帯電している導体球が真空中におかれている。正しいのはどれか。ただし、導体には電流は流れておらず、すべての電荷が静止しているものとする。
1: 導体表面は等電位面である。
2: 導体内部には一様な電荷が存在する。
3: 導体内部には同心円状に電界が存在する。
4: 導体内部から放射状に電気力線が出入りする。
5: 導体球に帯電体を近づけると導体内部に電位差が生じる。
正しいのはどれか。
1: 電界の強さは1Cの電荷に働く力によって定義される。
2: 単一電荷によって生じる電界の強さは電荷からの距離に反比例する。
3: 単一電荷によって生じる電位は電荷からの距離の2乗に反比例する。
4: 電位は1Cの電荷を動かすのに要する力である。
5: 電位はベクトル量である。
糸に円形磁石を取り付けて振り子を作り、その振り子の支点の真下に円形コイルを水平に置いた。磁石の上面はN極、下面はS極であり、磁石の直径はコイルの直径と同程度とする。振り子2往復分のコイルの端子電圧波形はどれか。
静電界中の導体について誤っているのはどれか。
a: 導体内部に電界が存在する。
b: 導体表面に電荷が存在する。
c: 電気力線は導体表面に垂直である。
d: 導体の表面は等電位面である。
e: 導体にうず電流が流れる。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
シールドについて正しいのはどれか。
1: 静電シールドは接地することでシールドの電位を0にすることができる。
2: 静電シールドには誘電率の高い物質が用いられる。
3: 静電シールドは直流に対しては無効である。
4: 磁気シールドには透磁率の低い物質が用いられる。
5: 磁気シールドは接地することで内部の磁界を0にすることができる。
生体と磁気について正しいのはどれか。
a: 生体の比透磁率は約10 である。
b: 脳磁図は脳活動に伴うヘモグロビンの磁性の変化を示す。
c: 心筋の活動で生じる磁界は都市の磁気雑音よりも大きい。
d: MRIでは生体内の水素原子核を電磁波で共鳴させている。
e: 交流磁界は生体内に渦電流を発生する。
電子部品について正しいのはどれか。
a: ピエゾ素子は磁束密度を検出する。
b: CdSは光を受けると起電力が発生する。
c: フォトダイオードは受光量に関係なく一定電流が流れる。
d: オペアンプは多数のトランジスタで構成されている。
e: ツェナーダイオードは一定の電圧を得るために用いる。
シールド(遮蔽)について正しいのはどれか。
1: 超電導体は磁気シールド用材料としては不適当である。
2: 一般に電界よりも磁界のほうがシールドしやすい。
3: 磁気シールドは透磁率の小さい材料を用いるほど効果がある。
4: 低い周波数の電磁界は高い周波数のものよりもシールドしやすい。
5: 電磁シールドはうず電流を利用している。
全く帯電していない完全導体を一様な電界の中に置いた。正しいのはどれか。
a: 電気力線は導体を置く前と置いた後では異なる。
b: 導体の表面には電磁誘導によって負の電荷が現れる。
c: 導体表面の電位は一様ではない。
d: 導体の内部に静電誘導によって負の電荷が現れる。
e: 導体の電荷の総和は0に保たれる。
円形コイルに電流を流したとき、生じる磁力線で正しいのはそれか。
図のように真空中で、2本の平行な無限に長い線状導線1,2に大きさが等しく、反対方向にI[A]の電流が流れているとき、P点での磁界[T]はどれか。ただし、P点は各導線から等しくr[m]離れている。また、μ0は真空の透磁率である。(電気工学)
1: 0
2: $\frac{\mu_0I}{4\pi{r}}$
3: $\frac{\mu_0I}{2\pi{r}}$
4: $\frac{\mu_0I}{\pi{r}}$
5: $\frac{{2\mu}_0I}{\pi{r}}$
a: 金属中を流れる電流は正負2種類の電荷で構成される。
b: 半導体の導電率は温度が高くなると増加する。
c: 半導体の導電率は含まれる不純物元素の種類や量に依存する。
d: 金属の導電率は温度が低くなると減少する。
e: 半導体の導電率は周波数とは無関係である。
初期状態では巻数10回の円形コイルに0.2Wbの磁束が直交している。コイル面を時計回りに1秒間あたり5rad(ラジアン)回転させるとき、コイルに発生する起電力の振幅[V]はどれか。
1: 0.4
2: 1
3: 2
4: 10
5: 25
a: 金属に電界をかけると電界に比例するドリフト電流が流れる。
b: pn接合はオームの法則が成立する二端子の線形素子である。
c: 電子と正孔とが再結合するときはエネルギーを吸収する。
d: バイポーラトランジスタは電子または正孔の1種類のキャリアを利用するものである。
e: FETの特徴はゲート入力抵抗がきわめて高いことである。
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