネルの多数キャリアは電子である。

e: CMOS 回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

b: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流れる。

c: p形半導体の多数牛ヤリアは電子である。

d: MOSFETの入力インピ-ダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

e: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: 電荷結合素子(CCD)は電子内視鏡に用いられている。

b: 液晶は発光素子である。

c: ツェナーダイオードは可視光センサである。

d: 光電子増倍管はシンチレーションカウンタに用いられている。

e: ホトダイオードは光通信に用いられている。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

図の回路について正しいのはどれか。ただし、ダイオードﾞは理想的とし、入力電圧圧Viは周波数50Hz振幅1Vの正弦波とする。

1: ダイオードにかかる電圧の最大値は約2Vである。

2: ダイオードに流れる電流は正弦波である。

3: コンデンサにかかる電圧の最大値は約1.4Vである。

4: コンデンサにかかる電圧は正弦波である。

5: 抵抗を1kΩに変えるとコンデンサにかかる電圧のリップル(変動量)は減少する。

正しいのはどれか。

a: 電荷に働く力はその場所の電界に比例する。

b: 電界とはその場所に置かれた電子の受ける力をいう。

c: 電界の単位はV/m2である。

d: 電気力線と等電位線は常に平行となる。

e: 1Cの電荷を移動させるのに1J必要であるとき、の電位差を1Vという。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

表示の原理として光の透過量を制御するのはどれか。

1: LEDディスプレイ

2: 液晶ディスプレイ

3: ELディスプレイ

4: プラズマディスプレイ

5: CRTディスプレイ

正しいのはどれか。

a: pnpn接合のサイリスタは、pn接合ダイオードに比べて整流特性が2倍向上している。

b: CCDはMOS構造における空乏層に電荷を蓄える素子である。

c: LEDの材料として、電子と正孔とが直接的に再結合しやすい半導体が適する。

d: エキシマレーザの波長はYAGレーザの波長より長い。

e: 光ファイバのクラッドの屈折率はコアの屈折率より大きい。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: 電荷結合素子(CCD)は電子内視鏡に用いられている。

b: 液晶は発光素子である。

c: 硫化カドミウム(CdS)素子は赤外線センサである。

d: 光電子増倍管はシンチレーションカウンタに用いられている。

e: ホトダイオードは光通信に用いられている。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

正しいのはどれか。

a: n型半導体の多数キャリアは正孔(ホール)である。

b: ダイオードの端子電圧と電流の関係は直線的な比例特性を示す。

c: バイポーラトランジスタの三つの端子はソース、ベース、コレクタである。

d: バイポーラトランジスタでは電流が正孔と電子によって運ばれている。

e: 金属酸化物電界効果トランジスタではゲートには電流はほとんど流れない。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

電子素子について正しいのはどれか。

a: サーミスタは温度変化に対して抵抗値の変化が大きい。

b: バリスタは加える電圧により抵抗値が変化する。

c: 硫化カドミウム(CdS)は光の強さに応じて起電力が変化する。

d: ホトダイオードは磁気‐電気変換素子である。

e: 発光ダイオード(LED)は電気‐光変換素子である。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

正しいのはどれか。

a: 熱伝導はあらゆる種類の物質に認められる現象である。

b: 銀はダイヤモンドより熱伝導率が大きい。

c: ステンレスは銀より熱伝導率が大きい。

d: 熱対流は真空中でも認められる現象である。

e: 熱放射は電磁波の形で熱が移動する現象である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: 電荷に働く力はその場所の電界の2乗に比例する。

b: 電界とはその場所に置かれた電子の受ける力をいう。

c: 電界の単位はV/mである。

d: 1Cの電荷を移動させるのに1Jのエネルギーが必要であるとき、その電位差を1Vという。

e: 電気力線は等電位面と常に平行である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

ランベルト・ベールの法則が成立する吸光度測定で正しいのはどれか。 

a: 吸光度は透過率に比例する。 

b: 吸光度は光路長に反比例する。 

c: 吸光度は-1～1の範囲の値で表す。 

d: モル吸光係数は物質によって異なる。 

e: 透過光の強度は光路長に対して指数関数的に減少する。 

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

コイルに交流電圧を印加した場合、コイルに流れる電流と電圧の位相について正しいのはどれか。（電気工学）

1: 電流は電圧よりπ/2位相が遅れている。

2: 電流は電圧よりπ/4位相が遅れている。

3: 電流は電圧と同位相である。

4: 電流は電圧よりπ/4位相が進んでいる。

5: 電流は電圧よりπ/2位相が進んでいる。