FETのゲート電圧(VGS)に対するドレーン電流(ID)の特性を測定した。正しいのはどれか。
正しいのはどれか。
a: 演算増幅器を用いて積分回路を作ることができる。
b: 演算増幅器では反転入力端子と非反転入力端子との電位差はほぼ0である。
c: 同相除去比(CMRR)を小さくするために演算増幅器による差動増幅回路を用いる。
d: 入力インピーダンスを小さくするために演算増幅器による非反転増幅回路を用いる。
e: 出力インピーダンスを大きくするために演算増幅器を用いる。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
磁気センサはどれか。
1: サイリスタ
2: ホール素子
3: バリスタ
4: 差動トランス
5: ISFET